【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にシリサイド膜にダメージが生じるのが抑制され、良好な性能を有するシリサイド膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に合金膜１３を形成する工程（ａ）と、基板１１を熱処理することでシリサイド膜１４を形成する工程（ｂ）と、基板１１に第１の溶液１５を供給して、合金膜１３のうち未反応で基板１１上に残存する部分に含まれるＮｉを溶解させる工程（ｃ）と、基板１１に、第２の溶液１８を供給して、シリサイド膜１４上に保護膜１９を形成する工程（ｄ）と、基板１１に塩酸を含む第３の溶液１６を供給して、基板１１上に残留する金属１７を溶解させる工程（ｅ）とを備えている。工程（ｃ）では、シリサイド膜に含まれるＮｉと第２の溶液１８とが反応することで、錯体からなる保護膜１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】電解加工の研磨精度並びに研磨レートの向上を図る。
【解決手段】ウェーハWの被加工対象膜と電解加工装置10の電極31との間のギャップGを電解液の静圧或いは動圧を利用して極小に制御する。電解液33は誘電体微粒子を含有したものを用い、電解液をギャップ間へ供給しつつ通電して電解加工を行う。ギャップ中の誘電体微粒子が被加工対象膜に近接、または接触した箇所の電位勾配が急峻となり、その部分に活性化エネルギーが集中して除去加工が進行する。誘電体微粒子は分布確率の一様性に応じて被加工対象膜の全面に均等に作用し、表面が荒れることなく鏡面が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の導電性膜の通電不良による加工残りを無くし、ウェハ全面に安定して電流を供給して導電性膜を除去し、既に加工された導電性膜の腐食を防止する。
【解決手段】ウェハＷの外周部に複数のウェハチャック４１〜４６を着脱可能に取り付け、各ウェハチャック４１〜４６に電解加工時にウェハＷと接触する給電電極を設ける。加工ヘッド３はアーム６によりウェハＷの半径方向に移動可能に保持し、加工ヘッド３をウェハＷの中心から外周部に向かって移動させながら、常に均等な電気を供給してウェハＷ表面の導電性膜Ｍを除去する。又、既に電解加工が終了した部分から、導電性膜を保護する表面保護用の酸化防止剤５３を塗布する。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜法を用いた方法であって、厚みが大きくパターン化された材料層を、容易にその側面が基板となす角度を垂直等の任意の角度とすることのできる方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に、中間樹脂層２２を有するレジスト層２を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層２に所定のパターンを露光する露光工程と、基板１が露出するトレンチを形成するとともに当該トレンチ側面に溝２３が形成されるように中間樹脂層２２を除去して、レジストフレームを形成する現像工程と、材料パターン部分３１及び被リフトオフ部分３２を有する真空成膜層３を真空成膜法により形成する真空成膜工程と、被リフトオフ部分３２をレジストフレームとともに除去して、材料パターン部分３１を有する材料パターンを得るリフトオフ工程とを備える、パターン化された材料層の形成方法。 （もっと読む）