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Fターム[5F043AA22]の内容

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Fターム[5F043AA22]に分類される特許

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【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】テーパー形状のAl配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Al配線膜101は、AlもしくはAl合金から成る第1のAl合金層101aと、その上に配設され、Ni、PdおよびPtのいずれか1以上の元素を含み第1のAl合金層101aとは異なる組成のAl合金から成る第2のAl合金層101bとから成る二層構造を有する。フォトレジスト102の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第2のAl合金層101bはエッチングされ、その端部はフォトレジスト102の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト102をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Al配線膜101の断面はテーパー形状となる。 (もっと読む)


【課題】物品に付着しているよごれなどの有機物を大気中に飛散させることなく分解または除去でき、かつ物品の損傷が抑えられる表面処理方法、物品の損傷を抑えながら、物品表面をエッチングする表面処理方法、および表面を高度に洗浄し、損傷がほとんどない物品や表面をエッチングしながら、損傷のない物品を提供する。
【解決手段】水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、該液体中において、水に対する接触角が90度以下である材料に付着している有機物に接触させて、該有機物を材料から除去する表面処理方法;水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、前記液体中において、水に対する接触角が90度以下である材料に接触させて、該材料を破壊せずに、該材料の表面をエッチングするエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、20℃におけるpHが6.0〜8.0の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のpHを6.0未満、または8.0より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 (もっと読む)


【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの潜在化した欠陥の発生を抑制する最適な処理液を選定する方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングが可能な材料からなる転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクを複数枚準備する工程1と、エッチング阻害物質の濃度が異なる複数種の処理液を準備する工程2と、前記処理液を用いて表面処理する工程3と、前記表面処理したマスクブランクの被処理面に対してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行って薄膜パターンを形成してマスクを作製し、該マスク表面の欠陥情報を取得する工程4と、エッチング阻害物質の濃度と前記マスク表面の欠陥情報との対応関係から所望の仕様又は品質を満足する欠陥情報を選択して、対応する処理液のエッチング阻害物質の濃度を特定する工程5、該特定した濃度を有する処理液を選定する工程6から成る。 (もっと読む)


【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板1上、又は基板1上の導電膜50上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程(a)と、基板1に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板1上又は導電膜50上に貴金属を含む金属シリサイド膜11a、11bを形成する工程(b)と、工程(b)の後、金属膜のうち未反応の金属を第1の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜11a、11bの上面上に酸化膜12を形成する工程(c)と、工程(c)の後、第1の薬液と異なる第2の薬液を用いて基板1上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第2の酸化膜14を除去する工程(d)と、工程(d)の後、第1及び第2の薬液と異なる第3の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程(e)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】高精細なパターニングを可能としたエッチングマスク付基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にDLC被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたDLC被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にDLCパターンを形成してなるようにした。 (もっと読む)


【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層40をエピタキシャル成長させることができる下地基板10と、下地基板10上に全面的に配置された中間層20と、中間層20上に部分的に配置されたGaN層30aとを含み、GaN層30aと中間層20の一部とが露出している支持基板2を形成する工程と、支持基板2の中間層20が露出している部分20p,20q,20rを選択的に除去することにより、下地基板10の一部を露出させる工程と、GaN層30a上に、III族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(a)リン酸30〜80重量%と、(b)硝酸0.1〜20重量%と、(c)有機酸塩0.1〜20重量%と、(d)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる2層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第1のモリブデン系導電性薄膜および第2のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる3層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード(LED)の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶10の上に被着された金属層11を、熱処理によりパッド12を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔13を通して第1の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ15を形成する。次いで第2の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ16を形成する。つづいて、HFによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶17が得られる。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層25を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層25上に犠牲層28を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層28のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層28から露出された領域における前記絶縁層25の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層28の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置3は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器8を備える。処理液容器8の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口12となっている。処理液容器8の上部には、配管13が接続されており、配管13を介して負圧源としての真空装置(図示せず)が接続され、配管13には処理液容器8内に気体(たとえば大気)を導入するための気体導入配管14が分岐接続されている。処理液容器8に貯留された処理液は、処理液容器8に気体を導入することによって重力落下により基板Wに吐出され、処理液容器8への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板からの剥離物(例えば、レジストや金属膜)等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板11を保持する基板保持部材12と、これの回転駆動手段14と、半導体基板11に処理流体を噴射するノズル15と、基板保持部材12の周囲に設けられた飛散防止カバー16とを有する半導体基板の処理装置10において、飛散防止カバー16の内側上部に、シャワーヘッダー17を設け、飛散防止カバー16の下方には、不要物30を回収する取り外し式のメッシュ籠29を備えている。 (もっと読む)



トランジスタを製造する方法は、導電材料層と電気絶縁材料層とを順に含んだ基板を準備する工程と、前記電気絶縁材料層上にレジスト材料層を堆積する工程と、前記レジスト材料層をパターニングして、前記電気絶縁材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記電気絶縁材料層を除去して、前記導電材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記導電材料層を除去し、前記導電材料層及び前記電気絶縁材料層内に凹部形状を作り出す工程と、前記基板と露出された前記電気絶縁材料層及び前記導電材料層とを第2の電気絶縁材料層で共形に被覆する工程と、前記第2の電気絶縁材料層を半導体材料層で共形に被覆する工程と、前記半導体材料層上に導電材料層を指向性堆積する工程とを含む。

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【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハWを保持して回転するスピンチャック1と、スピンチャック1の上方に配置された遮断板10とを備えている。遮断板10は、ウエハWの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材32を有している。環状部材32は、ウエハWの上面の周縁部に対向するウエハ対向面45を有する。中心軸ノズル5から、ウエハWの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハWの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面45に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材32の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、pH調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。pH調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、pHを所望のレベルに調整するよう構成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、水晶基板(基板)2に形成されたAu膜(被加工層)5を所定の形状に加工するための方法であって、Au膜5は、所定の形状である複数のSAWパターン3にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板2をエッチング液21に浸漬した状態では、水晶基板2のAu膜5の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水200中にシリコン基板100を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器20から純水200を介してシリコン基板100に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるIPAを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 (もっと読む)


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