【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、ｐ−ＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＮからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とｐ型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるＩｎの割合が増加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第２の絶縁膜に被覆された第１領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第１の絶縁膜および第２の絶縁膜に被覆された第２領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第２領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、Ｖピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、ｐ型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にＶピットが形成されており、Ｖピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層と、通電により発光波長λの光を出射する発光層と、ｐ型半導体層１６０と、発光層から出射される光に対する透過性および導電性を備えるとともに第１屈折率ｎ１を有する透明導電層１７０と、発光層から出射される光に対する透過性および絶縁性を備えるとともに第１屈折率ｎ１よりも低い第２屈折率ｎ２を有する透明絶縁層１８０と、発光層から出射される光に対する反射性を備えるｐ金属反射層２０２とが積層された半導体発光素子１において、透明導電層１７０の第１膜厚ｔ１は、（λ／４ｎ１）×（Ａ−０．５）≦ｔ１≦（λ／４ｎ１）×（Ａ＋０．５）の関係を有し、透明絶縁層１８０の第２膜厚ｔ２は、（λ／４ｎ２）×（Ｂ−０．５）≦ｔ２≦（λ／４ｎ２）×（Ｂ＋０．５）の関係を有する。ただし、Ａは正の偶数、Ｂは正の奇数である。 （もっと読む）

【課題】Top Emitting型の深紫外発光ダイオードの効率を改善し、高効率で安価な深紫外発光ダイオードを提供する。
【解決手段】p型電極7の主成分をAgとし、膜厚を6nmとする。発光層4の発光波長を320±5nmに調整する。発光層4としては、InAlGaNなどの窒化物半導体層、MgZnOなどの酸化物半導体層を利用する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体であるＣｕＳＣＮ膜６と、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた一種類以上とＰとを含む紫外発光材料（ｎ型ＺｎＯ焼結体）５を電析法で接合する製造方法を経ることで、発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ及びライトユニットを提供すること。
【解決手段】一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層、前記活性層上の第２導電型半導体層を有する発光構造物と、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された第２電極層とを備え、前記発光構造物の表面は互いに異なる方向の曲率を有する複数個の第１面と第２面が互いに交代に配置される。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、直径が５ｎｍ以下の粒子径の金属微粒子１０２を形成する。次に、金属微粒子１０２を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ１０３を形成する。次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。半導体層１０４は、ナノワイヤ１０３の側面および上面を覆って柱状に成長する。 （もっと読む）

【課題】
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第１酸化シリコンマトリクス層と、第１酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第１酸化シリコン層とを含む、第１量子ドット構造と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズと異なる第２の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第２酸化シリコンマトリクス層と、第２酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第２酸化シリコン層とを含む、第２量子ドット構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｎ側電極にＡｌ単体またはＡｌ合金からなるｎ側第１金属層を含み、ｐ側電極にＡｌよりも酸化還元電位の貴な金属の酸化物を含む導電性酸化物膜を含む、ＧａＮ系ＬＥＤの製造工程において、該導電性酸化物膜が腐食することを防止する。
【解決手段】第１のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第１のマスクパターンによって導電性酸化物膜の表面を保護し、第２のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第２のマスクパターンによってｎ側第１金属層の表面を保護することによって、ｎ側第１金属層および導電性酸化物膜を同時にアルカリ現像液に接触させないようにする （もっと読む）

【課題】反射電極層の、反射率向上による高輝度化、接触抵抗の低減、剥がれの防止及び経時劣化に対する耐性の向上。
【解決手段】反射電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、第１の導電型の第１半導体層、活性層および第２の導電型の第２半導体層を順次積層して半導体膜を形成する工程と、第２半導体層上に金属反射層と半導体膜との格子不整合を緩和する金属バッファ層を形成する工程と、金属バッファ層上に金属反射層を形成する工程と、金属反射層上に金属反射層の脱離を防止する金属パッシベーション層と、金属パッシベーション層上に金属パッシベーション層の酸化を防止する酸化防止層を形成する工程と、金属パッシベーション層と酸化防止層との間で相互拡散が生じるように熱処理を行って、これらの層の界面に合金層を形成する工程と、合金層の少なくとも一部を合金層上に形成された層とともに除去することにより反射電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）