【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】導電性、電気化学的安定性、耐酸化性、充填性、緻密性、機械的・物理的強度に優れ、しかも基板に対する接着力・密着力の高い高品質・高信頼度のメタライズ配線を有する電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１１は、所定のパターンを有するメタライズ配線１２を有している。メタライズ配線１２は、メタライズ層１２１と、絶縁層１２２とを含んでいる。メタライズ層１２１は、高融点金属成分と低融点金属成分とを含み、高融点金属成分及び低融点金属成分が互いに拡散接合している。絶縁層１２２は、メタライズ層１２１と同時に形成されたもので、メタライズ層１２１の外面を覆っている。電子部品１４は、メタライズ配線１２のメタライズ層１２１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの半導体層のエッジ部分と搭載基板の配線パターンとの間に、導電粒子の介在によるリーク電流が発生するのを防止可能なＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】同一面側にカソード側電極２４およびアノード側電極２５が形成されたＬＥＤチップ２０と、アノード側配線パターン１２およびカソード側配線パターン１３が形成された搭載基板１１と、球状体である導電粒子３１を接着剤樹脂３３に分散混合した異方性導電接着剤３０とを備え、各電極２４，２５と各配線パターン１２，１３とを異方性導電接着剤３０によって直接接合させることにより、ＬＥＤチップ２０を搭載基板１１に搭載したＬＥＤランプ１０であって、各電極２４，２５の厚みｔ１，ｔ２が導電粒子３１の直径φよりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層に対するｎ側電極の密着性を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、オーミック電極層３０を含むｎ側電極２２とを備える。そして、ｎ側電極２２のオーミック電極層３０は、ｎ型ＧａＮ基板１の下面１ａを部分的に覆うように形成された非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１と、Ｓｉ層３１のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側の表面と、Ｓｉ層３１により覆われていないｎ型ＧａＮ基板１の下面１ａとに接触するように形成されたＴｉ層３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のＦＣ（フリップチップ）実装技術における光の取り出し効率を改良する。
【解決手段】第１の導電型を有する第１の（ｎ型）半導体層１４０、発光層１５０及び第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の（ｐ型）半導体層１６０が積層された積層半導体層１００と、積層半導体層１００のｎ型半導体層１４０の表面に形成された第１の電極１８０と、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０の表面に形成された第２の電極１７０と、を備え、第２の電極１７０は、積層半導体層１００のｐ型半導体層１６０上に、ｐ型半導体層１６０側と反対側の膜面が凹凸形状を有するように形成された、又はｐ型半導体層１６０を覆わない不連続な部分を設けるように形成された、光に対して透過性且つ導電性の透明導電層１７１と、透明導電層１７１上に設けられ光に対して反射性を有する金属反射層１７２と、を有することを特徴とする半導体発光素子１０。 （もっと読む）

【課題】高いボンディング性と高い効率とを有する半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第２半導体層の上に、透過性で１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の厚さの第１導電層を形成し、第１導電層の一部と、第１半導体層の上に高反射導電膜を形成する。高反射導電膜を加工して、第１導電層の第２半導体層とは反対の側の第１主面に沿って延在する延在部を有し、アルミニウム、銀及びロジウムの少なくともいずれかを含む第３導電層を形成する。第１導電層の一部の上に、第３導電層の延在部の少なくとも一部を露出させ第１導電層に対する密着力が第３導電層の第１導電層に対する密着力よりも大きく、第１主面に対して平行な方向に沿った幅が３０μｍ以上８０μｍ以下の第２導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に隣接して配置され、同じ極性の電圧が印加される電極を上面にそれぞれ備える第１と第２の発光部を有し、前記基板と一体形成された２つのＧａＮ系発光素子とを備える発光装置であって、前記２つのＧａＮ系発光素子それぞれの前記２つの発光部は互いに１つの電極を共有し、前記共有されている電極は前記２つの発光部と共通の半導体層の上に配置され、一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第１の発光部の電極に接続され、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は前記一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第２の発光部の電極に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】発光特性および生産性に優れた半導体発光素子の実装方法を提供する。
【解決手段】本発明は、正電極６の上面が負電極５の上面より高い位置にあるＬＥＤチップ１を、セラミック基板９に実装する実装方法であって、負電極５上および正電極６上にレジスト１６を積層して、レジスト１６に開口部１６ａ・１６ｂを形成する開口部形成工程と、開口部１６ａ・１６ｂ内にそれぞれ、バンプ１１・１２を形成するバンプ形成工程と、レジスト１６を除去するレジスト除去工程と、バンプ１１・１２をセラミック基板９にボンディングするボンディング工程と、を有し、さらに、開口部１６ａの断面積は、開口部１６ｂの断面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第１上面と、前記第１上面よりも突出する第２上面と、を有する電極と、前記電極の第１上面に設けられ、上面が前記電極の第２上面よりも前記半導体層側にある密着層と、密着層の上面から半導体層まで被覆する絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、カソードであるｎ側バンプ２３とアノードであるｐ側バンプ２４を備え、このｎ側バンプ２３とｐ側バンプ２４の間にバリスタ２６が充填されている。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地１０の上に第１の膜１１を選択的に形成する工程と、前記第１の膜１１および前記第１の膜に覆われていない前記下地１０の上に、第２の膜１３を形成する工程と、前記第２の膜１３の平均結晶粒径を前記第２の膜１３の膜厚以上に調整する工程と、前記第１の膜１１のエッチャントを前記第２の膜１３の表面に晒し、前記第１の膜１１の上に形成された前記第２の膜１３を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高効率な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁層とを備えた。第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。第１の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第１の開口内に設けられ、第１の電極と接続された。第２の配線層は、第２の主面に対する反対側の第１の絶縁層上及び第２の開口内に設けられ、側面に設けられた第２の電極と接続された。 （もっと読む）

【課題】例えばフリップチップ実装で用いられる半導体発光素子において、配線基板に対する電極の接触不良の発生を低減させることを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、第１導電型を有するＩＩＩ族窒化物半導体で構成されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０の一方の面に一部を露出させるように積層され、通電により発光する発光層１５０と、第１導電型とは異なる第２導電型を有するＩＩＩ属窒化物半導体で構成され、発光層１５０に積層されるｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０に積層され、発光層１５０から出射される光に対する反射性を有する金属反射層１７２を備える第１電極１７０と、ｎ型半導体層１４０の一方の面の露出部位から延伸し、第１電極よりも突出する第２電極１８０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング用のパッド電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】発光層２５を含む半導体積層構造と、半導体積層構造と接続されるワイヤボンディング用のパッド電極と、パッド電極と半導体積層構造との間に介在する絶縁層４０と、を備え、パッド電極は、絶縁層４０を貫通し、半導体積層構造側とオーミック接触する下側パッド電極５０と、絶縁層４０上に形成され、下側パッド電極５０とオーミック接触し、下側パッド電極５０より発光層２５から発せられた光の反射率が高く、下側パッド電極５０より大きな面積であるワイヤボンディング用の上側パッド電極７０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少なくする。
【解決手段】サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着の際の熱の影響で、支持基板に反りが生じて、この反りによって支持基板に応力がかかり、支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）