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Fターム[5F041CB11]の内容

発光ダイオード (162,814) | LED形式 (4,083) | 素子構造 (4,083) | メサ型 (341)

Fターム[5F041CB11]に分類される特許

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【課題】m面GaN基板の裏面に形成された低接触抵抗のn側電極を有するGaN系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】GaN系発光ダイオードの製造方法は、n型導電性のm面GaN基板である基板110と、基板110上にエピタキシャル成長したGaN系半導体からなりpn接合型の発光構造を含むエピ層120と、を有するエピウェハを準備する第1ステップと、前記エピウェハに含まれる基板110の裏面をポリッシングする第2ステップと、前記第2ステップでポリッシュされた基板110の裏面全体にn側オーミック電極を形成する第3ステップと、前記第3ステップで形成された前記n側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第4ステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、積層体と、第1電極と、第2電極と、反射層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、主面を有する。前記積層体は、第1半導体層と、発光部と、第2半導体層と、を含む。前記第1半導体層は、前記主面上に設けられ、第1部分と、前記第1部分と並置された第2部分と、を有し、第1導電形である。前記発光部は、前記第2部分上に設けられる。前記第2半導体層は、前記発光部上に設けられ第2導電形である。前記第1電極は、前記第1半導体層の前記第1部分上に設けられる。前記第2電極は、前記第2半導体層上に設けられる。前記反射層は、前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性である。 (もっと読む)


【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ10は、p型の半導体基板12と、p型の第1の半導体層16と、量子井戸構造20と、キャリアブロック調整層24を含むn型の第2の半導体層22と、p型の第3の半導体層26と、n型の第4の半導体層28と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極30と、第4の半導体層28上に形成された上部電極32と、ゲート電極34とを有する。キャリアブロック調整層のバンドギャップは、正孔に対するエネルギーレベルが量子井戸構造のバリア層のエネルギーレベルよりも高くなるように調整される。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】n型半導体層12と発光層13とp型半導体層14とがこの順に積層された半導体層10と、p型半導体層14上に形成された第1透明導電層15aと、第1透明導電層15a上に部分的に形成された金属反射層2aと、金属反射層2a上を覆うように形成された第2透明導電層15bと、金属反射層2aと平面視で重なる位置の第2透明導電層15b上に形成された正極17とを備え、第1透明導電層15aおよび第2透明導電層15bが、Inを80質量%以上含む半導体発光素子1とする。 (もっと読む)


【課題】高い駆動電圧による破損を防止できる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る発光素子は、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域に区分される発光構造物と、前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第1電極と、前記複数の発光セルの下に配置された第1導電層と、前記第1導電層の下に配置された少なくとも一つの第2導電層と、前記第1導電層同士の間、及び前記第1導電層と前記少なくとも一つの第2導電層との間に配置された第1絶縁層と、前記第1電極と前記少なくとも一つの第2導電層とを接続させた接続電極とを備え、前記第2導電層と前記接続電極との接続により前記発光セルは互いに直列接続する。 (もっと読む)


【課題】
電極の周囲で保護膜のみを透過する光と、さらにその外周で層間絶縁膜と保護膜とを透過する光が存在する場合でも、光の干渉が比較的起こりにくく発光効率が比較的高い光学素子および光学素子アレイを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子は、半導体層部の上面のうち第2の絶縁膜に被覆された第1領域を介して出射される発光層からの光の位相と、半導体層部の上面のうち第1の絶縁膜および第2の絶縁膜に被覆された第2領域を介して出射される発光層からの光の位相とが、第2領域の表面を含む仮想平面で同位相となっている。 (もっと読む)


【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたpnpn構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたpn接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTn、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 (もっと読む)


【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップCは、基板80上に列状に配置された複数の発光サイリスタL1〜L128と、それぞれの発光サイリスタLの光を出射する発光面311に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタLが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタLに発光のための電流が供給される配線のφI端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ90を備えている。 (もっと読む)


【課題】n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供する。
【解決手段】GaN系LED素子100は、複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体120を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層123と、p型導電層123の底面側に配置された活性層122と、p型導電層123とで活性層122を挟むように配置されたn型導電層121とが含まれ、p型導電層123の上面にはp側電極が設けられ、p型導電層123側に一部露出したn型導電層121の表面にはn側電極が設けられる。該n側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該n側電極の該接続部とn型導電層121との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】薄型の発光装置を実現することができる半導体発光素子及び該半導体発光素子を備える発光装置を提供する。
【解決手段】第1の電極51は、抵抗層(R1)を介して1組の半導体発光層(LED1、LED2)の相互に接続されたn型半導体層及びp型半導体層の一方に接続してある。また、第2の電極52は、抵抗層(R4)を介して当該1組の半導体発光層(LED1、LED2)の相互に接続されたn型半導体層及びp型半導体層の他方に接続してある。また、第1の電極51は、抵抗層(R2)を介して1組の半導体発光層(LED3、LED4)の相互に接続されたn型半導体層及びp型半導体層の一方に接続してある。また、第2の電極52は、抵抗層(R3)を介して当該1組の半導体発光層(LED3、LED4)の相互に接続されたn型半導体層及びp型半導体層の他方に接続してある。 (もっと読む)


【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、Vピット発生層と、中間層と、多重量子井戸発光層と、p型窒化物半導体層とがこの順で設けられたものである。多重量子井戸発光層は、バリア層と該バリア層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを交互に積層して構成された層である。多重量子井戸発光層には部分的にVピットが形成されており、Vピットの始点の平均的な位置は中間層内に位置する。 (もっと読む)


【課題】LEDのサイズを変えることなく発光サイズを小さくすることができ、また発光サイズを任意に切り替えることが可能となるLED素子を提供する。
【解決手段】LED素子であって、
基板上に、キャリヤ制御層、下部電流閉じ込め層、活性層、上部電流閉じ込め層がこの順で積層された積層構造を備え、
p型電極が前記上部電流閉じ込め層上に設けられ、
前記基板の面内方向において、2つのn型電極が前記p型電極を挟むようにして前記キャリヤ制御層に配設され、
前記p型電極と前記2つのn型電極のいずれか一方のn型電極間に通電することにより、LED発光面の通電したn型電極側を発光させる一方、
前記p型電極と前記2つのn型電極間に同時に通電することにより、LED発光面の全面を発光させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】発光波長に応じて発光層の障壁層のAl組成比を最適化して、発光効率を向上させること。
【解決手段】InGaNからなる井戸層、AlGaNからなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を形成するに当たり、障壁層131のAl組成比をx(%)、障壁層131のバンドギャップエネルギーと井戸層130のバンドギャップエネルギーとの差をy(eV)として、12.9≦−2.8x+100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86、の範囲を満たすように井戸層130と障壁層131を形成する。あるいは、障壁層131のAl組成比をx(%)、井戸層130のIn組成比をz(%)として、162.9≦7.1x+10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2、の範囲を満たすように形成する。 (もっと読む)


【課題】順方向電圧の上昇を抑制し、且つ光取り出し効率を向上させたフリップチップ実装半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第2の導電型を有する第2の半導体層160が積層された積層半導体層と、第1の半導体層と接続する第1の電極と、第2の半導体層の表面に設けた第2の電極170と、を備え、第2の電極は、他の部分より膜厚が大きい複数の膜厚部を有し、光透過性を示す透明導電層171と、透明導電層上に積層され第1の屈折率を有し光透過性を示す第1の絶縁層と、第1の屈折率より高い第2の屈折率を有し光透過性を示す第2の絶縁層とを交互に積層して構成された多層絶縁層172と、多層絶縁層上に積層され導電性を有する金属反射層173aと、多層絶縁層を通して設けられ一端が透明導電層の膜厚部に電気的に接続され他端が金属反射層と電気的に接続される導体部176と、を含む。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板との間に空隙を形成する第1凹凸形状を有するバッファ層と、前記バッファ層の前記第1凹凸形状の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第1の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第1の処理材とは異なる第2の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させて、前記窒化物半導体層に前記第1凹凸形状を反映した凹第2凸形状を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第1半導体層と、発光層と、第2半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第1半導体層との間に設けられる。第2半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第2半導体層の側の第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有する。下地層は、第2主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第1主面に到達する転位の割合よりも低い。第1主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の第1部分の上に形成された層間絶縁膜と、前記窒化物半導体層の第2部分の上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の上に形成された層間絶縁膜及び電極と、を有する構造体の、前記層間絶縁膜及び前記電極の上に支持基板を接合した後、第1の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去する前記工程の後に、前記層間絶縁膜をエッチングストップ層として前記窒化物半導体層をパターニングする工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第1バッファ層と、前記第1バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第2バッファ層と、前記第2バッファ層上に形成される第3バッファ層と、前記第3バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第2バッファ層はボイドを含む。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系LEDの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第1工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第2工程と、該第2工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第3工程と、を有し、該第3工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系LEDの製造方法が提供される。 (もっと読む)


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