【課題】抵抗などの外部回路を設ける必要がなく、所望の明るさを得ることができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上には、発光用の半導体層のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）は、適宜の幅で基板１の１辺側に沿って配置してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍に第２ボンディング電極６２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）の第２ボンディング電極６２からの離隔寸法が異なる複数の箇所それぞれに、発光用のｎ型半導体層２に接続され、相互に電気的に分離した配線層６３１、６３２、６３３を接続してある。そして、配線層６３３を残し、他の配線層６３１、６３２をレーザ等で切断する。 （もっと読む）

【課題】同時点灯する複数の発光サイリスタのゲート間に流れる回り込み電流を略ゼロにして、発光出力の変動を防止する。
【解決手段】多数の発光サイリスタが配列され、これらが複数の組（例えば、偶数と奇数の組）に分けられ、各組の発光サイリスタ列が、複数のドライバ１８１により、各組毎に時分割に駆動されるプリントヘッドにおいて、同一組に属する発光サイリスタ列における各発光サイリスタのゲートを、複数の発光サイリスタのゲート間を電気的に分離するための分離回路としての個別のバッファ（例えば、１６３）を介して、共通配線ＧＬにそれぞれ接続して共通に駆動する構成になっている。そのため、同時点灯する発光サイリスタのゲート間に流れる回り込み電流を略ゼロにすることができる。これにより、回り込み電流が流れることで生じる発光出力の変動を防止できる。 （もっと読む）

【課題】発光領域が小さい光機能素子を低コストで提供する。
【解決手段】基板２上の透明薄膜４中に所定の間隔で所定の大きさの孔を配列したフォトニック結晶３１が形成され、フォトニック結晶導波路３０はこのフォトニック結晶の一部分に孔を形成しない領域を設けることによって形成されている。この導波路の下部に開口部が形成され、当該開口部が埋まるように窒化物半導体を基板上から透明薄膜の上側まで結晶成長させることによって発光素子１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】互いに視認性の異なる複数種類の光を発生させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１Ａは、レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂを、互いに同一の基板１１０上に備えたものである。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂの間には、イオン打ち込み層１０Ｃが設けられ、これによりレーザ素子部１０Ａへの電流狭窄がなされる。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。ＬＥＤ素子部１０Ｂでは、電流値に応じてリニアにＬＥＤ光が放出される。レーザ素子部１０Ａでは、電流値が比較的低い状態ではＬＥＤ光を放出される一方、電流値がある値を超えると、誘導放出によりレーザ光が放出される。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性基板上に成長させた貼り合わせタイプのＬＥＤ用エピタキシャルウェハの発光光度を評価することができ、また、測定精度を向上できるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの発光光度評価方法を提供する。
【解決手段】基板上に発光ダイオード（ＬＥＤ）構造４をエピタキシャル成長させて発光ダイオード（ＬＥＤ）用エピタキシャルウェハを作製し、そのＬＥＤ用エピタキシャルウェハの発光光度を、チップ化する前に評価する発光ダイオード用エピタキシャルウェハの発光光度評価方法において、基板１上に、フォトダイオード（ＰＤ）構造２、エッチストップ層３を順次エピタキシャル成長させ、そのエッチストップ層３上に、ＬＥＤ構造４をエピタキシャル成長させ、しかる後そのＬＥＤ構造４に電圧を印加してＬＥＤ構造４を発光させると共に、ＰＤ構造２でその光を検出して発光光度を評価する方法である。 （もっと読む）

電磁放射を放出し端子電極（１８，２０）に直接コンタクトするように形成された第１の活性半導体層（１２）と、電磁放射を放出し端子電極（１８，２０）に直接コンタクトするように形成された少なくとも１つの別の第２の活性半導体層（１４）とを有する放射放出デバイスにおいて、該第１の活性半導体層（１２）と該第２の活性半導体層（１４）とは相互に積層されて配置されていることを特徴とする、放射放出デバイス。
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発光デバイス及びそれを作製する方法が開示される。発光デバイスは、青色光又は紫外線を放射し、半導体構造体に取り付けられている発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む。半導体構造体は、ＩＩ〜ＶＩ族化合物の少なくとも１層を含み、放射された青色光又は紫外線の少なくとも一部分を、より長い波長の光に変換する再発光半導体構造体を含む。半導体構造体は、ＡｌＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓ化合物を含むエッチストップ構造体を更に含む。エッチストップは、ＩｎＰをエッチングできるエッチャントに耐えることができる。
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ＬＥＤ発光出力に関する平坦化された特徴を創出するためのシステムおよび方法が提供される。このシステムは、１つまたは複数の発光ダイオードを含むアレイと、ＬＥＤアレイに接続され、ＬＥＤアレイに駆動電流を提供する電源と、コントローラに接続されたタイマーであって、ＬＥＤアレイのオンタイムを記録し、ＬＥＤアレイのオンタイムをコントローラに通信するタイマーと、電源に接続されたコントローラであって、得られる相対発光出力が最初の相対発光出力とほぼ等しくなるように、タイマーから受け取られたオンタイムデータに基づいて、ＬＥＤアレイに提供される駆動電流の強度を調整するコントローラと、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】受光素子としての機能と発光素子としての機能とを併せ持つ受発光素子であって、製造が容易な受発光素子を提供する。
【解決手段】発光機能と光電変換機能とを有する受発光素子１００であって、基板１１上方に形成された有機層４と、有機層４に外部から電荷を注入するために、有機層４の両端間にバイアス電圧（以下、順バイアスという）を印加する順バイアス電源１０と、有機層４で発生した電荷を外部に取り出すために、有機層４の両端間に順バイアスとは極性が逆のバイアス電圧（以下、逆バイアスという）を印加する逆バイアス電源９と、逆バイアス印加時に有機層４で発生した電荷に応じた電流を検出する電流計８とを備え、有機層４が、順バイアス印加時に発光機能を有し、逆バイアス印加時に光電変換機能を有する有機材料で構成された層である。 （もっと読む）

発光装置１は、基台２と、基台２上に配置された発光素子３とを備えている。発光素子３は、発光層を含む複数の半導体層からなると共に、波長変換材料を含む波長変換部４によって覆われている。前記発光層は、１次光を放射し、前記波長変換材料は、前記１次光の一部を吸収して、２次光を放射する。発光素子３の光取出し面の縁部における前記１次光の輝度が縁部の内側の領域における前記１次光の輝度よりも高く、波長変換部４の光取出し面６から出射される前記１次光と前記２次光の割合が、波長変換部４の光取出し面６の面内で略均一である。これにより、発光素子を覆う波長変換部の光取出し面内での光色差をより小さくして、照射面を均一な色の光で照らすことができる。
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本発明は、少なくとも１つの第１のビーム形成アクティブ層と、少なくとも１つの第２のビーム形成アクティブ層とを備えるＬＥＤ半導体ボディがであって、前記第２のアクティブ層は垂直方向に前記第１のアクティブ層の上に積層されており、かつ当該第１のアクティブ層（２）と直列に接続されているＬＥＤ半導体ボディを開示する。ここでは、前記第１のアクティブ層と前記第２のアクティブ層は、コンタクトゾーンによって導電接続されている。さらに本発明は、ＬＥＤ半導体ボディの使用法を開示する。
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本発明は、放射を発生する少なくとも１つの第１の活性層（３１）と、放射を発生する少なくとも１つの第２の活性層（３２）を備えたＬＥＤ半導体ボディ（１）に関する。本発明によればＬＥＤ半導体ボディ（１）にはフォトニック結晶（６）が設けられている。さらに本発明は、ＬＥＤ半導体ボディの使用法にも関する。
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第１放射生成活性層と第２放射生成活性層とを備え、第１放射生成活性層と第２放射生成活性層とが垂直方向に重なり合って配置されるＬＥＤ半導体本体について説明する。 （もっと読む）

【課題】 一対の端子のどちらからでも電流を流し得るように少なくとも２個の発光部が逆並列に接続されて交流で駆動し得る半導体発光素子をとくに高周波成分を有するサージから保護することができるようにした半導体発光素子の具体的構造を提供する。
【解決手段】 一対の電極パッド１７ａ、１７ｂを有する発光素子チップ１が、両端部に一対の電極端子２１、２２が設けられた絶縁性基板２０の中心部に設けられ、その一対の電極端子２１、２２の少なくとも一方との間の絶縁性基板２０に絶縁性のポール３１が設けられ、発光素子チップ１の一対の電極パッドの一方と絶縁性のポール３１が設けられた側の電極端子２１とを接続するがワイヤ２３が、ポール３１に複数回巻き付けられることによりコイル部３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】保護ダイオードを伴なった半導体発光装置の小型化及び低コスト化が要求されている。
【解決手段】導電性基板１と発光ダイオード半導体領域２及び保護ダイオード半導体領域３とを貼合せ金属領域５を介して貼合せる。保護ダイオード半導体領域３と導電性基板１との間に絶縁層４を配置する。発光ダイオード半導体領域２のｐ型半導体層１４を基板１に接続し、保護ダイオード半導体領域３のｎ型半導体層１９を接続導体８を介して基板１に接続する。発光ダイオード半導体領域２のｎ型半導体層１６と保護ダイオード半導体領域３のｐ型半導体層１７とを第１の電極６に接続する。 （もっと読む）

【課題】インコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示し、従来のSLDと比較してさらに出力の高いスーパールミネッセントダイオードを得る。
【解決手段】スーパールミネッセントダイオード10を、１つの基板11上に、複数の導波路型発光領域16ａ〜16ｄと、一端が基板11に垂直な出射端面12まで延びる１本の導波路13と、複数の導波路型発光領域16ａ〜16ｄの各々の出力光を合波し、導波路13に導く合波器14とを設けてなる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 スキャナ等の撮像ユニットに使用されるのに適したライン光源の良否判定方法を提供する。
【解決手段】 複数の発光素子が配列されたライン光源と、撮像素子と、該撮像素子からの出力を増幅するための第１ゲイン手段と、前記撮像素子からの出力を部分的に増幅するための第２ゲイン手段とを備える撮像ユニットを用い、ライン光源を発光させるステップと、検査用撮像素子によってライン光源の発光を受光してその発光量分布を検出するステップと、前記第１ゲイン手段と前記第２ゲイン手段とを用いて、前記検査用撮像素子によって求められた発光量分布に対応する出力のバラツキを補正しつつ目標発光量に対応する出力にまで増幅したと仮想した場合に必要となる第１仮想ゲイン値及び各第２仮想ゲイン値を算出するステップと、前記算出された第１仮想ゲイン値及び各第２仮想ゲイン値に基づいてライン光源の良否を判定するステップとを備える。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】 光の進路をコンパクトに方向変換する光導波路装置、及び、その光導波路装置と他の光部品（発光素子、受光素子、光ファイバ、或いは光導波路など）とを位置合わせして基体に位置固定し、光学的に結合した光結合装置を提供すること。
【解決手段】 クラッド２とコア３との接合体からなる光導波路１の両端面４と５を、４５度に傾斜した反射面に形成する。一方の端面４に対向して、支持体１２のＶ字溝１４によって調芯された光ファイバ８を配置し、その端面を光導波路主面６に接着固定して、光導波路１と光ファイバ８との光結合を形成する。他方の端面５には、面型の受発光素子４６を対向配置する。光導波路１と受発光素子４６との位置合わせは、光導波路１の下部クラッドに設けた嵌合用凸部１１と、実装基板４１に設けた嵌合用凹部４２との凹凸嵌合によって行い、これを補助するガイドピン１３とガイド孔４３を、支持体１２と実装基板４１に設ける。 （もっと読む）