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【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子11と受光素子12とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子11から放出された光を微細な棒状受光素子12で受光することによって、微細な棒状受光素子12の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子11と微細な棒状受光素子12との対を非常に微細にして、電子デバイス10を非常に微細化することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】基板101の上に、直径が5nm以下の粒子径の金属微粒子102を形成する。次に、金属微粒子102を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ103を形成する。次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層104を、ナノワイヤ103を覆って形成することで柱状のナノピラー105を形成する。半導体層104は、ナノワイヤ103の側面および上面を覆って柱状に成長する。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードのサイズが小さい場合や発光ダイオードの接続個数が多い場合にも製造が容易になり製造コストが抑えられる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置では、第1の電極1にアノードが接続され、第2の電極2にカソードが接続された発光ダイオード5,7と、第1の電極1にカソードが接続され、第2の電極2にアノードが接続された発光ダイオード3,4,6とが混在して配置され、交流電源10によって第1の電極1と第2の電極2との間に交流電圧を印加して複数の発光ダイオード3〜7を駆動する。第1,第2の電極1,2間に接続する複数の発光ダイオード3〜7を極性を揃えて配列する必要がないので、製造時に複数の発光ダイオードの極性(向き)を揃える工程が不要となり製造工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】窒化物基板上に形成された、特定の平面形状を有する半導体発光素子において理想的な光取り出しを、簡便な作製プロセスで実現可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物基板と、ピーク発光波長λの光を発する活性層構造を含み前記窒化物基板の主面上に形成された半導体層部とを有し、式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
式 Lsc×tan{sin−1(1/n(λ))}≦t
(但し、tは、前記窒化物基板の最大物理厚みを表し、
scは、前記窒化物基板主面の任意の2点の作る最も長い線分長を表し、
(λ)は、前記窒化物基板の波長λにおける屈折率を表す。) (もっと読む)


【課題】本発明は偏光性を有する半導体発光素子に関する。
【解決手段】半導体発光素子40は、第1導電型半導体層44、活性層46及び第2導電型半導体層48が積層された半導体構造物を含む半導体発光素子において、上記半導体構造物は上記第2導電型半導体層から少なくとも活性層に至るまでの深さを有するように一定方向に沿って配列された複数の溝領域により形成された複数の光ガイド部Gを含み、上記複数の光ガイド部は長さ方向に該当する偏光成分が選択的に放出されるようにその幅より大きい長さを有する。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造できて、高精細な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁性フレキシブル基板1と、絶縁性フレキシブル基板1上に形成され、絶縁性フレキシブル基板1の横方向に沿って延びる複数の行配線2,2,…と、絶縁性フレキシブル基板1上に形成され、絶縁性フレキシブル基板1の縦方向に沿って延びる複数の列配線3,3,…と、絶縁性フレキシブル基板1上にマトリクス状に配置された棒状赤色LED素子6A、棒状緑色LED素子6Bおよび棒状青色LED素子6Cとを備えている。棒状赤色LED素子6A、棒状緑色LED素子6Bおよび棒状青色LED素子6Cは、それぞれ、幅に対する長さの比が5以上かつ400以下であり、かつ、その長さが0.5μm以上200μm以下である。 (もっと読む)


【課題】発光時の温度上昇を抑制しつつ発光を分散させることにより、明るさのばらつきが少なくかつ長寿命で高効率な発光装置を提供する。
【解決手段】1個当たりの発光面積が2,500πμm以下の複数の棒状構造発光素子210を同一の絶縁性基板200の実装面上に100個以上配置する。 (もっと読む)


【課題】装置への実装の自由度が高い微細な棒状構造発光素子を製造できる棒状構造発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】IPA(イソプロピルアルコール)水溶液中に基板101を浸し、例えば数10KHzの超音波を用いて基板101を基板平面に沿って振動させることにより、基板101上に立設する半導体コア11の基板101側に近い根元を折り曲げるように、半導体コア11および絶縁体13に対して応力が働いて、半導体コア11が基板101から切り離される。こうして、基板101から切り離なされた複数の微細な棒状構造発光素子1を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】発光出力を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子1は、第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層とに挟まれる活性層105とを有する半導体積層構造10と、半導体積層構造10の一方の面に設けられる中心電極と、中心電極の外周から延びる細線電極とを有する表面電極110と、半導体積層構造10の他方の面の表面電極110の直下を除く部分に細線電極に沿って平行に設けられ、細線電極との間の最短の電流経路である第1電流経路を形成する複数の第1領域と、複数の第1領域を接続する第2領域とを有するコンタクト部120とを備え、表面電極110とコンタクト部120との間の最短の電流経路は第1電流経路であり、第1電流経路の割合が、第1電流経路を除く表面電極110とコンタクト部120との間の電流経路である第2電流経路の割合より大きい。 (もっと読む)


【課題】本発明は半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、n型及びp型半導体層と、これらの間に形成された活性層、及び前記n型及びp型半導体層のうち少なくとも1つと上記活性層の間に形成され、金属粒子及び絶縁物質を具備するが、上記金属粒子が上記絶縁物質により上記n型及びp型半導体層のうち少なくとも1つの方向に密封された構造であり、上記n型及びp型半導体層のうち少なくとも1つと上記活性層の間の電気導通のための導電性ビアを具備する表面プラズモン層を含む半導体発光素子を提供する。
本発明によると、表面プラズモン共鳴を利用して発光効率が向上された半導体発光素子を得ることができる。特に、本発明による半導体発光素子を使用する場合、表面プラズモン共鳴のために採用される金属が活性層の内部に拡散されることを最小化することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体発光素子を発光面に対し垂直方向に3次元集積した際、各半導体発光素子の結合効率を向上させ、漏れ光を防止する。
【解決手段】各半導体発光素子10−1〜10−3は、屈折率差を設けた平坦化層30−1,30−2を介して、分子間力を用いて集積化され、且つ、平坦化膜31−1,31−2は発光領域上に形成されており、その屈折率は発光領域外に形成された平坦化膜32−1,32−2より大きい。そのため、平坦化膜31−1,31−2の下層に設けられた半導体発光素子10−1,10−2から放射される光は、平坦化膜31−1,31−2を導波路として伝搬され、平坦化膜31−1,31−2上に集積化された半導体発光素子10−2,10−3に入射される。 (もっと読む)


【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Si基板4の一部領域にトレンチ11を形成し、そのトレンチ11内にさらにナノコラム2の化合物種結晶膜であるAlN層12を形成した後にナノコラム2を成長させることで、前記AlN層12の有る領域は、それが無い壁13上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ11と壁13との段差を吸収して、p型層14の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ11の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 (もっと読む)


【課題】表示装置としての発光効率の向上および表示ムラの低下。
【解決手段】マトリクス(行列)状に形成された複数の画素を有する表示装置であって、前記表示装置は、基板30、複数の画素電極32、および対向電極37を有し、各画素は、1つの画素電極32と、対向電極37と、複数の粒子状発光ダイオード22とを備え、複数の粒子状発光ダイオード22は、前記1つの画素電極32の上にランダムに散布されており、複数の粒子状発光ダイオード22の各々は、III族−V族窒化物からなる結晶性半導体からなり、この結晶性半導体が、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体からなる。 (もっと読む)


【課題】装置が大型化することなく、且つ、高輝度、高均斉度で色ムラが少なく表示品質を高いものとする。
【解決手段】バックライトユニット1では、青色LED5B、緑色LED5G、赤色LED5Rから光が出射される。この際、赤色LED5Rは、逆ピラミッド型の発光素子であり、発光効率が良いものとなっている。このため、配線基板6及びコリメータレンズ9の格納部15の壁面で反射され迷光が発生する虞がある。このような迷光は、コリメータレンズ9の格納部15を形成する各壁面に形成した光吸収部16により吸収されて赤色の迷光が強くなることが防止され、また、コリメータレンズ9により、相対的に赤色LED5Rからの出射光が多かった光源部近傍の発光面部材4において、青色LED5B及び緑色LED5Gからの出射光を増加させるため、色ムラが確実に抑制される。 (もっと読む)


【課題】装置が大型化することなく、且つ、高輝度、高均斉度で色ムラが少なく表示品質を高いものとする。
【解決手段】バックライトユニット1では、青色LED5B、緑色LED5G、赤色LED5Rから光が出射される。この際、赤色LED5Rは、逆ピラミッド型の発光素子であり、発光効率が良いものとなっている。このため、配線基板6及びコリメータレンズ9の格納部15の壁面で反射され迷光が発生する虞がある。このような迷光は、コリメータレンズ9の格納部15を形成する各壁面に形成した光吸収部16により吸収されて赤色の迷光が強くなることが防止され、また、コリメータレンズ9により、相対的に赤色LED5Rからの出射光が多かった光源部近傍の発光面部材4において、青色LED5B及び緑色LED5Gからの出射光を増加させるため、色ムラが確実に抑制される。 (もっと読む)


【課題】ナノデバイス、これを含むトランジスタ、ナノデバイス及びこれを含むトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ナノデバイスは、i)基板、ii)基板上に位置し、一つ以上の開口部を有するマスク層、及びiii)開口部の周縁に沿って基板の板面に実質的に垂直の方向に伸びたナノ壁またはナノチューブを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体発光装置自体の光量を向上させることができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置1Aにおいて、第1主面M1及び第1主面M1に対向する第2主面M2を有する基材2と、第1主面M1上に設けられた第1発光層3と、第2主面M2上に設けられた第2発光層4とを備える。 (もっと読む)


【課題】所定の間隔を離して基板上に立設された複数のナノワイヤを簡易かつ適切に形成できる発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子100は、基板1と、基板1上に配された複数の絶縁薄膜9A、および、基板1の表面が露出している複数の開口部9Bからなるパターン層9と、基板1側から第1導電型の半導体層2、半導体発光層4、および、第2導電型の半導体層5をこの順に含み、パターン層9の開口部内9Bにおいて基板1に立設している複数のナノワイヤ20と、パターン層9を上方から覆うようにして、ナノワイヤ20間の隙間に配された透明絶縁層8と、複数のナノワイヤ20の第1導電型の半導体層3に電気的に接続された第1電極2と、複数のナノワイヤ20の第2導電型の半導体層5に電気的に接続された第2電極6と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ナノコラムLEDにおいて、高効率で高品質なLEDを実現する。
【解決手段】n型電極となる導電性のシリコン基板3に凹所4を形成するとともに、その凹所4の側壁に第1の絶縁膜5を形成した後、ナノコラム2を成長させ、そのp型GaN層2cの成長の際に、その径を拡大させて一体化させ、外周縁部分を凹所4の内周面4aの第1の絶縁膜5と密着させて該凹所4内を気密に封止する。したがって、ナノコラム2を真空状態のまま外気に曝さずにでき、ナノコラム2の表面に異物が付着し、リーク電流が流れることによる効率低下を防止できる。こうして、高効率で高品質なLEDを実現できる。また、p型GaN層2c上の薄膜電極6を凹所4の周縁の側壁上面まで引出し、その部分にp型パッド電極17を形成するので、充分な強度でワイヤボンディングを行っても、ナノコラム2にダメージを与えることはなく、ボンディング条件を最適に選択できる。 (もっと読む)


【課題】 N型半導体層11と、該N型半導体層11の領域の一部に不純物を拡散して形成されるP型半導体層12とを有する半導体装置において、接続配線の乗り越えによる接続配線の断線を防ぐこと。
【解決手段】 P型半導体層12は素子側面の一部に至るまで形成され、P側電極14は、P型半導体層12が形成される素子側面の一部に接続され、N側電極13は、N型半導体層11が形成される素子側面の一部に接続される。 (もっと読む)


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