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【課題】白色光、又は、カラー光を生成する単一の蛍光体層光素子を提供する。
【解決手段】光素子は、白色光を含むフルスペクトル光線(full spectrum of lights)を生成する。この光素子は、基板上で成長された二個、或いは、それ以上のLEDを含み、各LEDは、個別に制御されて、異なる波長の光線を生成する。発光構造は基板上に形成され、エッチングにより、発光構造を異なる部分に分離され、二個、或いは、それ以上のLEDに割り当てられる。少なくとも一つのLEDは、蛍光材料が塗布され、この結果、発光構造が同じ波長の光を発光している場合にも、LEDから異なる波長の光が生成される。 (もっと読む)


【課題】半導体製造技術を用いてガラス基板上にLEDを直接形成し、薄型でありかつ輝度ムラの少ない線光源に近いLEDバックライトのパネルモジュールを提供する。
【解決手段】光源としてLED13を用いたサイドライト方式バックライトを備えたパネルモジュールにおいて、パネルモジュールを構成するガラス基板11上に半導体製造プロセスを用いて直接形成した薄膜型のLED13を有する。LED13は樹脂48で封止される。パネルモジュールを構成するTFT基板のTFTが形成された面の裏側ガラス面上に、LED13がディスプレイ部分の周囲を取り囲むように形成される。 (もっと読む)


【課題】 ナノワイヤを用いた発光素子を有し、その側壁発光の基板への入射を簡易な構成により抑制することが可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】 基板1と、基板上に形成された絶縁膜2と、絶縁膜上に形成された第1導電型のSiC膜3と、SiC膜上に形成された、第1導電型の半導体層5と、発光層6と、第2導電型の半導体層7とが順に積層されてなる複数の柱状結晶構造体8と、SiC膜上に形成された第1導電型側電極11と、複数の柱状結晶構造体の上に形成された第2導電型側電極9と、を有する発光素子100と、を備え、絶縁膜2の屈折率がSiC膜3の屈折率と異なっており、絶縁膜2の厚さが、発光層6の発光波長を、絶縁膜2の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さであり、SiC膜3の厚さが、発光層6の発光波長を、SiC膜3の屈折率の3倍以上かつ5倍以下の数値で割った厚さである。 (もっと読む)


少なくとも1つの固体発光デバイスを含むモノリシックダイと、このダイの発光領域の一部分を覆う少なくとも第1の発光体とを備える光放射源。いくつかの実施形態では、少なくとも第2の発光体がダイ上に形成される。第1の発光体は、第1のパターンの発光体の一部分であることがあり、および/または、第2の発光体は、第2のパターンの発光体の一部分であることがある。第1の発光体と第2の発光体は、蛍光物質、サイズ、形および/または蛍光物質の濃度の点で異なることがある。発光体は、完全にまたは部分的に重なることがあり、または全く重ならないことがある。いくつかの実施形態は、それぞれの固体発光デバイスを電気的に接続するための電気相互接続を備える。また、光放射源は、各々発光デバイスのグループおよび少なくとも1つの発光体を含むユニットセルを備える。光放射源を製作する方法は、少なくとも1つの発光体をモノリシックダイに選択的に塗布することを含む。
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【課題】本発明は、MOVPE選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。
【解決手段】半導体結晶基板;前記基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ前記2以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜;前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p−n接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記2以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレー。 (もっと読む)


光放出システム及びその製作方法が開示される。光放出システムは、2つ以上のモノリシック集積化発光素子を包含する。各発光素子は、エレクトロルミネセントデバイスと、エレクトロルミネセントデバイスを駆動する専用のスイッチング回路とを包含する。少なくとも1つの発光素子は、発光素子内のエレクトロルミネセントデバイスによって放出された光を下方変換するポテンシャル井戸を包含する。 (もっと読む)


【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。
【解決手段】先ず、図1(a)で示すように、Si基板1上に種結晶層となるAlN膜2を蒸着する。次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO薄膜3を蒸着し、ナノコラム5を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でAlN膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。したがって、図1(c)で示すようにGaNナノコラム5が成長すると、SiOをナノコラム5間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】偏光光を取り出すことができ、その発光波長の制御も容易な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】GaN基板1は、c面以外の主面(たとえばm面)を持つ。このGaN基板1上に、有機金属化学気相成長法によって、GaN半導体層2が形成される。GaN半導体層2は、GaN基板1側から順に、N型コンタクト層21、第1量子井戸層22、GaNファイナルバリア層25、P型電子阻止層23、P型コンタクト層24、および第2量子井戸層26を積層した積層構造を有している。第2量子井戸層26は、第1量子井戸層22よりも発光波長が長い。 (もっと読む)


本発明は、端面放射型発光ダイオードアレイ、端面放射型発光ダイオードアレイを製造する方法、および該方法によって製造されたプロセス生成物を対象とする。端面放射型発光ダイオードは、(a)少なくとも1つの突起部をその上に含む基板と、(b)該突起部の少なくとも1つの表面に共形的に接触する第1の伝導層と、(c)該第1の伝導層に共形的に接触する活性領域であって、該活性領域は、それらの間に界面境界を有するp型部分およびn型部分を備えている、活性領域と、(d)該活性領域に共形的に接触する第2の伝導層とを備えている端面放射型発光ダイオードであって、該活性領域は、正孔および電子が該活性領域内で結合する場合にインコヒーレント光を放射し、該インコヒーレント光は、該発光ダイオードから、該基板の平面と平行ではない方向に放射される。
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【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板21上に形成された複数の発光ユニット11を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶成長層24、25、26、第一および第二導電型側電極27、28を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士が、薄膜結晶成長層の表面から前記バッファ層22の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝12により電気的に分離されている。 (もっと読む)


【課題】発光特性に優れた発光素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜16に形成された第1の凹部又は開口部16aと、第1の凹部又は開口部16aの周囲に位置する絶縁膜16上、並びに第1の凹部又は開口部16a内に位置し、第1の凹部又は開口部16aと共に第2の凹部17aを形成する第1の電極17と、第1の電極17上に形成され、第2の凹部17aと共に第3の凹部18aを形成する第1導電型の半導体層18と、第1導電型の半導体層18上に形成され、第3の凹部18aと共に第4の凹部19aを形成する発光層19と、発光層19上に形成され、第4の凹部19aと共に第5の凹部20aを形成する第2導電型の半導体層20と、第5の凹部20aの底面及び側面を構成する第2導電型の半導体層20上に形成された第2の電極21とを具備する。 (もっと読む)


発光デバイスは、発光中心、たとえば、半導体ナノ粒子を有する広バンドギャップ材料を有する、基板上に堆積された1つまたは複数の活性層を有する活性層構造を含む。活性層構造から光を実際に取り出すために、透明電極が、活性層構造を覆って配設され、ベース電極が、基板の下に設置される。活性層構造の上部層より高い導電率を有する遷移層は、上部透明電極と活性層構造との間、および、活性層構造と基板との間の接触領域に形成される。したがって、活性層構造に関連する高電界領域は、接触領域から後方に離れるように移動し、それにより、透明電極と、活性層構造と、基板との間に流れる所望の電流を生成するのに必要な電界が減少し、また、大きな電界の関連する有害な作用が低減される。
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【課題】発光効率が高く、演色性が高い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】基板1上に設けられた第1導電型半導体からなる第1半導体層4と、第1半導体層上に設けられた第2導電型半導体からなる第2半導体層8と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられ、第1および第2半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドット6aを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層6と、を備えている。 (もっと読む)


単結晶シリコンおよび単結晶非シリコン材料と、デバイスとをモノリシックに集積化するための方法および構造が提供される。ある構造では、半導体構造は、シリコン基板と、シリコン基板を覆って配置された第1の単結晶半導体層とを含み、第1の単結晶半導体層は、緩和シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有する。半導体構造は、第1の領域内の第1の単結晶半導体層を覆って配置された絶縁層と、第1の領域内の絶縁層を覆って配置された単結晶シリコン層と、第2の領域内の第1の単結晶半導体層の少なくとも一部を覆って配置され、第1の領域には存在しない第2の単結晶半導体層とをさらに含む。第2の単結晶半導体層は、緩和シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有する。
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【課題】大型化することなく、複数の波長の光を発光させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光波長に対して透明な波長変換基板12上に発光部30を備え、発光部30で発生した光を波長変換基板12側から射出する。波長変換基板12は基板10(サファイア基板)の上に突状の複数の波長変換部11を有している。波長変換部11は、例えばSiO2 (酸化シリコン)からなる媒質部分13の内部に例えば1または複数の希土類元素を含んで構成された変換粒子14を分散したものである。発光領域19Aからの発光光のうち波長変換部11に入射した光は、波長変換部11の内部の変換粒子14によって波長変換されたのち、基板10側から射出される。これにより複数の波長の光が半導体発光素子から射出される。 (もっと読む)


【課題】より光抽出効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
発光波長に対して透明な光散乱基板12上に発光部30を備え、発光部30で発生した光を光散乱基板12側から射出する。光散乱基板12は基板10(サファイア基板)の上に突状の複数の光散乱部11を有している。光散乱部11は、例えばSiO2 (酸化シリコン)からなる媒質部分13の内部に例えばSi(シリコン)からなる多数の散乱粒子14を分散したものである。発光光は、光散乱部11の斜面で屈折したり、光散乱部11の内部の散乱粒子14により散乱されて臨界角未満の角度に変化する。これにより光抽出効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】 ナノSiの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 n型単結晶のシリコン基板10と、このシリコン基板10の一表面側に、シリコン基板10から分離して設けられ、このシリコン基板10と同一の結晶軸を持つナノSi(p型結晶シリコン)12と、シリコン基板10のナノSi(p型結晶シリコン)12が設けられた一表面側に形成される透明電極15と、このシリコン基板10の他表面側に形成される金属電極16とを備えた。
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集積発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。例示的な一実施形態では、この方法は、エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるpn接合を基板に生物学的に形成する工程を含む。別の例示的な実施形態では、発光ダイオードの製造方法を提供する。この方法は、pn接合材料に対して親和力を有する生物学的材料を基板に堆積する工程と、堆積した生物学的材料を第1のpn接合材料に露出してpn接合のドープ領域を形成する工程とを含む。さらに別の例示的な実施形態では、発光ダイオードを提供する。この発光ダイオードは、基板と、この基板に生物学的に形成し配置したpn接合とを含み、このpn接合にエネルギーを印加すると所定の色の光を発するものである。
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【課題】発光強度が大きく、占有面積を縮小化することが可能であり、しかも、半値幅の狭い発光波長を得ることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子30は、基体25上に形成された第1隔壁部31及び第2隔壁部32、第1隔壁部31の側壁31Bに形成された第1電極41、第2隔壁部32の側壁32Bに形成された第2電極42、並びに、基体25上であって第1電極41と第2電極42の間に形成された発光層50を備え、発光層50は、第1電極41と接する第1材料層51、第2電極42と接する第2材料層52、及び、第1材料層51と第2材料層52とによって挟まれた量子井戸層54から成り、第1材料層51及び第2材料層52の少なくとも一方の層には希土類原子53が含まれている。 (もっと読む)


【課題】 小型であり、かつ、色度を容易に調整できる発光装置を提供する。
【解決手段】 発光ダイオード12と発光ダイオード13とはノードW1とノードW2との間に並列に接続される。2つの発光ダイオードは、互いに一方の発光ダイオードのアノードが他方の発光ダイオードのカソードと電気的に接続される。駆動部11から発光ダイオード12,13の各々に対して交流電圧が印加されるので発光装置10は、2色(青色と緑色)の光と1色(赤色)の光とを交互に発することができる。よって1つの駆動回路で白色光を作り出すことが可能になるので発光装置の小型化や低コスト化が実現できる。 (もっと読む)


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