【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²以下とし、加熱時間を６０秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し（Ｓ１）、ＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²以下として、透明導電膜上に第１の絶縁保護膜を形成し（Ｓ２）、ＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²より大きくして、第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁保護膜を形成する（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体積層体１５は、第１導電型の第１半導体層１２と、半導体発光層１３と、第２導電型の第２半導体層１４がこの順に積層されている。半導体積層体１５は、第２半導体層１４および半導体発光層１３を貫通して第１半導体層１２に到る複数の柱状のトレンチ１６を有している。複数の柱状のトレンチ１６は、周期的に配列されている。半導体発光層１３から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜２０が、トレンチ１６内に埋め込まれている。第１電極１８は、第１半導体層１２に電気的に接続されている。第２電極１９は、第２半導体層１４の上面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】活性層の端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造とを備えた発光素子。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供す
る。
【解決手段】 光を出射する発光部２と、前記発光部２の一方の主面Ｍ１側に設けられ、
蛍光体を含有する波長変換部８と、前記波長変換部８上に設けられている透明樹脂部９と
を備え、透明樹脂部９は、弾性率とショア硬さのうち少なくとも一方の値が波長変換部８
より高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させるとともに、容易かつ再現性良く製造可能な半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１３と、半導体積層構造１１〜１３の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり導電性を有する透明電極１４と、透明電極１４の上面に形成されて発光層１２が出射する光に対して透明であり透明電極１４よりも屈折率が高い透明高屈折率膜１５と、を備える。透明高屈折率膜１５は、透明電極１４から離れるに従い連続的または段階的に屈折率が低くなり、かつ、透明電極１４からの距離にかかわらず組成が一様である。 （もっと読む）

【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ光源装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ４０と、複数のＬＥＤチップ４０を支持する基板１０および絶縁部材２０を備えている。基板１０は、ｚ方向における一方側を向く主面１１を有しており、基板１０には、ｚ方向における他方側へ凹む複数の凹部１２が形成されており、複数のＬＥＤチップ４０のいずれかである第１のＬＥＤチップ４０が、上記複数の凹部１２のいずれかである第１の凹部１２に設置されている。ＬＥＤ光源装置Ａ１は、絶縁部材２０の主面２１に設けられ、第１のＬＥＤチップ４０と導通する金属膜３０と、第１のＬＥＤチップ４０を覆うように第１の凹部１２に充填された第１の透光樹脂５１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を実装基板上に配置した線状光源モジュールにおいて、蛍光体樹脂の濃度むらを改善する事ができる線状光源モジュールおよびこれに用いられる実装基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板上のアノード端子とカソード端子間でワイヤボンドもしくははんだ接続する事で、蛍光体樹脂中に含まれる蛍光体粒子の帯電による色度の偏りを防止し、さらには複数のＬＥＤ２０から出射される光の放射照度分布にむらを改善する事が出来る。さらに、端子接続部でワイヤボンドを切断する事で、電気的な接続が分離された本来の配線状態に戻す事も可能となる。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側電極を有し、素子内を流れる電流の経路を制御することにより発光効率を改善したＧａＮ系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードは、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板と、該基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層と、該基板の裏面に形成されたｎ側電極と、該エピ層の上面に形成された透光性のｐ側オーミック電極と、該ｐ側オーミック電極上の一部に形成されたｐ側電極パッドとを有する。前記基板の裏面のうち前記ｎ側電極に覆われた領域には、ポリッシング仕上げされた領域である低接触抵抗領域と、ドライエッチング仕上げされた領域である高接触抵抗領域とが含まれ、前記基板の裏面への前記ｐ側電極パッドの正射影の全部または一部が前記高接触抵抗領域に含まれる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】搭載基板とＬＥＤチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成され、ＬＥＤチップ２０を封止するガラス材料から成るガラス封止部３０と、搭載基板１１とＬＥＤチップ２０との間にガラス封止部３０のガラス材料が進入していない空隙である中空部３１と、中空部３１と連通するように搭載基板１１の板厚方向に貫通形成された注入孔３２と、中空部３１の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部３３とを備える。 （もっと読む）