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Fターム[5F043AA07]の内容

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Fターム[5F043AA07]に分類される特許

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【課題】アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、pHを11以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部11と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部12と、基板に薬液を吐出する吐出部15と、吐出部15を基板の一端から他端への第1方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部13と、位置制御部13により移動される吐出部15が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部15から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部14とを備える。 (もっと読む)


【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体81で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ86で計測し、この混合用の液体81を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルNBを含む液体Lに入れ、粒度分布測定器100によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布F1とナノバブルの粒度分布F2とを求め、ナノバブルを含む液体L中の標準粒子の粒度分布F1のピーク値P1に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布F2のピーク値P2、P3、P4に対応するナノバブルの個数を求める。 (もっと読む)


電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル14bの吐出孔141の向きを、底板11aの上面の法線Nに対して内側方向に5°以上かつ40°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔141から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽11の内部において大きな処理液の循環領域CAが形成されることもない。したがって、基板Wの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽11の内部の処理液を効率よく置換できる。 (もっと読む)


【課題】少量の処理液で効率的に基板を処理する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板Sを水平姿勢で搬送する搬送ローラ14と、基板Sの上面に対向する対向面16aを有し、この対向面16aと基板上面との間に微小隙間を形成するプレート部材16と、基板搬送方向における上流側から前記隙間内にエッチング液を供給するノズル20と、同下流側から前記隙間内にエッチング液を供給するノズル21と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を幅方向に傾斜させて搬送するとともに、その上面全体を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】所定の角度で傾斜しその傾斜方向と交差する方向に搬送される基板の上面を処理液供給装置31から供給される処理液によって処理する基板の処理装置であって、
処理液供給装置は、基板の傾斜方向に沿って配置され内部に処理液が供給貯留される容器本体32と、容器本体の下面に開口形成され内部に供給貯留された処理液を基板の搬送方向と交差する方向に沿って直線状に流出させるノズル孔40と、容器本体の下面側に設けられ基板の搬送方向下流側に向かって低く傾斜した傾斜面45を有するとともに、傾斜面の下端縁45aが搬送される基板の傾斜した上面と平行に離間対向するよう傾斜して形成されていて、ノズル孔から流出する処理液を傾斜面で受けて傾斜面の下端縁から基板の上面に供給するガイド部材42を具備する。 (もっと読む)


【課題】融点の低い材料で形成された構造体を使用することを可能とし、またその構造体が封止された空間を高真空にすることができるとともに構造体に封止部材が成膜されない半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に形成された可動の構造体3を犠牲膜で覆い、その犠牲膜をシリコン酸化膜5で覆い、さらにそのシリコン酸化膜5に貫通孔を形成する。そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体3とシリコン酸化膜5との間に空間を形成し、シリコン酸化膜5に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。 (もっと読む)


【課題】処理液を供給する外部給液管をチャンバ内に設けられた内部給液管に、チャンバの後板に溶接を行なわずに液密に接続できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】チャンバ25と、処理液をチャンバへ供給する外部給液管27と、外部給液管に供給された処理液をチャンバ内に導入する内部給液管28と、チャンバの側板に形成された開口部31で外部給液管と内部給液管を液密に接続する第1の接続部26を具備し、第1の接続部は、外部給液管の端部が溶接される外部フランジ32と、内部給液管の端部が溶接される内部フランジ33と、外部フランジと内部フランジをねじ止め固定するねじ42と、一方のフランジとチャンバの側板との液密状態を確保する第1のシール材37と、第1のフランジと第2のフランジとの開口部で対向する面の液密状態を確保する第2のシール材38とを具備する。 (もっと読む)


【課題】65nmまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、(殊にエッジ領域における)平坦性およびナノトポグラフィを向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】半導体ウェハの特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、位置に依存するこれらのパラメータの値を、半導体ウェハの面全体にわたり求めるステップa)と、半導体ウェハの面全体を、エッチング媒体を作用させると同時に半導体ウェハの面全体を照射しながらエッチング処理するステップb)が設けられている。その際、エッチング処理の除去率を半導体ウェハの面における光強度に依存させ、ステップa)において測定された位置に依存するパラメータの値における差異が位置に依存する除去率により低減されるよう、光強度を位置に依存して設定する。 (もっと読む)


【課題】水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のSiGeエッチング停止構造物を提供する。
【解決手段】SiGeエッチング停止構造物が、Si1−xGeまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Si1−yGeの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、x≦0.17、y≧0.3が好ましい。バッファ層は、基板/バッファとの界面における純粋シリコンからゲルマニウム組成にかけて、その厚みに対して一次的に変化する構成を有し、さらに、バッファ/エッチング停止界面に化学的不純物質を有する。界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 (もっと読む)


基板表面に平行な最小平均速度vを生じるのに充分速い流れで基板表面上を流れる液体エッチング剤を流すことにより、少なくとも2つの異なる化学元素をベースとする半導体性を持つ材料を含んでなるグループから選択される、基板上の第1の材料を前記第2の材料に対して高い選択性をもって選択的にエッチングする方法が開示されている。
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