例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体（１０）と、単結晶半導体材料の膜または薄層（１４）と、当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する反射防止中間層（１２）とを有する複合基板。当該反射防止中間層の組成は、屈折率が変化するように、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において変化する。 （もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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半導体ウエハを加工することは、第１の厚さを有する半導体ウエハ上に複数の発光デバイス（ＬＥＤ）を形成することを含むことができる。ウエハ上の複数のＬＥＤをキャリアの表面と接触させ、ウエハをキャリアに結合する。ウエハの第１の厚さは、ウエハの裏面を加工することによって、第１の厚さよりも小さい第２の厚さまで低減される。キャリアがウエハ上の複数のＬＥＤから分離され、ウエハが切削されて複数のＬＥＤが互いに分離される。関係するデバイスも開示されている。

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光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
サファイア基板ＳＳＢ上にＧａＮから成る下地層ＡＬＹ、下地層ＡＬＹ上に、表面が凹凸状のＧａＮから成る転写層ＴＬＹ、転写層ＴＬＹの凹凸状の表面に光吸収層ＢＬＹ、光吸収層ＢＬＹ上に平坦化層ＣＬＹと少なくとも活性層を有する発光構造層ＤＬＹから成る成長層４を形成し、成長層４側に支持基板２を取り付ける。サファイア基板ＳＳＢの裏面側からＹＡＧレーザの２倍波（波長５３２ｎｍ）の光を照射し、光吸収層ＢＬＹを分解させて、サファイア基板ＳＳＢを剥離することにより、表面が凹凸状となる平坦化層ＣＬＹを光取り出し面として露出させる。成長層４内の活性層から発生する光は、凹凸状の表面を有する平坦化層ＣＬＹを介して素子外部へ放射され、光の取り出し効率が向上する。
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【課題】発光素子とその製造方法において、発光効率が高く、かつ実装が容易な発光素子の実現とその製造の容易化を図る。
【解決手段】発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層２、ｐ型窒化物半導体層３を一部に非積層部２０を設けて積層した一方の面に、半導体層２，３に電流を注入するための半導体面電極２１，３１、半導体層２，３を保持する絶縁層４、実装用の実装面電極５とを備える。絶縁層４は、実装面電極５と半導体面電極２１，３１を導通させるＶＩＡ１０を備える。透明結晶基板上に半導体層２，３と半導体面電極２１，３１とを積層し、ビルドアップ基板工程を用いて、絶縁層４と実装面電極５及びＶＩＡ１０を形成した後、透明結晶基板を半導体層２から分離して発光素子１が製造される。実装面電極５により、プリント基板と同様に実装ができる。半導体層２，３から直接、効率良く光を外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

第１の主要面（５）と、第２の主要面（９）と、電磁放射を生成する活性ゾーン（７）を備えている半導体層列（４）とを含んでいる半導体基体を備え、該半導体層列（４）は第１の主要面と第２の主要面（５，９）との間に配置されている放射放出半導体素子であって、第１の電流拡幅層（３）が第１の主要面（５）に配置されかつ第２の電流拡幅層（１０）が第２の主要面（９）に配置されかつこれらは半導体層列（４）と導電接続されている。
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支持体部材(2)に配置されたエピタキシャル層列(6)と、反射層(3)を有する薄膜発光ダイオード(5)であって、前記エピタキシャル層列は電磁放射を形成するアクティブゾーン(8)を有しており、前記反射層(3)は前記支持体部材(2)に向いた側のエピタキシャル層列(6)の主面に配置されており、エピタキシャル層列(6)で形成された電磁放射の少なくとも一部を当該エピタキシャル層列に反射する形式の薄膜発光ダイオードにおいて、支持体部材(2)とは反対の側のエピタキシャル層列(6)の放射出力結合面(7)に構造化層(1)が配置されており、該構造化層はガラス材料を含み、さらに該構造化層は放射出力結合面(7)から離れる方向に先細であり、かつ並置された構造化部を有しており、該構造化部はエピタキシャル層列(6)から発する電磁放射の波長よりも小さい側方ラスタを有することを特徴とする薄膜発光ダイオード。構造化層(1)は有利にはスピン-オン-ガラスとして被着され、グレースケールリソグラフによって構造化される。
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大型の窒化ガリウム発光ダイオードにおいて熱放散を改善する方法は、サファイアをより良い熱伝導体に代えることにより、結果として熱エネルギをより効果的に除去することを含む。ＧａＮエピタキシャル層と支持ウエハとの間に信頼性があり、強力な仮のボンディングを達成する方法。成長基板から二次基板にエピタキシャル膜を転写する方法。エキシマ・レーザが成長基板からの膜の剥離を開始する。このレーザ・ビームはシャドー・マスクによって成形され、成長基板にある既存のパターンと位置合わせされる。白色スペクトル光を放射するＬＥＤを製造する方法。ダイを分割およびパッケージングする前にＧａＮエピタキシャル・ウエハ上に青色またはＵＶスペクトルを励起後に白色スペクトルを放射する蛍光体。ＧａＮエピタキシャル層上に金属基板を堆積させる方法。 （もっと読む）

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ層上にＣｕ層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムの電極パッド５６、５７及び電極層７７上に絶縁層７９を形成する工程と、電極パッド５６、５７及び電極層７７上において絶縁層７９にビアホール７０’を形成する工程と、ビアホール７０’内に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する工程と、無電解Ｎｉメッキ層８１上にＣｕ配線８６を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。 （もっと読む）