【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理した際に、凹凸構造を均一に形成することが出来るように改良されたシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アズスライスシリコン基板を用いて表面にピラミッド状の凹凸構造を有する太陽電池用シリコン基板の製造方法であって、非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理してその表面にピラミッド状の凹凸構造を形成するテクスチャー工程と、当該テクスチャー工程の前段に設けられ、シリコン基板を洗浄液で処理してスライス工程由来の付着物を除去する工程とを包含し、スライス工程由来の付着物を除去する工程において、上記の洗浄液が水媒体中で過酸化水素とアルカリの組合せ又は過酸化水素と炭酸塩との反応物を使用する起泡性洗浄液である太陽電池用シリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面へのテクスチャ形成を安定して生産性良く実施可能とするエッチング液の処理方法、シリコン基板のエッチング方法、シリコン基板エッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するためのエッチング液に対して、前記シリコン基板の表面に供給される前に実施するエッチング液の前処理方法であって、前記シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する１種類以上の有機添加剤と水とアルカリ試薬とを含む前記エッチング液に対してバブリング処理を施すことにより、前記エッチング液中の疎水性不純物を前記エッチング液の液表面に分離する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造のテクスチャエッチング工程において、従来に比してテクスチャ形成不良を抑えることができるエッチング装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板１００をエッチング液１３中に浸漬してエッチングするエッチング装置であって、エッチング液１３を貯留し、シリコン基板１００をエッチングするエッチング槽１１と、エッチング液１３中に溶出した疎水性有機物を収集する疎水性有機物収集部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面にテクスチャを均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、前記シリコン基板２表面の自然酸化膜を除去するステップと、前記金属イオンを含有する第２の水溶液に、前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板２を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板２表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第３の水溶液に、前記金属イオンを付着させた前記シリコン基板２を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板２表面に多孔質層３を形成するステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面反射率を極力低減させることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を含み、かつ複数の開口部を有する薄膜をシリコン基板上に形成する第１の工程と、第１の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるフッ化水素酸水溶液に浸漬させる第２の工程と、第２の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるアンモニア水溶液に浸漬させる第３の工程と、を上記順序で行うことにより、シリコン基板表面に微細な凹凸構造を形成し、反射率を低減させる。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）と水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。


（式（１）中、Ｘはスルホン酸基またはそのアルカリ塩、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基（何れも炭素数が１又は２である）の群から選択される１種である。但し、Ｒ^１及びＲ^２はの合計炭素数は０〜２個である。） （もっと読む）

【課題】
白金等の触媒金属を含まない，溶液を作用させて、シリコン基板（Ｓｉウェハ）表面にナノ構造の多孔質層を形成する。
【解決手段】
Ｓｉウェハ表面に対して、アンモニア含む、および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの水溶液を作用させる工程によりＳｉウェハの表面処理を行って、Ｓｉウェハ表面にナノ構造の微細な多孔質層を形成することができた。これによって、Ｓｉウェハ表面での可視光域での反射率を５−８％まで低減することができた。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４に供給される液体が流通する液体流路５５が形成された供給部４３と、液体流路５５を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第１接続路６４が形成された第１拡散板４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第１の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第１の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第１のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第１のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】（１ａ）金属、及び少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
（１ｂ−１）少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
（１ｂ−２）金属を含む層を、前記少なくとも１種のＮ−Ｆ結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンについて、シリコン等を的確かつ高速に除去し、一方で残される電極部材等を損傷させずに維持することができるシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法、これを用いた半導体基板製品を提供する。
【解決手段】アニオン性基を有する炭素数３以上の化合物と硝酸とフッ化水素酸とを水性媒体中に含有するシリコンエッチング液を準備し、該シリコンエッチング液を多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンからなるシリコン膜に適用して、キャパシタとなる凹凸形状を形成するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板のエッチング量のばらつきを低減することができるウェットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウェットエッチング装置は、シリコン基板を収容できかつアルカリ性のエッチング液を溜めるエッチング槽と、二酸化炭素濃度低減部とを備え、前記エッチング槽は、シリコン基板をエッチング液に浸漬するため、およびシリコン基板をエッチング液から引き上げるための上部開口を有し、前記二酸化炭素濃度低減部は、前記上部開口の近傍の気体に含まれる空気由来の二酸化炭素の濃度を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）