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発光ダイオード (162,814) | LED形式 (36,241) | 電極 (5,970) | 電極構造 (2,261)

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【課題】外部から接続用の電極に応力がかかっても、半導体層を被覆する絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】p型半導体層13及びn型半導体層12とp側及びn側の突起電極17,18はそれぞれ中間配線19,15で接続している。さらに絶縁層14のp側及びn側の開口部19a,15aとp側及びn側の突起電極17,18とは平面的に重ならない。この結果、開口部19a,15aには応力が集中しなくなり、開口部19a,15aにおける剥離が起きにくくなる。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードにおいて、発光層に加工損傷が生じることを抑止するとともに、発光層の面積を最大限に確保する。
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、Si基板21の表面にn型クラッド層23を形成する第1の工程と、n型クラッド層23上に発光層24を形成する第2の工程と、発光層24上にp型クラッド層25を形成する第3の工程と、Si基板21の裏面よりn型クラッド層23に達するビアホール27を形成する第4の工程と、ビアホール27にビアホール電極29を埋め込む第5の工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現する。
【解決手段】両電極間に所定電圧を印加して積層間にある活性層4である発光層で発光する発光素子としてのGaN系LED1において、両電極および両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜9が設けられ、この透明保護膜9には透明な光散乱材9aが混合されている。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】n型半導体層12と発光層13とp型半導体層14とがこの順に積層された半導体層10と、p型半導体層14上に形成された第1透明導電層15aと、第1透明導電層15a上に部分的に形成された金属反射層2aと、金属反射層2a上を覆うように形成された第2透明導電層15bと、金属反射層2aと平面視で重なる位置の第2透明導電層15b上に形成された正極17とを備え、第1透明導電層15aおよび第2透明導電層15bが、Inを80質量%以上含む半導体発光素子1とする。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第1電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極層は、構造体の第2半導体層の側に設けられる。電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10nm以上、100nm以下である。開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が10nm以上、5μm以下である。無機膜は、前記方向に沿った厚さが20nm以上、200nm以下で、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられ、発光層から放出される光に対して透過性を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子の特性を変えることが可能な半導体発光素子測定装置を提供する。
【解決手段】可動ステージ31は、LEDチップ10、11を載置し、位置調整部38の制御により、水平方向(例えば、x軸方向、y軸方向)に移動する。プローブ針32は、LEDチップ10、11の表面に形成されたボンディング電極に接触させてLEDチップ10、11に所要の電圧を印加する。光検出部34は、LEDチップ10、11からの光を検出する。光学特性測定部36は、光検出部34による検出結果に基づいて、LEDチップ10、11の光学特性を測定する。レーザ光源33は、レーザ光によりLEDチップ10、11の表面の一部を切除する。 (もっと読む)


【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子及びその製造方法に係り、該発光素子は、第1化合物半導体層、活性層及び第2化合物半導体層を含む化合物半導体構造物;第2化合物半導体層の上面に設けられたものであり、第1化合物半導体層及び第2化合物半導体層それぞれに電気的に連結される第1電極層及び第2電極層;第1電極層及び第2電極層が位置した領域の一部を除外した残りの領域に塗布された絶縁層;非導電性基板の上面に形成され、非導電性基板を第1電極層、第2電極層及び絶縁層に連結させる導電性接着層;導電性接着層と非導電性基板との一側面に形成され、導電性接着層に連結される第1電極連結層;導電性接着層と非導電性基板との他側面に形成され、第2電極層に連結される第2電極連結層;を含む。 (もっと読む)


【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。
【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。 (もっと読む)


【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、p型半導体層21、発光層22及びn型半導体層23が積層され、p型半導体層及び発光層22の一部が除去されてn型半導体層21の一部が露出したGaN半導体層20と、GaN半導体層20の上に、p側第1絶縁膜開口部55及びn側第1絶縁膜開口部56を備えて積層される第1反射層50と、p側第1絶縁膜開口部55を通じて、p型半導体層23にキャリアを注入するためのp側透明配線電極層40と、p側透明配線電極層40の上方に、p側第1絶縁膜開口部55の少なくとも一部を覆うように積層され、p側第1絶縁膜開口部55を通過した光を発光層22側に反射する第2反射層60とを備える。 (もっと読む)


【課題】同じ側に端子を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第1端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第2端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第1端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第1切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第2端子部を、積層方向に切断する第2切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】発光素子の耐久性および発光効率を向上させ、小型化を図る。
【解決手段】発光素子は、基板と、第1の半導体層、前記第1の半導体層上に設けられた発光層、および前記発光層の上に設けられた第2の半導体層を有し、前記基板の第1の主面側に設けられた半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の前記第2の半導体層上に設けられた電極と、前記基板を貫通して前記第1の半導体層に接続し、前記基板の第2の主面側に設けられた第1のビア電極と、前記基板および前記半導体多層構造体を貫通して前記電極に接続し、前記基板の前記第2の主面側に設けられた第2のビア電極と、を備え、前記第1のビア電極および前記第2のビア電極の少なくともいずれかのビア電極であって、前記第2の主面側の一部に、凹みが設けられている。 (もっと読む)


【課題】優れた熱伝導性を有する熱伝導経路を備えた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、第1導電層102、該第1導電層102の上に配置された能動層104、及び該能動層104の上に配置された第2導電層106を含む発光構造と、第1導電層104の上に配置された第1ボンディングパッド107aと、第2導電層106の上に配置された第2ボンディングパッド107bと、第1ボンディングパッド107aの上に配置された第1金属層160と、第2ボンディングパッド107bの上に配置された第2金属層162とを備える。第1ボンディングパッド107aと第2ボンディングパッド107bとの間の間隔が、第1金属層160と第2金属層162との間の間隔よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、第1導電型の半導体層、第1導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第1のパッドと、支持部材下に第1のパッドから離隔して配置された第2のパッドと、第1導電型の半導体層と第1のパッドの間に連結された第1の電極と、接合層と第2のパッドの間に連結された第2の電極と、を含む。 (もっと読む)


【課題】大電流を流すことに起因した種々の不都合を発生させることなく高輝度化や高出力化を実現し、かつ配線系や電極等の構造を改善することで光取出効率を向上させた、発光ダイオードを提供する。
【解決手段】個々のLED素子21が、離間して設けられた第1のウエハ接合用電極10aおよび第2のウエハ接続用電極10bと、透明絶縁層7と、第1の半導体層4と、活性層3と、第2の半導体層2とが、下層からこの順で形成されており、透明絶縁層7を貫通して第1の半導体層4と第1のウエハ接合用電極10aとを電気的に接続する第1のコンタクト部5と、透明絶縁層7および第1の半導体層4ならびに活性層3を電気的に絶縁された状態で貫通して、第2の半導体層2と第2のウエハ接合用電極10bとを電気的に接続する第2のコンタクト部6とを備え、かつ前記ウエハ接合用電極10a、10bが、支持基板14上のチップ接合用電極12に接合されている。 (もっと読む)


【課題】高出力・高効率であって耐湿性に優れる660〜720nm帯発光に適した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式(AlX1Ga1−X1)As(0.20≦X1≦0.36)からなる井戸層と、組成式(AlX2Ga1−X2)As(0<X2≦1)からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層と第2のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第1及び第2のクラッド層を組成式(AlX3Ga1−X3Y1In1−Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)からなるものとし、前記井戸層の厚さを3〜30nmとし、発光波長を660〜720nmに設定されてなることを特徴とする発光ダイオードことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小型で発熱が少なく、しかも所望の波長帯の出射光が高強度で安定して得られる積層型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】それぞれ発光ダイオードを構成する第1の発光素子部30、第2の発光素子部20、第3の発光素子部10が中心発光波長の長い順に下層から配置され、上層に配置された発光素子部は下層に配置された発光素子部の発光光に対する透光性をそれぞれ有し、第1の発光素子部30と第2の発光素子部20との間に配置された第1光学機能層42と、第2の発光素子部20と第3の発光素子部10との間に配置された第2光学機能層41は、下層側の発光素子部の発光光を上方に透過させるとともに上層側の発光素子部の発光光を上方に反射する光学特性を有している。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子の発光層から出力される光量のむらを抑制し、且つ、半導体発光素子における発光層の面積の減少を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子1は、それぞれがp型半導体層160および発光層150を貫通して設けられ、それぞれがn型半導体層140と電気的に接続される複数のn側柱状導体部183と、発光層150からみてp型半導体層160の背面側で発光層150の面と対向して配置され、複数のn側柱状導体183と電気的に接続されるn側層状導体部184と、それぞれがp型半導体層160と電気的に接続される複数のp側柱状導体部173と、発光層150からみてp型半導体層160の背面側で発光層150と対向して配置され、複数のp側柱状導体部173と電気的に接続されるp側層状導体部174とを含んでいる。 (もっと読む)


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