【課題】安定した特性の半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１主面上に、発光層を含む半導体層を結晶成長させる工程（ステップＳ１１０）と、半導体層の少なくとも上面及び側面を第１絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１２０）と、半導体層と導通する第１電極部及び第２電極部を形成する工程（ステップＳ１３０）と、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１４０）と、基板の第１主面とは反対側の第２主面の側から半導体層にレーザ光を照射して、基板を半導体層から剥離する工程（ステップＳ１５０）と、を備え、第１絶縁膜は、レーザ光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーの小さい材料であり、第２絶縁膜は、レーザ光を吸収する材料であり、半導体層のバンドギャップエネルギーは、レーザ光のエネルギーよりも小さく、第１絶縁膜のうちで半導体層の側面を覆う部分において、レーザ光は発光層の深さまで達しない。 （もっと読む）

【課題】所望のチップサイズおよびチップ形状とすることが容易な発光素子および半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた接着層と、第１導電形層と、前記第１導電形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電形層と、を含み、前記接着層の上に設けられた複数の凸部と、前記第２導電形層の上に設けられた第１電極と、前記凸部の周囲に設けられた透光性樹脂層と、前記透光性樹脂の上に設けられ、前記複数の凸部の上にそれぞれ設けられた前記第１電極どうしを接続するオーバーコート電極と、を備える。発光素子側面において、前記基板、前記透光性樹脂層、および前記オーバーコート電極、のそれぞれが露出する。 （もっと読む）

【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと絶縁層２０と第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。第１導電部は、第１電極に接続され、第２半導体層と離間しつつ第２半導体層の一部１２ｐを覆う第１柱部３１ａを含む。絶縁層２０は第２半導体層と第１柱部との間に設けられる。第２導電部は第２電極に接続され第２主面の上に立設される。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。前記三次元ナノ構造体アレイは、前記第二半導体層の前記活性層と隣接する表面とは反対の表面に配置される。前記三次元ナノ構造体アレイは複数のナノ構造体を含み、前記ナノ構造体は梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減でき、より均一に発光できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面Ｍ１と第１主面とは反対側の第２主面Ｍ２とを有する半導体積層体１０と、第２主面上に設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を有する。透光部は、第１主面上に設けられる。波長変換部は、透光部の第２主面とは反対側の第３主面Ｍ３と、透光部の側面Ｍ４と、を覆う。第１、第２導電部は、第２主面上に設けられ第１、第２電極にそれぞれ電気的に接続される。封止部は、第１、第２導電部の側面を覆う。 （もっと読む）

【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと第１絶縁層２１と封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第２主面１０ａとを有する半導体積層体１０と、第２主面に設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。第１絶縁層は第１、第２柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ発光部１０ｄから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】小型半導体発光装置を用いた放熱性が高い光源装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置１１０と、実装基板２５０と、第１接続材２３０ａと、第２接続材２３０ｂと、を備えた光源装置が提供される。半導体発光装置は、発光部１０ｄと、第１導電部３０ａと、第２導電部３０ｂと、封止部５０と、光学層６０と、を含む。実装基板は、基体２０１と、第１基板電極２１０ａ及び第２基板電極２１０ｂと、を含む。接続材は、導電部と基板電極とを電気的に接続する。第１、第２導電部は、発光部の電極に電気的に接続され、第２主面の上に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は波長変換部を含み半導体積層体の第２主面とは反対側に設けられる。第２基板電極の面積は、第２柱部の断面積の１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、波長変換部から蛍光体が脱離することを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた波長変換部と、前記波長変換部の周縁を囲むように設けられた反射部と、前記第１電極部に設けられた第１導電部と、前記第２電極部に設けられた第２導電部と、前記第２主面側に設けられ、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、を備え、前記反射部の外周面と、前記封止部の外周面と、が平面視において重なるように設けられたこと、を特徴とする半導体発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体層とメッキ基板との反りを低減して量産性にすぐれて簡単な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、成長基板３０上に窒化物半導体層１０を形成する工程と、窒化物半導体層１０の上面であるｐ側表面をｐ電極層４とｐ保護層７とで被覆する工程と、ｐ電極層４およびｐ保護層７の上にシード層９を形成する工程と、シード層９の上面において素子間の境界線上の一部に絶縁層２０を形成する工程と、シード層９の上にメッキ層を形成する工程と、絶縁層２０を除去して素子間の境界線上におけるメッキ層の一部に隙間部４０を形成してメッキ基板８とする工程と、成長基板３０を剥離する工程と、成長基板３０を剥離して現れた窒化物半導体層１０のｎ側表面に、素子間の境界線に沿って溝３５を形成する工程と、ｎ側電極５を形成する工程と、メッキ基板８を素子間の境界線に沿って切断する工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極とを有する発光層と、前記第１主面上に設けられ、透光性を有する透光層と、前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電極の判別を容易化し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第１主面とは反対の側の第２主面１０ａとを有する半導体積層体と、第２主面１０ａに設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に電気的に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ、発光部からの発光光の波長を変換する波長変換部を含む。第１導電部の半導体積層体とは反対側の第１端面３１ａｅと第２導電部の半導体積層体とは反対側の第２端面３１ｂｅとは非対称である。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】色度ズレを抑制する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、透明層と、蛍光体層とを備える。半導体層は、第１の主面と、その反対側に形成された第２の主面と、発光層とを含む。第１の電極は、半導体層の第２の主面における発光層を有する領域に設けられた。第２の電極は、半導体層の第２の主面における発光層の外周よりも外側に設けられた。透明層は、半導体層の第１の主面上に設けられ、発光層が発する光に対して透明である。透明層は、発光層の外周よりも外側に形成された溝を有する。その溝内及び透明層上に、蛍光体層が設けられた。蛍光体層は、溝内に設けられ、溝の幅よりも小さい第１の蛍光体粒子と、透明層上に設けられ、溝の幅及び第１の蛍光体粒子よりも大きい第２の蛍光体粒子とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した特性の半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面５ａ、第１主面５ａの反対側の第２主面５ｂ及び第１主面５ａと第２主面５ｂとをつなぐ第３主面５ｃを有し、発光層を含む半導体層５と、半導体層５の第２主面５ｂに設けられた第１電極部１４及び第２電極部１５と、半導体層５の第２主面５ｂ及び第３主面５ｃを覆う第１絶縁膜１３と、第１電極部１４及び第２電極部１５のうちの少なくとも第２電極部１５の上に積層され、近接する第３主面５ｃを覆う第１絶縁膜１３ｃの延長上まで延在した金属層４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】線状や面状光源として使い勝手のよい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、複数の半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層とを備え、曲げられた状態で曲面上に実装された。複数の半導体層は互いに分離され、各々の半導体層は発光層を含む。第１の電極は半導体層の第２の主面における発光層を有する領域に設けられ、第２の電極は第２の主面における発光層を含まない領域に設けられた。絶縁層は半導体層の第２の主面側に設けられた。第１の配線層は絶縁層における半導体層に対する反対側の面に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は絶縁層における半導体層に対する反対側の面に設けられて第２の電極と接続され、第２の電極と接続する面よりも第２の電極に対する反対側の面において面積が大である。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にすることなく、量産性に優れた発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、発光層を有する半導体層を積層して、第１構造体を形成する工程（ステップＳ１１０）と、半導体層の上に第１電極及び第２電極を形成する工程（ステップＳ１２０）と、半導体層の上に、第１電極と導通する第１金属ピラーと、第２電極と導通する第２金属ピラーと、を形成する工程（ステップＳ１３０）と、第１金属ピラー及び第２金属ピラーの間を樹脂で埋め込む工程（ステップＳ１４０）と、基板を半導体層から剥離して、半導体層が樹脂によって支持され樹脂の反対側に凸となった第２構造体を形成する工程（ステップＳ１５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、発光チップと、金属材料からなる外部端子と、前記外部端子を介して前記発光チップが実装された配線板とを備える。前記発光チップは、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、を有する。前記配線板は、前記外部端子を介して前記第１の金属ピラー及び前記第２の金属ピラーと接合された配線と、前記配線の下で前記配線に接して設けられた放熱材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）