【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】システムが要求するスペクトル形状に容易に制御することが可能となるＳＤ−ＯＣＴシステムの駆動制御方法を提供する。
【解決手段】スーパールミネッセントダイオードであるＳＬＤ、および該ＳＬＤを駆動制御する駆動制御手段を有する光源と、
ラインセンサを有する分光器と、を備え、
前記光源から出射され、参照光学系および照射光学系を経由した戻り光を前記分光器で分光処理し、該分光処理により得られた光のスペクトル情報に基づいて光断層画像を取得するＳＤ−ＯＣＴシステムの駆動制御方法であって、
前記駆動制御手段によって、３つ以上の電流値を持つ駆動波形を発生させて該電流値の間を周期的に変動させる際に、その周期を前記ラインセンサが前記スペクトル情報を取得する周期の整数倍として、前記ＳＤ−ＯＣＴシステムが要求するスペクトル形状に制御する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に載置された発光素子１０と、発光素子１０を被覆する封止部材３と、を備える発光装置１００であって、封止部材３は、蛍光体４と、複数の透明部材５とを含有し、透明部材５は、発光素子１０上に設けられ、各透明部材５の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体４の粒径の１倍を超え３倍未満であり、透明部材５の含有量が、封止部材３に対して１０〜７８体積％であり、透明部材５と蛍光体４との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、蛍光体４は、発光素子１０からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が積層された半導体層と、前記ｎ型半導体層に接続されたｎ側電極と、前記ｐ型半導体層上にｐ側透光性電極を有し、該ｐ側透光性電極に接続されたｐ側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極を囲むように形成されたｐ側延伸部とｐ側パッド電極とを有し、前記ｎ側電極は、ｎ側パッド電極と、前記ｐ側パッド電極方向に延びるｎ側第１延伸部と、を有し、前記ｐ側延伸部は、前記ｐ側パッド電極から延伸するｐ側第１延伸部と、前記ｐ側第１延伸部から延伸するｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第２延伸部から分岐して延伸するｐ側第３延伸部と、前記ｐ側第３延伸部から延伸するｐ側第４延伸部と、を備え、前記ｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第４延伸部と、前記ｎ側第１延伸部とが平行である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板を電流経路として有効利用した発光ダイオード素子を用いて、高信頼性化および発光効率の向上を図った発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、下記（Ａ）の発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子に印加される電流が最大電流Ｉ_ｍａｘを超えないように制御する制御回路と、を備え、（ａ）Ｉ_ｍａｘ／Ａ_Ａ≧２２０〔Ａ／ｃｍ^２〕；かつ（ｂ）下記（Ａ）の発光ダイオード素子のＩ−Ｖ曲線が、２０（ｍＡ）〜Ｉ_ｍａｘ（ｍＡ）の範囲内に、該曲線の傾きの変化率が減少から増加に転じる点を有さない、ことを特徴とする。（Ａ）活性層を含む複数のＧａＮ系半導体層を有する積層構造がＧａＮ系半導体基板の主面上に設けられ、ｎ側電極が該ＧａＮ系半導体基板の表面または該ＧａＮ系半導体基板上に積層されたコンタクト層の表面の一部に形成され、該ｎ側電極の面積Ａ_Ｅが該活性層の面積Ａ_Ａの２０％以下である、発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第１から第３の電極とを含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子と、蛍光体を含む波長変換層との組み合わせにより所望の発光色の混合光を得る半導体発光装置において、発光素子の発光面内における不均一な輝度分布または不均一な発光波長分布に起因する混合光における色ムラを抑制することができる半導体発光装置、およびこのような半導体発光装置を備えた車両用灯具を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、発光動作時における発光層内の電流密度に不均一性を有する。波長変換層６０ｓ，６０ｌは、発光動作時における発光層内の電流密度の不均一性に起因する光取り出し面内における混合光の色度差を減じるように、半導体発光素子の発光動作時の電流密度が相対的に高い領域を覆う部分と電流密度が相対的に低い領域を覆う部分で異なる波長変換特性を有する。 （もっと読む）

【課題】外部から接続用の電極に応力がかかっても、半導体層を被覆する絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１３及びｎ型半導体層１２とｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８はそれぞれ中間配線１９，１５で接続している。さらに絶縁層１４のｐ側及びｎ側の開口部１９ａ，１５ａとｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８とは平面的に重ならない。この結果、開口部１９ａ，１５ａには応力が集中しなくなり、開口部１９ａ，１５ａにおける剥離が起きにくくなる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半導体層の厚さを減少させ、発光素子の光抽出効率を改善しようとすること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下部に位置し、第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、第１の電極層と第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層とを備え、第１の導電型半導体層は、第１の領域と、第１の領域と区分され、第１の領域より高さの低い第２の領域とを有し、第１の領域は前記接触電極と重畳されている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）