【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合して複合基板を形成し、エピタキシー基板の裏面側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊した後に、エピタキシー基板を剥離することにより光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層の移替装置であって、複合基板の移設基板側を保持する第1の保持面を備えた第１の保持手段と、第１の保持面と対向し複合基板のエピタキシー基板側を保持する第２の保持面を備えた第２の保持手段と、第1の保持手段と第２の保持手段とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる分離手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体層と支持基板との間に介在する熱硬化性樹脂の半導体層および成長用基板の側面への這い上がりを防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する
【解決手段】
サファイア基板１０上に半導体結晶を成長させて半導体層２０を形成する。支持基板３０の表面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層４０を形成する。樹脂層４０を間に挟んで半導体層２０と支持基板３０とを密着させた状態で樹脂層４０を熱硬化させて支持基板３０と半導体層２０とを接合する。樹脂層４０の熱硬化後にサファイア基板１０を除去する。支持基板３０と半導体層２０とを接合する前に、樹脂層４０の半導体層２０と接する部分の周辺領域の表層部に樹脂層４０の流動性を低減または喪失させる流動抑制部４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側電極を有し、素子内を流れる電流の経路を制御することにより発光効率を改善したＧａＮ系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードは、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板と、該基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層と、該基板の裏面に形成されたｎ側電極と、該エピ層の上面に形成された透光性のｐ側オーミック電極と、該ｐ側オーミック電極上の一部に形成されたｐ側電極パッドとを有する。前記基板の裏面のうち前記ｎ側電極に覆われた領域には、ポリッシング仕上げされた領域である低接触抵抗領域と、ドライエッチング仕上げされた領域である高接触抵抗領域とが含まれ、前記基板の裏面への前記ｐ側電極パッドの正射影の全部または一部が前記高接触抵抗領域に含まれる。 （もっと読む）

【課題】生産性良く部材を分離して高品位な製品を製造できる部材分離装置及び部材分離方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る部材分離装置は、ステージと、照射部と、を備える。前記ステージには、加工部材が載せられる。前記加工部材は、第１部材と、第１部材と接する第２部材と、を含む。前記第１部材は、第１波長を含む波長領域の光に対して透過性を有する。前記第２部材は、前記第１部材と接する。前記第２部材の前記波長領域の光に対する吸収率は、前記第１部材の前記第１波長の光に対する吸収率よりも高い。前記照射は、前記第１波長の成分と、前記波長領域に含まれ前記第１波長とは異なる第２波長の成分と、を含むレーザ光を生成し、そのレーザ光を加工部材に照射する。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】色ムラの少な発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、発光層を有する半導体層を具備する発光素子と、発光素子上に、発光層からの光を変換する波長変換部材が含有された被覆部材と、を有する被覆部材付き発光素子であって、発光素子は、半導体層の下面に反射部材を有し、被覆部材は、その縁部が、発光層の側面よりも下側で、且つ、発光素子の下面よりも上側に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、導電性ペーストを用いて発光素子をリードフレームに固着する発光装置であって、発光効率および信頼度を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、凹部が設けられた第１のリードと、前記凹部の底面に固着された発光素子と、前記第１のリードから離間して配置され、金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、を備える。前記発光素子は、前記金属ワイヤがボンディングされた発光面側とは反対の裏面において、導電性のペーストを介して前記底面に固着される。そして、前記底面の面積は、前記発光面の面積よりも広く、前記ペーストは、前記凹部の内部において、前記発光素子の前記発光面と前記裏面とに交差する側面の少なくとも一部と、前記凹部の壁面の少なくとも一部と、を覆う厚さに充填される。 （もっと読む）