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【課題】光の出射方向の違いによる配光色度のバラツキが小さい発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材1と、基材1上に載置された発光素子10と、発光素子10を被覆する封止部材3と、を備える発光装置100であって、封止部材3は、蛍光体4と、複数の透明部材5とを含有し、透明部材5は、発光素子10上に設けられ、各透明部材5の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、蛍光体4の粒径の1倍を超え3倍未満であり、透明部材5の含有量が、封止部材3に対して10〜78体積%であり、透明部材5と蛍光体4との体積比率(透明部材量/蛍光体量)が0.2〜10であり、蛍光体4は、発光素子10からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】十分な明るさの色光を得ることのできる交通信号灯、及び、色付の透光性カバーを備える交通信号灯に装着しても十分な明るさの色光を得ることのできるLEDランプを提供する。
【解決手段】交通信号灯は、青色の光を強調する青色透光性カバー140と、青色透光性カバー140に覆われた給電ソケット120と、給電ソケット120に着脱可能に装着され、装着された給電ソケット120を覆う青色透光性カバー140の強調する色と同色の光を発するLEDを備える青色LEDランプ150と、を備える。 (もっと読む)


【課題】硬さが互いに異なる複数種類の蛍光体が用いられた場合であっても所望の色および輝度の光を発する発光装置および半導体発光システムを提供する。
【解決手段】発光装置1は、LED部3と、蛍光体部2とを有する。蛍光体部2は、LED部3が発した光を受光する位置に並設された緑色蛍光体部2gと赤色蛍光体部2rとを備える。緑色蛍光体部2gは、緑色光を発する緑色蛍光体を含む。赤色蛍光体部2rは、緑色光の波長よりも長い波長の光の成分を含む赤色光を発する赤色蛍光体部2rを含む。緑色蛍光体のモース硬度の値MH1と、赤色蛍光体のモース硬度の値MH2とは互いに異なり、MH1>MH2である場合にMH1/MH2≧2であり、MH1<MH2である場合にMH2/MH1≧2である。 (もっと読む)


【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、440ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第1半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第1半導体層における刃状転位密度は、5×10/cm以下である。前記第1半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、0.11パーセント以下である。 (もっと読む)


【課題】 耐久性が高く、小型化された側面発光型の半導体発光装置に適した樹脂成形体を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置1を構成する基板20の複数個を一体的に連接した基板用素材板に、半導体発光素子50をマウントし、その後、透光性樹脂70でトランスファー成形し、次に、非透光性樹脂80でトランスファー成形し、更に、前記透光性樹脂70の一部が外部に露出するように、透光性樹脂70及び非透光性樹脂80を除去して、一つの半導体装置毎に分離するという方法 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、下地層と、第1積層中間層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記下地層は、基板の上に形成されたAlNバッファ層を含む。前記第1積層中間層は、前記下地層の上に設けられた第1AlN中間層と、前記第1AlN中間層の上に設けられた第1AlGaN中間層と、前記第1AlGaN中間層の上に設けられた第1GaN中間層と、を含む。前記機能層は、前記第1積層中間層の上に設けられている。前記第1AlGaN中間層は、前記第1AlN中間層に接する第1ステップ層を含む。前記第1ステップ層におけるAl組成比は、前記第1AlN中間層から前記第1ステップ層に向かう積層方向において、ステップ状に減少している。 (もっと読む)


【課題】実施形態は、樹脂製パッケージの熱変性を回避し低コストで製造できる半導体発光装置、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極に金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する。そして、その製造方法は、複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が設けられた金属プレートの第1の主面の上に第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面側から前記金属プレートと前記第1の樹脂とを分断し、前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を形成する工程と、前記第1の主面側から前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】Ag反射膜を用いて光の取り出し効率を良好に維持したまま、Ag反射膜と透光性基板との剥がれを抑制し、信頼性の高い発光装置を提供する
【解決手段】第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板12の第1の主面上に半導体層14が形成されてなる発光素子10と、
前記第2の主面上に形成されたAg又はAg合金の反射層16と、
前記反射層16側が共晶合金22により接合されるリードフレーム24と、を有し、
前記リードフレーム24は、Feを含む合金からなる第1の金属部材26と、前記第1の金属部材と異なる金属からなる第2の金属部材28とが接合されてなるクラッド材からなることを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100では、第2光導波路162の延出方向は、第1側面131と平行であり、第3層108は、第2側面132と連続する第4側面142の少なくとも一部を含んで形成された第1酸化領域170と、第3側面133と連続する第5側面143の少なくとも一部を含んで形成された第2酸化領域172と、を有し、第1酸化領域170は、前記第1層、前記第2層、および前記第3層の積層方向から見て、前記第1反射部と重なり、第2酸化領域162は、前記積層方向から見て、前記第2反射部と重なる。 (もっと読む)


【課題】複数の出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置100では、第1層106には、第1側面131に設けられた第1出射部181から第2側面132に設けられた第1反射部190まで延出する第1光導波路160と、第1反射部190から第3側面133に設けられた第2反射部192まで延出する第2光導波路162と、第2反射部192から第1側面131に設けられた第2出射部186まで延出する第3光導波路164と、が形成され、第2光導波路162の延出方向は、第1側面131と平行であり、第1反射部190および第2反射部192は、II族またはXII族の元素が拡散され、第1出射部181から出射される第1の光20と、第2出射部186から出射される第2の光22とは、同じ方向に出射される。 (もっと読む)


【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第1半導体層11、前記第1半導体層の下の第1活性層12、前記第1活性層の下の第2導電型の第2半導体層13を有する第1発光構造物10と、前記第1発光構造物の下の第1金属層と、前記支持基板上に配置された、第1導電型の第3半導体層、前記第3半導体層の下の第2活性層、前記第2活性層の下の第2導電型の第4半導体層を有する第2発光構造物と、前記第2発光構造物の下の第2金属層と、前記第1半導体層の側面に接触して、前記第2金属層と電気的に連結されたコンタクト部とを備える。 (もっと読む)


【課題】複数の発光素子から生じた光を特定の発光素子上に設けられる1つの透光性部材から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子の少なくとも上面を覆い、前記端面発光型素子の光出射端面内を基点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように設けられた透光性部材と、を備え、前記端面発光型素子が前記透光性部材の側方に設けられた発光装置である。 (もっと読む)


【課題】 発光ピークの半値幅が狭い発光強度の高い赤色発光の蛍光体及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 KGeSi:Mn4+1−x−y(ただし、x、yは、0.4<(1−y)/y<5.0、0.80<x+y<0.99である。)の一般式で表されるフッ化物蛍光体である。 (もっと読む)


【課題】赤色光、青色光および緑色光を発光する発光装置の小型化を可能にできるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体発光素子10は、第1〜第3の面11c〜11e、及び裏面11bを有する窒化ガリウム支持基体11と、第1及び第2の面11c、11d上にそれぞれ設けられた第1及び第2のIII族窒化物半導体積層部12、13と、第3の面11e上に設けられた第3のIII族窒化物半導体積層部14とを備える。第1及び第2のIII族窒化物半導体積層部12,13は、緑色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層12b、13bを有する。第3のIII族窒化物半導体積層部14は、青色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層14bを有する。 (もっと読む)


【課題】同一の発光ピーク波長をもつ2層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板102の上面側に、中間電極104、下側第1導電型半導体層106、第1発光層108、第2導電型半導体層110、第1発光層108と同一の発光波長を有する第2発光層112、上側第1導電型半導体層114および上側電極116を順次具え、支持基板102の下面側に設けられる下側電極118と、上側第1導電型半導体層114および第2発光層112を貫通する凹部120に設けられ、第2導電型半導体層110と電気的に接続する基準電極122と、を有し、第1発光層108の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が向上した光源回路ユニット、およびこの光源回路ユニットを備えた照明装置並びに表示装置を提供する。
【解決手段】この光源回路ユニットは、表面に光反射性の配線パターンを有する回路基板と、回路基板上に設けられた円形状の台座と、少なくとも台座の周縁部から側面の一部にかけて設けられた撥水領域と、台座上に戴置されると共に、配線パターンを通じて流れる電流により駆動される1または2以上の発光素子チップとを備える。 (もっと読む)


【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子1は、紫外光放射部15と蛍光体層21とからなり、ZnOをベースとし、Ga、Pが添加された半導体材料で形成された紫外発光層11と、ZnOをベースとするp型半導体層12とがpn接合され、紫外発光層11に第1電極13が、p型半導体層12に第2電極14が接続されている。第1電極13と第2電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層11からピーク波長が400nm以下の紫外光が放射される。蛍光体層21は、紫外光放射部15から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板22を透過して外部に出射される。 (もっと読む)


【課題】耐熱・耐光性に優れ、広い波長範囲において薄肉でも高い反射率を有し、成形性、放熱性、量産性に優れた半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光素子を載置するための回路基板と、前記回路基板に形成され、前記発光素子からの光を反射させるための壁部とを有する半導体発光装置用樹脂パッケージであって、
前記壁部は液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を液状射出成形することによって前記回路基板に密着して形成されており、
かつ前記壁部を構成する樹脂成形体が、厚さ0.4mmの成形体試料について波長460nmの条件で測定した光反射率が80%以上となる樹脂成形体である半導体発光装置用樹脂パッケージ。 (もっと読む)


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