【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。また、酸化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】非透明な基板上に形成した窒化物化合物半導体層を化学的なエッチング処理によって基板から剥（はく）離させることにより、基板を再利用することができるようにする。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたIII-V 族の窒化物化合物半導体層と、前記基板と窒化物化合物半導体層との間に形成されたＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ層（ｘ≧０．６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層にて発生した熱を効率よく逃すことを可能としつつ、絶縁体上に配置された半導体層を形成する。
【解決手段】半導体基板１１上に第１半導体層１２および第２半導体層１３を形成した後、第１半導体層１２をエッチング除去することで半導体基板１１と第２半導体層１３との間に空洞部２０を形成し、半導体基板１１および第２半導体層１３の熱酸化を行うことにより、半導体基板１１と第２半導体層１３との間の空洞部２０内の上下面に酸化膜２１を形成してから、空洞部２０内に熱伝導体層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に含まれる成分に起因する汚染を抑制しつつ、異なる成分を含む半導体層を半導体基板上に形成する。
【解決手段】半導体ウェハＷ１の表面に選択エピタキシャル成長にて半導体層１１および保護膜１２を形成した後、半導体ウェハＷ１の外周部の保護膜１２を露出させるレジストパターン１３を形成し、レジストパターン１３をマスクとして保護膜１２をエッチングすることにより、半導体ウェハＷ１の外周部の保護膜１２を除去し、レジストパターン１３および保護膜１２をマスクとして半導体層１１をエッチングすることにより、半導体ウェハＷ１の外周部の半導体層１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】歪シリコン層を有するウェーハ構造体の効率的製造を可能とし、使用されるドナーまたは支持基板は高い再現性で再利用することが可能な方法と中間生成物を提供する。
【解決手段】支持基板１を備え、上面に歪シリコンモデル層３を有するひな形ウェーハを提供する工程と、上記歪シリコンモデル層３上に歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８をエピタキシャル成長させる工程と、上記歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８上に歪シリコン能動層１１をエピタキシャル成長させる工程と、上記構造体を、上記補助ＳｉＧｅ層８に作製された所定分離領域９において分離する工程を含む、歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコンゲルマニウム犠牲層を使用して半導体素子の微細パターンを形成する方法、及びそれを用いた自己整列コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に導電性物質膜、ハードマスク膜及び側壁スペーサを含む導電ライン構造物を形成し、基板の全面に少なくとも導電ライン構造物の高さと同じであるか、またはそれ以上の高さにシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ）犠牲層を形成し、犠牲層上にコンタクトホールを限定するフォトレジストパターンを形成した後、犠牲層を乾式エッチングすることで基板を露出させるコンタクトホールを形成し、ポリシリコンを使用してコンタクトホールを埋め込む複数のコンタクトを形成した後に残留する犠牲層を湿式エッチングした後、その領域にシリコン酸化物を満たして第１層間絶縁層を形成する半導体素子の自己整列コンタクトの形成方法。 （もっと読む）