【課題】ＬＥＤチップと配線との接続不良を防ぎつつ、白色レジストにより光出力を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る発光装置１は、基板３と、基板３上に形成された配線４ａ、４ｂと、配線４ａ及び配線４ｂに接続され、基板３上にフリップチップ実装されたＬＥＤチップ２と、基板３の配線４ａ、４ｂが形成されていない露出した領域のうちの、ＬＥＤチップ２の直下の領域以外の領域上に形成された白色レジスト５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】 発光色にムラが無く、均一に調色された発光色が得られるＬＥＤ発光装置を提供する。
【解決手段】 バンプ電極１６ａ、１６ｂを介してＬＥＤ素子１１を基板１３上に実装し、実装したＬＥＤ素子１１の発光面１１ａ上に、発光面１１ａの面積より小さい面積の蛍光体板１２を発光面１１ａより飛び出さないように貼付け、ＬＥＤ素子１１の側面並びに蛍光体板１２の側面に反射性の白色樹脂１４を被覆してＬＥＤ発光装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に載置された発光素子１０と、発光素子１０を被覆する封止部材３と、を備える発光装置１００であって、封止部材３は、蛍光体４と、複数の透明部材５とを含有し、透明部材５は、発光素子１０上に設けられ、各透明部材５の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体４の粒径の１倍を超え３倍未満であり、透明部材５の含有量が、封止部材３に対して１０〜７８体積％であり、透明部材５と蛍光体４との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、蛍光体４は、発光素子１０からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子に接合されている部材に起因して半導体発光素子に生じる応力を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０を支持する基板２０と、半導体発光素子１０と基板２０との間に位置するシリコーンエラストマー層３０と、を含み、半導体発光素子１０とシリコーンエラストマー層３０とは、接合されている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率の向上を図ると共に色ムラを抑制する。
【解決手段】 出光面２ａから光を出射する半導体発光素子２と、半導体発光素子から出射された光が入射され半導体発光素子の出光面に対向して位置された入射面４と、入射面から入射された光を外部へ出射する出射面５と、入射面と出射面の間に位置する外周面６とを有する波長変換層３とを備え、波長変換層の外周部の少なくとも一部が外周面側に凸の突状部３ａとして設けられ、突状部の外周面が入射面に連続する第１の傾斜部６ａと出射面に連続する第２の傾斜部６ｂとを有し、波長変換層の外周面に入射面から入射された光を反射する光反射層が設けられ、光反射層に第１の傾斜部に接する第１の反射面７ａと第２の傾斜部に接する第２の反射面７ｂとが形成された。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蛍光体キャップを備えたＬＥＤダイを回路基板上に実装したＬＥＤ装置は製造しやすいが、回路基板を小さくしていっても斜め下方向の配光が充分に改善しない。そこで回路基板と蛍光体キャップを備えていても小型化に際し斜め下方向の配光を改善しながら同時に光束を増加できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０は、回路基板１４にＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装し、回路基板１４ごとＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で覆ったものである。このとき回路基板１４の平面形状とＬＥＤダイ２０の平面形状は略等しい。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】所望の合成光を供給することができるとともに、低コスト化を容易に図ることができる半導体発光装置及びそれを用いた照明器具を提供する。
【解決手段】配線基板と、前記配線基板の実装面に配置され、発光ピークの波長が３６０ｎｍ〜４８０ｎｍである半導体発光素子と、前記半導体発光素子が発する放射光に対して交差するように延設され、前記放射光のすくなくとも一部を波長変換する波長変換部と、を有し、前記波長変換部は、有機蛍光体及び光拡散材を含むとともに前記半導体発光素子が発する放射光の平均透過率が２０％以下である第１波長変換領域と、無機蛍光体を含む第２波長変換領域とに、前記波長変換部の延設方向において領域分割されていること。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】 放熱性の向上と設計自由度の確保を両立させた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁性の支持基板２と、支持基板２の上面に設けられた第１上面電極４ａ及び第２上面電極４ｂと、支持基板２の下面に設けられた下面電極５ａ、５ｂと、支持基板２の内部に埋設されたヒートシンク３と、を有する実装基板１と、第１電極１５ａ及び第２電極１５ｂを有し、少なくとも第１上面電極４ａの上に実装された半導体素子１０と、を備え、実装基板１の内部に設けられ、第１上面電極及び下面電極を接続する導電性材料６を有し、導電性材料６は、ヒートシンク３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１７の周囲に存在し、ＬＥＤ素子１０をウェハー３１から切り出す際の切りしろとなったストリートライン２３の上に、遮光部材として金属膜１１，１２を配置した。金属膜１１，１２はスリット１８で４分割している。また金属膜１１，１２は、ｐ側及びｎ側の突起電極１３，１４のアンダーバンプメタル層である金属膜２２と等しい材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 一対の電極面を有する実装面を多方向に備え、いずれか一の実装面に発光体を実装し、他のいずれかの実装面をマザーボード等の当接面とすることで、発光方向及び実装方向の自由度を得ることができると共に、放熱性にも優れた発光モジュールを提供することである。
【解決手段】 発光体１３の実装面１７ａ〜１７ｅを複数有し、隣接する実装面が所定の角度を有する多面体からなると共に、前記各実装面が絶縁層１４を挟んで両側に一対の電極面１５ａ，１６ａを有する基板１２と、前記複数の実装面の選択された一つに実装された前記発光体１３とを備え、前記発光体１３が実装された一の実装面１７ａを除く他の実装面のいずれかがマザーボード１９の電極パターン１９ａ，１９ｂに載置される当接面となるように構成した。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率を向上させるとともに、単位面積当たりの発光強度を高くする。
【解決手段】発光装置１は、基体部３ａ、及び基体部３ａ上に形成され、複数の開口部３ｃを備えた光反射部３ｂを有する支持基板３と、複数の開口部３ｃ内に配置され、アノード電極１３及びカソード電極１５を有する発光素子５と、基体部３ａと光反射部３ｂとの間に帯状に延び、発光素子５に電流を供給するための複数の電極配線７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体層と支持基板との間に介在する熱硬化性樹脂の半導体層および成長用基板の側面への這い上がりを防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する
【解決手段】
サファイア基板１０上に半導体結晶を成長させて半導体層２０を形成する。支持基板３０の表面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層４０を形成する。樹脂層４０を間に挟んで半導体層２０と支持基板３０とを密着させた状態で樹脂層４０を熱硬化させて支持基板３０と半導体層２０とを接合する。樹脂層４０の熱硬化後にサファイア基板１０を除去する。支持基板３０と半導体層２０とを接合する前に、樹脂層４０の半導体層２０と接する部分の周辺領域の表層部に樹脂層４０の流動性を低減または喪失させる流動抑制部４１を形成する。 （もっと読む）