【課題】演色性の高い発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１０は、紫外線又は短波長可視光を発する半導体発光素子１８と、紫外線又は短波長可視光により励起され可視光を発光する第１の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光と補色の関係にある可視光を発光する第２の蛍光体と、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光のピーク波長と第２の蛍光体が発光する可視光のピーク波長との間にピーク波長を有する、可視光を発光する第３の蛍光体と、を備える。第３の蛍光体は、発光素子の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩａ、第１の蛍光体または第２の蛍光体の発光スペクトルのピーク波長における励起スペクトルの強度をＩｂとすると、Ｉｂ＜Ｉａ×０．１５を満たす。 （もっと読む）

【課題】薄型の発光装置を実現することができる半導体発光素子及び該半導体発光素子を備える発光装置を提供する。
【解決手段】第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ１）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ４）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ１、ＬＥＤ２）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。また、第１の電極５１は、抵抗層（Ｒ２）を介して１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の一方に接続してある。また、第２の電極５２は、抵抗層（Ｒ３）を介して当該１組の半導体発光層（ＬＥＤ３、ＬＥＤ４）の相互に接続されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層の他方に接続してある。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハベース工程の履歴情報を追跡し管理することができる半導体発光ダイオードチップ、その製造方法及びこれを利用した品質管理方法を提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードチップは、基板１１と、当該基板の一領域に形成され、第１及び第２の化合物半導体層１２ａ，１２ｂと当該第１及び第２の化合物半導体層間に形成された活性層１２ｃとを有する発光積層体と、当該第１及び第２の化合物半導体層にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極とを備える発光ダイオードＬＤと、上記基板の他の領域に上記発光ダイオードから電気的に絶縁されるように形成され、それぞれのウエハベース工程の履歴情報に対応する固有の電気的特性値を有する回路部と、当該電気的特性値を測定できるように当該回路部に連結された複数の電極パッド１７とを備える少なくとも一つのヒューズシグネチャ回路Ｓ４，Ｓ５とを含む。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】列状に配列された複数の発光素子において、列方向の長さと列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する発光素子から光を効率よく取り出す。
【解決手段】発光部１０２を構成する発光サイリスタ列のそれぞれの発光サイリスタＬの発光領域３１１は、点灯信号線７５の２つの主部７５ａおよび２つの副部７５ｃで取り囲まれている。接続部７５ｄは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、２つの副部７５ｃの一方と発光領域３１１上に設けられたｎ型オーミック電極３２１とを接続している。そして、副部７５ｃは、隣接する発光サイリスタＬの発光領域３１１の間の分離溝の中に設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子に印加される点灯のための電位の変動を抑制した発光チップを提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、書込サイリスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３、…を備える。転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…をそれぞれ番号順に２つをペアにしてそれぞれの間に結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…を備える。さらに、発光サイリスタＬが非点灯であるときに、点灯時に発光サイリスタＬに流れる電流と等しい電流が流れる擬似電流部１０４を備えている。擬似電流部１０４は、擬似発光サイリスタＬｄ、擬似書込サイリスタＭｄを備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗などの外部回路を設ける必要がなく、所望の明るさを得ることができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上には、発光用の半導体層のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）は、適宜の幅で基板１の１辺側に沿って配置してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍に第２ボンディング電極６２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）の第２ボンディング電極６２からの離隔寸法が異なる複数の箇所それぞれに、発光用のｎ型半導体層２に接続され、相互に電気的に分離した配線層６３１、６３２、６３３を接続してある。そして、配線層６３３を残し、他の配線層６３１、６３２をレーザ等で切断する。 （もっと読む）

【目的】
高性能な光デバイス及び電子デバイスが形成された光電子集積回路（ＯＥＩＣ）及びその製造方法を提供する
【解決手段】
透明基板及び前記ＳＯＩ基板のうち１の基板上に光素子形成層を形成して光素子層構造体を形成するステップと、上記透明基板及びＳＯＩ基板のうち上記１の基板とは異なる他の基板と上記光素子層構造体とをＳＯＩ基板のＳｉ基板を外側にして接合して接合体を形成するステップと、上記接合体のＳｉ基板を研磨して電子素子形成層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。また放熱性や生産性、実装面積効率を考えるとＬＥＤ素子及び保護素子を回路基板にフリップチップ実装することが好ましい。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたい。
【解決手段】回路基板１２上にフリップチップ実装されるＬＥＤ素子１３は、ｎ型半導体層２１に接続するｎ側バンプ２３とｐ型半導体層２２に接続するｐ側バンプ２４を備えている。このときｎ側バンプ２３から延出したアンダーバンプメタル層２３ａと、ｐ側バンプ２４から延出したアンダーバンプメタル層２４ａとが対向する領域にバリスタ２６が存在する。この結果バリスタ２６によりＬＥＤ素子１３の静電気対策がとられるため回路基板１２に保護素子が不要になった。 （もっと読む）

【課題】発光光量に優れたサイリスタ型発光素子及びプリントヘッドを提供する。
【解決手段】第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、第３半導体層１２３、第４半導体層１２２を基板上に順次形成する。第３半導体層１２３上にゲート電極を形成し、第４半導体層１２２上にカソード電極１４０あるいはアノード電極を形成する。第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、及び第３半導体層１２３は、ゲート電極領域とカソード電極領域の間にくびれ部１４３を備え、くびれ部１４３は、平面視においてゲート電極領域とカソード電極領域の端部を接続すべく形成される。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】クロック駆動回路の出力端子数の削減により、回路規模の削減と低コスト化を図る。
【解決手段】発光サイリスタ２１０のカソードがＬレベルにされると、アノード・カソード間には電圧が印加される。一方、自己走査回路１００における各サイリスタ１１１のゲートと、発光サイリスタ２１０の各ゲートとがそれぞれ接続されているため、サイリスタ１１１のゲート・カソード間にも電圧が印加される。この時、自己走査回路１００により発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを選択的にＨレベルとすることで、発光指令されている発光サイリスタ２１０がターンオンする。特に、クロック駆動回路８０の出力信号をＲＬ微分回路９０−１，９０−２で微分して、アンダシュート波形あるいはオーバシュート波形を生成しているので、クロック駆動回路８０の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒ数を削減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐電圧特性が向上した発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な発光素子部品、およびこれを備える発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１０は、支持基板２０と、支持基板２０の上面２０ａの上に設けられている、赤外の光を発する第１の発光部３０ａと、第１の発光部３０ａの上に設けられていて、赤外の光を透過する、可視の光を発する第２の発光部３０ｂと、第１の発光部３０ａおよび第２の発光部３０ｂの駆動を制御する駆動回路６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率を向上しつつ、小型な光源装置及び偏光変換素子を提供する。
【解決手段】光源装置１は、第１の波長の光を発する光源１１と、互いに直交する第１と第２の直線偏光成分のうちの第１の直線偏光成分を透過し、第２の直線偏光成分を反射する反射型偏光素子１６とを備え、光源１１からの第１の波長の光を用いて生じさせた第２の波長の光の第１の直線偏光成分のみを出射する。この光源装置１では、第１の波長の光を第２の波長の光に変換する波長変換素子１４と、第１の波長の光を透過し、第２の波長の光を反射するダイクロイックミラー１３とが、光源１１、ダイクロイックミラー１３、波長変換素子１４、反射型偏光素子１６の順となるように、光源１１と反射型偏光素子１６との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ光検出器の検出信号の強度を確認しながら調整を繰り返すという作業を行なわずに、テラヘルツ光学系のアライメントを容易に行なえるようにする。
【解決手段】テラヘルツ光発生器を、テラヘルツ光を透過する光透過性基板１と、光透過性基板１の第１の面に形成され、可視光を発光する発光素子２と、光透過性基板２の第２の面に形成され、テラヘルツ光を発生させる光伝導性アンテナ素子３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は温度センサパターンを備えた発光ダイオードチップとその製作方法を提供する。
【解決手段】本発明は基板と、前記基板上に成型した半導体構造と、前記半導体構造に隣接した絶縁層と、前記絶縁層に隣接した温度センサパターンとを備えている。その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。従って、該温度センサパターンは発光ダイオードチップの構造内に直接形成され、一層正確でリアルタイムな温度検知データを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】転送異常が生じにくい発光素子アレイ駆動装置、プリントヘッドおよび画像形成装置を提供する。
【解決手段】点灯終了時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｐ）を固定とし、点灯開始時点（期間Ｔ（Ｌ３）では時刻ｎ）を可変として、発光サイリスタの点灯期間ｔｃを変えることで光量補正を行う。次段の転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて、発光サイリスタＬ３を消灯しているので、例え、発光サイリスタＬ３の消灯によって、転送サイリスタＴ３がオフとなっても、転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位が直ちに変化せず、転送サイリスタＴ４をオンにするタイミングにおいて転送サイリスタＴ４がオンになるため、転送動作が正常に行われ、転送異常を生じにくい。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体複合装置を提供する。
【解決手段】半導体複合装置は、基板と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、集積回路及び第１の端子領域を有し、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の集積回路薄膜１０４と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子上から基板の表面を経由して集積回路薄膜１０４の第１の端子領域上に至る領域に設けられ、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子と集積回路薄膜１０４の第１の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０５と、個別配線層１０５下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）