【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱可能なだけでなく、電気通信上の接続を有し、高密度でマルチファンクションな応用を達成できる集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明が開示する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法はまず、集積回路と発光ダイオードを提供する。集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けて、第一導電ブロックと電気的接続する。発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けて、第二導電ブロックと電気的接続する。そして、集積回路は、第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一導電ブロックと第二導電ブロックを電気的接続して、製造は完成する。 （もっと読む）

【課題】安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供する。
【解決手段】セラミック部２と、 セラミック部２の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層３と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板１としたので、反射金属膜を形成する高価な工法（湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等）を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板１、及び発光素子搭載モジュール６を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】封止部材に接続電極が直接形成されたＬＥＤ装置は、基板に形成した接続電極を封止部材側に転写するようにしていたので製造しづらかった。あわせて封止部材が樹脂であると水蒸気などガスが透過し蛍光体を劣化させることがあった。
【解決手段】接続電極１８上に、白色反射部材１７及びＬＥＤ素子１６、並びに蛍光体層１２、ガラス１１が積層している。ＬＥＤ素子１６はバンプ１５を備え、接続電極１８と接続している。白色反射部材１７は、ガラス１１とともにＬＥＤ素子１６を封止している。 （もっと読む）

【課題】サーマルビアに比べて経済的に有利な、基板の発光素子搭載面に平行するかたちで配設される放熱層のみで発光素子の発熱を十分に放散可能な発光素子用基板を提供する。
【解決手段】ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第１のガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、発光素子が搭載される側の面を主面とし、該主面上に発光素子の電極と外部回路を電気的に接続するための配線導体の一部を有する基板本体と、前記基板本体の主面上に、前記配線導体の一部とその周囲近傍および該主面の周縁部を除くかたちに形成された、銀を含む金属材料からなり膜厚が８〜５０μｍの平坦表面を有する放熱層と、前記放熱層の端縁を含む全体を覆うように形成された平坦表面を有する絶縁性保護層と、を有することを特徴とする発光素子用基板。 （もっと読む）

【課題】発光装置の製造方法の提供。
【解決手段】この発光装置の製造方法は、基板を提供し、続いて発光ユニットを該基板上に形成し、その後、少なくとも一つの電極を形成し、その後、少なくとも一つの保護層を該電極上に形成して後に蛍光粉層を該発光ユニットに形成する時に、該蛍光粉層が該電極上を被覆するのを防止し、該蛍光粉層を形成した後に、該蛍光粉層と該保護層を平坦とし、すなわち該保護層より上に位置する一部の該蛍光粉層を除去し、その後、該保護層を除去し、該電極が該蛍光粉層の影響を受けないようにし、これにより電極の導電性を向上し、さらに発光装置の蛍光粉厚さと均一性の問題を改善し、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを効果的に減らすと共に、白色光色温度制御の安定性を大幅に改善する。 （もっと読む）

【課題】交流電源を直接使用し、高発光率を実現させることを可能にする発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されている交流駆動回路ユニットは、第一ダイオード３０１、第二ダイオード３０２、第三ダイオード３０３、第四ダイオード３０を有している。第一ダイオード３０１および第四ダイオード３０４は直列に接続され、第一支流を構成する。第二ダイオード３０２および第三ダイオード３０３は直列に接続され、第二支流を構成する。第一支流および第二支流は並列に接続され、交流を直流に変換させるブリッジ式整流回路を構成し、発光区１０１に直列に接続されている。交流電源に接続された場合、一方の支流を経由して、発光区１０１にあるＬＥＤに給電され、発光する。電流の向きが逆になった場合、他方の支流を経由して電流が流れるため、ＬＥＤユニットは常時発光することとなり、ＬＥＤユニットの利用効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードパッケージ、それを含む照明装置及び発光ダイオードパッケージの製造方法が開示される。
【解決手段】本発明の一側面に係ると、パッケージ基板と、パッケージ基板に実装される発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップの上部から見た時、発光ダイオードチップにより形成される面を素子上面と定義するとき、素子上面の少なくとも一部を覆うように形成された波長変換層とを含み、波長変換層は素子上面から外れない範囲で形成され、素子上面に平行な平坦面及び平坦面と素子上面の角部を連結する曲面を有することを特徴とする発光ダイオードパッケージが提供される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、色むらを低減した、色温度が可変の発光装置及びそれを用いる照明装置を提供する。
【解決手段】発光装置１はＬＥＤチップ４及び波長変換部材６を備える。波長変換部材６には、ＬＥＤチップ４からの放射光の一部で励起されてＬＥＤチップ４の放射光とは波長が異なる光を放射する蛍光体８が含まれており、ＬＥＤチップ４の放射光と蛍光体８の放射光とを混色して得た白色光が発光装置１から照射される。波長変換部材６に含まれる蛍光体８の外部量子効率は、波長変換部材６の温度が８０℃以上となる温度領域で、１０℃の温度上昇に対して、５％以上且つ９０％以下の範囲で低下するような温度依存性を有している。制御回路１０がＬＥＤチップ４への駆動電流を増加させることによって、波長変換部材６の温度を上昇させると、蛍光体８の外部量子効率が低下し、蛍光体８からの放射光が減少するので、混色光の色温度が変化する。 （もっと読む）

【課題】基板の発光素子搭載面に平行するかたちで配設される放熱層を有する発光素子用基板において、十分な放熱性を有するとともに、全ての積層部材が十分な密着性をもって積層された発光素子用基板を提供する。
【解決手段】ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、発光素子が搭載される側の面を主面とし、該主面上に配線導体の一部を有する基板本体と、基板本体の主面上に、配線導体の一部とその周囲近傍および該主面の周縁部を除くかたちに形成された放熱層と、放熱層の端縁を含む全体を覆うように形成された絶縁性保護層と、を有する発光素子用基板であって、基板本体の主面上における放熱層の形成面積の占める割合が、基板本体主面上の前記配線導体の一部とその周囲近傍を除く面積に対して、６０〜８０％であることを特徴とする発光素子用基板。 （もっと読む）

【課題】各ＬＥＤチップから出力された光に他のＬＥＤチップの影が生じにくい発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２における一対の電極２１が形成された面を実装基板３に対向させる向きで、実装基板３の第１の面３０上にフリップチップ実装されて構成される。各ＬＥＤ基材は、発光層２２を実装基板３の第１の面３０に固着した後で結晶成長用基板２４が除去され、発光層２２および電極２１からなるＬＥＤチップ２のみが実装基板３上に残るように実装基板３に実装される。 （もっと読む）

【課題】光学フィルタと視野角制限を内蔵し、小型化、薄型化可能な信頼性の高い光デバイスを提供する。
【解決手段】光学素子１、光学フィルタ２、光学素子１及び光学フィルタ２を支持するフレーム３、フレーム３に設けられた導電部７ａ〜７ｄ、導電部７ａ〜７ｄと光学素子１とを電気的に接続する接続部６、光学フィルタ２及び光学素子１を封止する樹脂部材４によって構成された光デバイスにおいて、フレーム３を、光学フィルタ２の側部と接する第１部分３ａ、第１部分３ａから垂直に延出し、光学フィルタ２の光学素子１と接する面上に延在する第２部分３ｂとを有するＴ形状フレームを対向させて向かい合う一対のフレーム対とし、非受発光面と接する光学フィルタの面とフレーム対の内面とによって形成される空間を樹脂部材４によって封止する。 （もっと読む）

【課題】従来の白色ＬＥＤパッケージで一般に遭遇されるいくつかの問題は、放出の均一性と、パッケージによって生成される視像（ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｅ）のサイズに関するものである。
【解決手段】半導体発光デバイス（１２）用のサブマウントは、発光デバイス（１２）を受け取るように構成されたキャビティ（１６）をその中に有する半導体基板（１４）を含む。第１のボンドパッド（２２Ａ）は、キャビティ内で、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第１のノードに結合するように位置決めされる。第２のボンドパッド（２２Ｂ）は、キャビティ内で、その中で位置決めされた発光デバイスの第２のノードに結合するように位置決めされる。中実波長変換部材（３２）を含む発光デバイスと、それを形成するための方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】高出力化および小型化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００では、第１反射面２１２および第３反射面２
３２は、第１出射面１６２ａから第１反射面２１２までの第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ１と
、第３出射面１６２ｂから第３反射面２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３とが、等
しくなる位置に配置され、第２反射面２２２および第４反射面２４２は、第２出射面１６
４ａから第２反射面２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２と、第４出射面１６４ｂか
ら第４反射面２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４とが、等しくなる位置に配置され
、第１反射面２１２で反射された第１出射光Ｌ１の進行方向、第２反射面２２２で反射さ
れた第２出射光Ｌ２の進行方向、第３反射面２３２で反射された第３出射光Ｌ３の進行方
向、および第４反射面２４２で反射された第４出射光Ｌ４の進行方向は、同じである。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子および／または樹脂層の発熱を、発光素子直下のみならず、主平面方向の離れた位置で放熱することのできる発光装置を提供する。
【解決手段】基板上に発光素子が搭載され、発光素子は樹脂で覆われている。基板上には、基板の主平面方向についての熱伝導率が、厚さ方向についての熱伝導率よりも大きい異方性熱伝導材が搭載されている。異方性熱伝導材の側面は樹脂と接触している。これにより、異方性熱伝導材は、樹脂からの熱を受け取って主平面方向に伝導し、発光素子および／または樹脂から離れた位置で基板に放熱することができる。異方性熱伝導材としては、例えばシート状のグラファイトを１層以上積層したもの用いる。 （もっと読む）

【課題】発光素子を備えた発光モジュールにおいて、放熱性を確保しつつ長期における信頼性を確保することは困難であった。
【解決手段】発光モジュール１０において、実装基板１４は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉにより形成され、半導体発光素子１２が実装される。放熱基板１６は、実装基板１４を支持する。放熱基板１６は、Ｃｕより熱膨張率の低い金属およびＣｕからなる複合材料により形成される。実装基板１４は、融点が４５０℃以下の金属接合材料であるはんだ１８によって放熱基板１６に接合される。放熱基板１６は、ＣｕとＭｏとを積層させたクラッド材、またはＭｏにＣｕを含浸させた複合材により形成される。 （もっと読む）

【課題】発光素子から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせが容易なプロジェクターを提供する。
【解決手段】本発明に係るプロジェクター１０００では、発光素子１００は、第１端面１７０と第２端面１７２の２箇所から光が出射される構成をなし、発光素子１００の第１端面１７０から出射される第１出射光Ｌ１の方向と、発光素子１００の第２端面１７２から出射される第２出射光Ｌ２の方向とは、互いに逆方向をなし、第１反射面１６２は、第１出射光Ｌ１を反射させ、第２反射面１６４は、第２出射光Ｌ２を反射させ、第１反射面１６２によって反射される第１反射光Ｌ３の方向と、第２反射面１６４によって反射される第２反射光Ｌ４の方向とは、同じ方向である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体の熱劣化や封止材界面での剥離、クラックによる信頼性低下の改善のため、半導体動作時の温度を均一化し、発熱中心の温度を下げ、かつ、意匠性の良い半導体パッケージや光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも、熱可塑性樹脂（Ａ）と熱伝導性充填材（Ｂ）を含有する、熱伝導率０．９Ｗ／ｍＫ以上かつ白色度８０以上の熱可塑性樹脂組成物を用いて半導体パッケージを作成する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光の一部を受光する受光部を有する光検出部を実装基板に一体に設けた構成を採用しながらも、構造の簡略化を図れ、且つ、ＬＥＤチップから光検出部への伝熱を抑制することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、当該ＬＥＤチップ１を収納する収納凹所２ｂが一表面に形成されＬＥＤチップ１が実装されるとともにＬＥＤチップ１から放射された光の一部を受光する受光部４ａを有する光検出部４が形成された実装基板２と、実装基板２の上記一表面側に設けられＬＥＤチップ１から放射された光の配光を制御するレンズ部（ＬＥＤチップ１から放射された光の一部を受光部４ａへ導く導光部）３とを備える。実装基板２は、ＳＯＩ基板１０の上記一表面側のシリコン層１０ｃに光検出部４が形成され、収納凹所２ｂが、ＳＯＩ基板１０の上記他表面側のシリコン層１０ａに達する深さで形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップから放射される光の一部を検出する光検出部を実装基板に一体に設けた構成を採用しながらも、構造の簡略化を図れ、且つ、光検出部のＳ／Ｎ比の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１が一表面側に実装され且つＬＥＤチップ１から放射された光を検出する光検出部４が形成された実装基板２と、ＬＥＤチップ１から放射された光の配光を制御するレンズ部３とを備える。実装基板２が１枚のシリコン基板（半導体基板）２０ａを用いて形成され、光検出部４においてＬＥＤチップ１からの光を受光する受光部４ａが実装基板２の上記一表面側においてＬＥＤチップ１の側方に形成されており、実装基板２の上記一表面側においてＬＥＤチップ１の真上でない位置に、ＬＥＤチップ１から放射された光の一部を全反射の繰り返しにより受光部４ａの受光面へ導光する導波路５が設けられている。 （もっと読む）