【課題】基板上に下地膜なしに形成されたＩＴＯ透明導電膜のみならず基板上の下地膜上に形成されたＩＴＯ透明導電膜についても、エッチング残渣除去性能に優れ、しかも発泡を抑制することができるエッチング液組成物を提供する。
【解決の手段】シュウ酸、フッ化アルキル基含有燐酸系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドアルキルエーテル型ノニオン系界面活性剤及び水を含有する酸化インジウムスズ透明導電膜用のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】 エッチング溶液の再利用が可能であり、また、不純物の混入による加工表面の汚染を抑制できる、新たな基板表面の加工方法を提供する。
【解決手段】 陰イオン交換物質および陽イオン交換物質の少なくとも一方を含む超純水液に基板に接触させて、前記基板表面を加工する。基板の加工は、前記超純水液に前記基板を接触させ、無電界で行ってもよいし、電界を印加して行ってもよい。前記陰イオン交換物質の具体例としては、ポリ-エチレン-ポリ-アミン、陽イオン交換物質の具体例としては、ポリ-スチレン-スルホン酸がそれぞれあげられる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が全体的に均一に効率よく発光し、かつ基板が光を吸収することないことから、活性層からの発光を効率よく外部に取り出すことのできる高輝度の発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、六方晶からなる単結晶基板の一主面に、化学式Ｇａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＡｌ_ｘＮ（０＜ｘ＋ｙ＜１、ｘ＞０、ｙ≧０）で表される第１導電型半導体層と、化学式Ｇａ_{１−ｘ’−ｙ’}Ｉｎ_ｙ’Ａｌ_ｘ’Ｎ（０＜ｘ’＋ｙ’＜１、ｘ’＞０、ｙ’≧０）で表される活性層と、化学式Ｇａ_{１−ｘ’’−ｙ’’}Ｉｎ_ｙ’’Ａｌ_ｘ’’Ｎ（０＜ｘ’’＋ｙ’’＜１、ｘ’’＞０、ｙ’’≧０）で表される第２導電型半導体とを含むとともに前記順でこれらの層が積層されている半導体層が形成されており、単結晶基板の一部にエッチングによって半導体層に達して形成された貫通孔から成る光取り出し孔が形成されている。 （もっと読む）

シリコンウェーハー（２）の表面を処理する装置（１、１’）に関し、移送ローラ（３）によって定められる移送平面（５）内でシリコンウェーハー（２）を移送するための移送ローラ（３）と、シリコンウェーハー（２）を液状の処理媒体（１０）によって湿潤するように形成された、少なくとも１つの給送装置（３ａ）とを有している。給送装置（３ａ）は、下を向いた基板表面を処理媒体（１０）によって湿潤するべく移送平面に接触するように、移送平面（５）の下方に配置されている。移送装置と基板表面を直接接触している。
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【課題】本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置などの製造時に透明導電膜の選択的なエッチングのために使用されるエッチング組成物であってＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ二重膜とソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に影響を与えず、形成される透明導電膜のプロファイルが優れ、エッチング速度が速くてＬＣＤ製造原価節減および工程収率を向上させる効果がある透明導電膜エッチング組成物を提供する。
【解決手段】本発明による透明導電膜エッチング組成物は、ａ）水溶液中でＣｌ^-に解離され得る塩素化合物０．１〜５重量％；ｂ）水溶液中でＮＯ₃^-に解離され得る化合物０．１〜５重量％；およびｃ）残量の水を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化膜用エッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の種類によって適用の制限が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜のエッチング性能を向上するエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の下部に位置した膜に対する損傷が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜用エッチング液を用いた液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、透明導電性酸化膜のパターニングに用いられるエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供される。透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％及び超純水を含む。 （もっと読む）

本発明は、新規なエッチング媒体として、酸化物の透明な導電層のうち、例えばフラットパネルスクリーンを用いた液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）もしくは有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）の製造、または薄層太陽電池において用いられるものの構築のためのものに関する。とくに、本発明は粒子フリーな組成物として、それを用いることによって微細構造の選択的なエッチングが、隣接する領域を傷つけたり攻撃することなく酸化物の透明な導電層になされるものに関する。前記新規な液体エッチング媒体は、印刷法によって、構築する酸化物の透明な導電層に有利に適用することができる。続く熱処理によって、エッチング工程が加速または開始される。 （もっと読む）

【課題】画像の表示品質を大きく増加させる駆動集積回路、駆動集積回路の製造方法、前記駆動集積回路を含む表示装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板のエッジと平行な方向に沿って前記半導体基板上に形成され、上面に表面積を増加させるために多様な寸法を有する表面積増加部を含む電極端子部と、前記表面積増加部を覆う導電性バンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム、モリブデン、インジウムスズ酸化物等から構成される各マスク工程における各金属層をエッチングし得るエッチング組成物を提供する。また、工程が簡単で製造費用が低廉であり、且つ生産性を向上させ得る液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】４０〜７０重量％の燐酸、３〜１５重量％の硝酸、５〜３５重量％の酢酸、０．０５〜５重量％の塩素化合物、０．０１〜５重量％の塩素安定剤、０．０１〜５重量％のｐＨ安定剤及び残量の水を含むエッチング組成物とする。また、上記エッチング組成物を用いて各金属層をエッチングする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法とする。 （もっと読む）

本発明は、非ニュートン流動挙動を有する、ドープされた酸化スズ層のエッチングのため、ディスプレイおよび／または太陽電池の製造において表面をエッチングするための、新規なディスペンシング可能な媒体、およびこれらの使用に関する。特に本発明は、微細な構造を、隣接する領域を損傷または腐食させることなく選択的にエッチングすることができる、関連する無粒子の組成物に関する。 （もっと読む）

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および／または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。１つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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【課題】銀（Ａｇ）配線用エッチング液を提供すること。また、エッチング液を利用する銀（Ａｇ）配線形成方法を提供すること。さらに、エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により、エッチング液、これを用いた配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。エッチング液は下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含む。
（化学式１）
Ｍ（ＯＨ）_ＸＬ_Ｙ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ_２Ｏ、ＮＨ_３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ_２Ｒであり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、酸とを含むウェットエッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明は、シリコン、酸化シリコン、ガラス、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＢＳＧ、酸窒化シリコン、窒化シリコン及び酸炭化シリコンの１つ又は複数、それらの組み合わせ及び混合物、並びに／又はフォトレジスト材料を含む周囲構造に対して選択的に金属窒化物をウェットエッチングする方法であって、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、有機酸とを含むウェットエッチング組成物を準備する工程と、周囲構造に対して選択的に金属窒化物をエッチングするのに効果的な時間及び温度で、ウェットエッチング組成物にエッチングされる金属窒化物を曝露させる工程とを含む、金属窒化物をウェットエッチングする方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 加工精度を損なうことなく生産性を向上させることができるパターニング方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法、半導体装置、圧電駆動素子の製造方法及び圧電駆動素子を提供する。
【解決手段】 ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。そして、金属膜４５を有した素子形成面１４ａを塩酸Ｌ中に浸漬して透明導電膜４２をエッチングし、陽極４０を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】酸化イリジウムのナノ構造が、好適に、基板上に選択的に形成され、またはパターン化される方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、第１の領域と第２の領域とが隣接する基板を形成すること、第１の領域の上に重なる連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を成長させること（７０４）、第２の領域の上に重なる非連続的なＩｒＯｘ膜からＩｒＯｘナノ構造を同時に成長させること（７０６）、非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲を選択的にエッチングすること（７０８）、第２の領域の上に重なるＩｒＯｘナノ構造をリフトオフすること（７１０）を含む。典型的に、第１の領域は第１の材料から形成され、第２の領域は第１の材料と異なる第２の材料から形成される。非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲の選択的なエッチングは、ＩｒＯｘより第２の材料とよく反応するエッチャントに基板をさらすことを含む。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なＩＺＯ膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。
【解決手段】 エッチング液として濃度が５０質量％以下の硫酸水溶液を用い、かつ使用する硫酸水溶液の濃度と温度で、０．３質量％と３０℃、０．３質量％と６０℃、５０質量％と３０℃、５質量％と６０℃の点で囲まれる範囲内であることを特徴とするＩＺＯ膜のウエットエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 蓚酸含有エッチング液の全量交換の頻度を低減させることが可能な蓚酸含有エッチング液再生方法及び蓚酸含有エッチング液再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＩＴＯのエッチングに使用した蓚酸含有エッチング液をＮＦ膜２５によりろ過して透過液と非透過液とに分離するろ過工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ層を洗浄することができ並びにライン分離処理システムを行うことができ、層の湿式化学的粗面化と関連付けて層の構造化後にできるだけ少ない方法技術的な経費および時間消費量で大きな表面積、即ち一般に１ｍ^２またはそれ以上の表面積に再現可能で均質に実現できる方法および装置の提供。
【解決手段】 柔軟性のないまたは柔軟性のある支持体の上に配置された予備構造化された酸化亜鉛層を有する基板を処理する手段において、該基板をエッチング液で処理するための第一の手段、該基板を洗浄液で処理するための第二の手段および第一の手段から第二の手段に基板を運搬するための別の手段よりなることを特徴とする、上記装置。 （もっと読む）