【課題】ＬＥＤ素子の電極部と搭載部材の電極部との間を接続する配線を液滴吐出法で形成したＬＥＤパッケージの配線の細線化及び接続信頼性向上を実現する。
【解決手段】搭載部材１１の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１３の周囲に、透明な絶縁性樹脂１６を充填し、ＬＥＤ素子１３上面の電極部１４と搭載部材１１上面の電極部１５との間をつなぐ配線経路を絶縁性樹脂１６で平坦化する。液滴吐出法により撥液性のプライマ樹脂インクを絶縁性樹脂１６上に吐出して撥液性のプライマ樹脂層２０のパターンを線状又は帯状に形成した後、液滴吐出法により導電性のインクをプライマ樹脂層２０上に吐出して、該プライマ樹脂層２０上に、配線１７のパターンをＬＥＤ素子１３上面の電極部１４と搭載部材１１上面の電極部１５とに跨がって形成して、ＬＥＤ素子１３上面の電極部１４と搭載部材１１上面の電極部１５との間を配線１７で接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置の製造において、電極に付着したダイボンディングペーストに由来するオルガノポリシロキサン等の汚染物を効果的に除去する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一つの電極を表面に有する半導体発光素子を、シリコーンを含むダイボンディングペーストにより、表面に少なくとも一つの電極回路を備えるマウント基板上に固定する工程と、半導体発光素子を実装したマウント基板を加熱することにより、ダイボンディングペーストを硬化させる工程と、ダイボンディングペーストを硬化させた後、半導体発光素子を固定したマウント基板を、アルゴンおよびフルオロカーボンを含む混合ガスのプラズマによってクリーニングするプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理後、少なくとも一つの電極と電極回路とをワイヤボンディングにより接続する工程と、を備える半導体発光装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
発光素子保護材としての硬度、耐久性を有すると同時に高い光取り出し効率をもたらす封止部分を具備する発光装置を提供すること。
【解決手段】
可視光を発光する発光素子（１）と、前記発光素子を封止してなる封止層（２）と、前記封止層（２）上に設けられてなる被覆層（３）を具備する発光装置であって、前記被覆層（３）が、透光性樹脂（３A）及び平均粒子径が200nm以上、3μm以下の粒子（３C）を含有する被覆用樹脂組成物から形成される被覆層であり、前記封止層の屈折率をn1、前記被覆層の屈折率をn2とした場合に２．０＞n1≧n２＞１．０であることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】ベゼル幅を狭くし、エッジ型ＢＬＵの光源として均一な線光源特性を具現化することができるＬＥＤモジュール及びこれを備えるバックライトユニットの提供。
【解決手段】一側面によるＬＥＤモジュールは、反射カップを有するように少なくとも１つの溝が形成されたバー型回路基板と、前記回路基板の溝内に配置され、前記回路基板の長手方向に沿って線状に配列された複数のＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップから離隔され、前記溝全体を覆うように前記回路基板上に配置された蛍光体膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い線膨張係数を有する硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、
（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）黒色顔料、を必須成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物であって、発光ダイオード用のリードフレームの片面に成形してパッケージとした場合の、パッケージの反りが±１．００ｍｍ以下である硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において成形体に接触している封止剤の変色を抑制し、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含む。該フェノール系酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満であり、かつ融点は５０℃以上、３００℃未満である。 （もっと読む）

【課題】数種類の材料を組み合わせてＬＥＤ発光素子搭載用リードフレームを作製するにおいて、反りがないものを簡便に作製する。
【解決手段】ＬＥＤ発光素子用の素子搭載部、ＬＥＤ発光素子と電気的接続を行うための電気接続エリアを有するリード部を備えたベースとなる基板が、ＬＥＤ光源の高い光反射率を得るための樹脂製リフレクターを併設する場合において、該素子搭載部およびリード部を構成する層が金属材料で構成され、リフレクターは例えば熱硬化性樹脂などの絶縁材料を用いて数種類の材料が組み合わされて作製されており、使用する材料によって線膨張係数が異なっていたとしても、ＬＥＤパッケージを個片化する際に機械的に切断する部分にあらかじめ溝部が設けられており、それはリフレクター成型時に、一括で成型されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング分割後のＰｋｇ樹脂クラックを抑える。
【解決手段】発光する発光素子２がリードフレーム３上に搭載され、発光素子２の電極を構成するリードフレーム３，４と樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージ５を用いた発光装置１において、ブレード７による切断時にリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）により樹脂に集中応力が付与されてクラック発生の起因となる保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面角部分の一部または全部に丸みを付けている。 （もっと読む）

【課題】低い線膨張係数と、強度の両立を図ることができる光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分とともに、下記の（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の合計含有量がエポキシ樹脂組成物全体の６９〜９４重量％で、かつ、上記（Ｅ）成分の添加量が計算式による特定値となっている。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）硬化剤。（Ｃ）白色顔料。（Ｄ）無機質充填剤。（Ｅ）シランカップリング剤。 （もっと読む）

【課題】視野角による色むらを抑制しつつ、材料費及び製造費を廉価にする発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ケースの凹部の底面に発光素子を搭載する。次に、ケースの頂面に発光素子の搭載部分に対応する開口部を設けたマスクを配置し、揮発性溶媒に蛍光体粒子を分散させた混合液をスクリーン印刷して発光素子の周辺に混合液を供給する。その後、混合液の揮発性溶媒を加熱して揮発させる。スクリーン印刷を用いて発光素子の搭載部分に混合液を塗布するため、混合液の一括塗布が可能となり、製造費が廉価となる。また、蛍光体粒子と混合した揮発性溶媒を揮発させることにより、蛍光体が発光素子に密に接するため、蛍光体粒子の供給量を少なくしても、十分な波長変換率を得ることができ、材料費が廉価となる。 （もっと読む）

【課題】硫化速度が従来の銀皮膜の半分以下であり、初期の光の反射率に優れる光半導体装置用リードフレームを提供する。また、硫化速度が従来の銀皮膜の半分であることから長期信頼性が従来の銀皮膜よりも倍以上に優れ、かつワイヤボンディング性は従来の銀皮膜と同等であり、さらに外部に露出した箇所における半田付け性に優れるため外装めっきを必要としない、光半導体用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀−インジウム合金、銀−錫合金、又は銀−インジウム−錫合金からなる反射層２が形成されており、該反射層２上にインジウム及び／又は錫の酸化物層３が厚さ０．０００４〜０．００１μｍで最表層に形成されていることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】搭載部材の素子搭載凹部内に半導体素子を搭載した半導体装置において、高さ寸法の異なる半導体素子を搭載する搭載部材を共通化する。
【解決手段】搭載部材１１の素子搭載凹部１２の容積よりＬＥＤ素子１３の体積分だけ少ない量の液状の絶縁性樹脂１６を素子搭載凹部１２内に注入する。この後、吸着ノズル２１に吸着したＬＥＤ素子１３を素子搭載凹部１２内の絶縁性樹脂１６の液中に浸すように下降させて該ＬＥＤ素子１３上面の電極部１４の高さ位置を搭載部材１１上面の電極部１５の高さ位置と一致させた状態で、素子搭載凹部１２内の絶縁性樹脂１６を硬化させて該ＬＥＤ素子１３を該絶縁性樹脂１６で固定すると共に、該ＬＥＤ素子１３上面の電極部１４と搭載部材１１上面の電極部１５との間の配線経路を該絶縁性樹脂１６で平坦化する。そして、この配線経路に配線１７を液滴吐出法又は印刷法等で形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒータ等の別途の融雪手段を用いることなく、発光素子で発生した熱を利用して融雪効果を発揮させる発光装置において、当該発光装置で発生する熱が比較的小さい場合においても、光源装置の発光面への着雪を防止すること。
【解決手段】発光装置において、複数の発光素子を搭載した基板と、前記基板の発光素子搭載面側に設けられた伝熱部材と、前記複数の発光素子および前記伝熱部材を覆って前記伝熱部材上に設けられた保護部材と、を有し、前記複数の発光素子は、前記基板に対して略垂直方向に光を出射して前記保護部材上に発光面を形成し、前記伝熱部材は、前記複数の発光素子が発生した熱を前記保護部材に誘導し、前記発光面上に、高温領域と低温領域とからなる温度分布を生じさせるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部と、該ＬＥＤチップ搭載部と離間して配置され前記ＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結された多面付けリードフレームと、前記ＬＥＤチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記多面付けリードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断により除去して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、個片基板への切断時にリードフレーム基板が反ってしまい切断装置に入らないという問題があった。
【解決手段】この課題を解決するため、前記個片基板は六角形状とし、さらに、当該個片基板が平面充填されたＬＥＤ素子用リードフレーム基板とする。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くかつダイボンド材の変色が生じ難い光半導体装置を得ることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、白金のアルケニル錯体と酸化珪素粒子とを含む。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。ダイボンド材中における比（アルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）は、１．０以上、２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】テーピング梱包しても、樹脂フィルムの内面に粘着することのない光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の光半導体装置は、リードフレーム上に発光素子を搭載し、発光素子の周囲に蛍光体樹脂とモールド樹脂が形成された構成を有する光半導体装置において、リードフレームにはモールド樹脂が成形された樹脂成形フレームと、モールド樹脂の上面には凸部が形成されていることを特徴とする。また、樹脂成形フレームにおいて、リードフレームの端子部が、モールド樹脂から突出するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップのワイヤボンディングに対応でき、銀に代えて低コストの材料を適用して、高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜１３を備え、さらに反射膜１３上にＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜１４を備えることを特徴とする。 （もっと読む）