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Fターム[5F041CA92]の内容

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Fターム[5F041CA92]に分類される特許

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【課題】 Agのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第1導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第2導電型の第2の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第1の半導体層又は前記第2の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第1の半導体層又は前記第2の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるAgを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第1キャップ層と、該第1キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第2キャップ層との積層を少なくとも2セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 (もっと読む)


【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子100は、第1伝導型の半導体層105と、発光層104と、第2伝導型の半導体層103とをこの順に含む半導体積層体106と、第1伝導型半導体層105上に、コンタクト層107とオーミック電極層108とが積層してなるコンタクト部109と、オーミック電極層108に接し、第1伝導型半導体層105と電気的に接続する第1電極113と、第2伝導型半導体層103に電気的に接続する第2電極112と、を有し、コンタクト部109には第1伝導型半導体層105が露出する複数の島状の開口部111を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子に接合されている部材に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置100は、半導体発光素子10と、半導体発光素子10を支持する基板20と、半導体発光素子10と基板20との間に位置するシリコーンエラストマー層30と、を含み、半導体発光素子10とシリコーンエラストマー層30とは、接合されている。 (もっと読む)


【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、p型層、活性層、n型層を含む窒化物半導体積層と、p型層と基板との間に形成されたp側電極と、n型層上の限定された領域に形成されたn側電極と、n側電極に対向する領域を含んで、p型層内、またはp型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のp型層に形成され、p側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子において、n伝導型の半導体からなる半導体層(2)と、該半導体層(2)に設けられNi、Alから選ばれる金属を含む下地層(4)と、該下地層(4)の上面および側面を覆うように設けられAuからなる電極層(5)と、を備え、腐食を受け易いNiやAl等の金属から構成される下地層(4)を腐食を受け難いAu等から構成される電極層(5)により覆い、下地層(4)がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】外部から接続用の電極に応力がかかっても、半導体層を被覆する絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】p型半導体層13及びn型半導体層12とp側及びn側の突起電極17,18はそれぞれ中間配線19,15で接続している。さらに絶縁層14のp側及びn側の開口部19a,15aとp側及びn側の突起電極17,18とは平面的に重ならない。この結果、開口部19a,15aには応力が集中しなくなり、開口部19a,15aにおける剥離が起きにくくなる。 (もっと読む)


【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第2の導電型半導体層と電気的に連結された第2の電極層と、第2の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第2の電極層、第2の導電型半導体層及び活性層を貫通して第1の導電型半導体層と接する少なくとも1つの接触電極を有する第1の電極層と、第1の電極層と第2の電極層との間及び第1の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第1の導電型半導体層は、第1の領域と、第1の領域と区分され、第1の領域より高さの低い第2の領域とを有し、第1の領域は前記接触電極と重畳されている。 (もっと読む)


【課題】m面GaN基板の裏面に形成された低接触抵抗のn側電極を有するGaN系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】GaN系発光ダイオードの製造方法は、n型導電性のm面GaN基板である基板110と、基板110上にエピタキシャル成長したGaN系半導体からなりpn接合型の発光構造を含むエピ層120と、を有するエピウェハを準備する第1ステップと、前記エピウェハに含まれる基板110の裏面をポリッシングする第2ステップと、前記第2ステップでポリッシュされた基板110の裏面全体にn側オーミック電極を形成する第3ステップと、前記第3ステップで形成された前記n側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第4ステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1半導体層と、発光部と、第2半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第1半導体層は、第1導電形である。発光部は、第1半導体層の上に設けられる。第2半導体層は、発光部の上に設けられ、第2導電形である。反射電極は、第2半導体層の上に設けられ、Agを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 (もっと読む)


【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、p−GaNからなるp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上に形成された、p−InGaNからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないn型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とp型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるInの割合が増加する。 (もっと読む)


【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1、第2電極層、第1、第2半導体層、発光層及び第1中間層を含む半導体発光素子が提供される。第1電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が10nm以上5μm以下の複数の貫通孔が設けられている。第2電極層は光反射性である。第1半導体層は、第1電極層と第2電極層との間に設けられ第1導電形である。第2半導体層は第1半導体層と第2電極層との間に設けられ第2導電形である。発光層は、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられる。第1中間層は、第2半導体層と第2電極層との間に設けられ、光透過性である。第1中間層は、複数の第1コンタクト部と、第1非コンタクト部と、を含む。第1非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第1コンタクト部と並置される。 (もっと読む)


【課題】発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に設けられた第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2の半導体層と、を備えている。
そして、前記第2の電極は、前記第1の半導体層が設けられる側の面に複数の第1の凹部を有している。 (もっと読む)


【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード50は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成された半導体積層構造2と、半導体積層構造2の表面に形成された透明電極膜3とを含む。半導体積層構造2は、p型クラッド層15に対して活性層10とは反対側に配置されたp型GaPウインドウ層17と、p型GaPウインドウ層17におけるp型クラッド層15とは反対側に形成されたp型コンタクト層18とを含む。p型コンタクト層18は、炭素がドープされたGaPからなる。 (もっと読む)


【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第1の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたp型半導体層と、前記p型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたn型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第1配線層と、前記第1配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記n型半導体層と電気的に接続される複数の第2配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第1の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む2つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 (もっと読む)


【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第2の絶縁膜に被覆された第1領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に被覆された第2領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第2領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 (もっと読む)


【課題】n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供する。
【解決手段】GaN系LED素子100は、複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体120を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層123と、p型導電層123の底面側に配置された活性層122と、p型導電層123とで活性層122を挟むように配置されたn型導電層121とが含まれ、p型導電層123の上面にはp側電極が設けられ、p型導電層123側に一部露出したn型導電層121の表面にはn側電極が設けられる。該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部とn型導電層121との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板70と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第1半導体層11、前記第1半導体層の下の第1活性層12、前記第1活性層の下の第2導電型の第2半導体層13を有する第1発光構造物10、前記第1発光構造物の下の第1反射電極17、前記第1反射電極のまわりに配置された第1金属層19と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第3半導体層21、前記第3半導体層の下の第2活性層22、前記第2活性層の下の第2導電型の第4半導体層23を有する第2発光構造物20、前記第2発光構造物の下の第2反射電極27、前記第2反射電極のまわりに配置された第2金属層29と、前記第1発光構造物の第1半導体層内部に接触して、前記第2反射電極と電気的に連結する第1コンタクト部43とを備える。 (もっと読む)


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