【課題】スクラッチの発生を抑制して酸化シリコン膜を平坦化する化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、化学的平坦化方法は、飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程を含む。前記方法は、凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】ガラスや他の酸化シリコンをベースとする又は窒化シリコンをベースとする系、及びそれらの厚さが変化する層に対して高い潜在処理量を有する技術的に簡単で、液体又はガス相での慣用の湿式又は乾式エッチング方法よりも著しく低コストである、エッチング方法に使用できるエッチング媒体を提供する。
【解決手段】上記課題は、無機のガラス状又は結晶性の表面をエッチングするための、非ニュートン流動性を有する、均質な、粒子を含まない、プリント可能なエッチング媒体により達成できる。 （もっと読む）

【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】厚みに面内分布が生じていても均一にエッチングすることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を保持して回転させる載置台２２と、前記載置台２２に保持された被処理物にエッチング液を供給するエッチング液供給部６と、前記エッチング液が供給された被処理物の厚み、または前記エッチング液が供給された被処理物に形成された膜の厚み、を測定する測定部２５と、前記載置台２２と、前記エッチング液供給部６と、前記測定部２５と、を制御する制御部５とを備え、前記制御部５は、前記測定部２５による測定結果に基づいて、前記エッチング液供給部６に所定の範囲より厚い厚みの部分に対してエッチング液を供給させる。 （もっと読む）

【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給機構４は、傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗの上面へ向けて噴射する噴射ノズル４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に延在するスプレーパイプ４２に取り付けられている。各スプレーパイプ４２は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ４２との間隔が、下方のスプレーパイプ４２より狭い間隔に配置している。また、噴射ノズル４１は、下方ほど、ノズル吊下具４３を長寸にすることにより、噴射ノズル４１と基板Ｗとの距離を、下方ほど小さくしている。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体８１で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ８６で計測し、この混合用の液体８１を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルＮＢを含む液体Ｌに入れ、粒度分布測定器１００によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布Ｆ１とナノバブルの粒度分布Ｆ２とを求め、ナノバブルを含む液体Ｌ中の標準粒子の粒度分布Ｆ１のピーク値Ｐ１に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布Ｆ２のピーク値Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応するナノバブルの個数を求める。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板１を準備する。前記基板１上に先ずシード層１１を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層１１上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】本発明は、比誘電率が１０以上のhigh-k材料から構成されるＭＩＭキャパシタの高誘電率膜がトランジスタや配線の設けられる箇所に形成されない半導体装置を容易に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地電極を形成する工程と、前記下地電極上にフォトレジストを塗布する工程と、前記下地電極の外周部より中央側において前記フォトレジストに開口部を形成する工程と、比誘電率が１０以上のhigh-k材料から構成される高誘電率膜を成膜する工程と、前記下地電極の外周部より中央側に前記高誘電率膜が残るように、リフトオフを行なう工程と、前記リフトオフにより残された前記高誘電率膜上に上地電極を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】一様な表面粗化を可能とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。
【解決手段】いったん使用したエッチング液を管路により電解再生槽内に導いて再生した後、管路を通して供給口から前記処理槽内に戻すという液循環型の表面粗化装置において、処理槽は略直方体の形状であり、処理槽内で処理される基板の面と直角をなす側面の一方に、第１排出口と第２供給口が設けられ、もう一方の側面の第１排出口と対向する位置に第２排出口が設けられ、第２供給口と対向する位置に第１供給口が設けられ、各供給口および各排出口から一定の距離に整流部材を有し、第１排出口から電解再生槽を経由して第１供給口に至る第１循環路および第２排出口から電解再生槽を経由して第２供給口に至る第２循環路を交互に使用して液を循環させることを特徴とする、ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの主面上に形成した絶縁膜の膜厚分布を均一にする。
【解決手段】半導体ウエハ１の主面上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極６を形成し、このゲート電極６を覆うように層間絶縁膜としての絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２には、ゲート電極６に起因して凹凸形状が形成されているため、ＣＭＰ処理で平坦化する。このＣＭＰ処理は、半導体ウエハ１の主面の周辺部１Ａは、主面の中央部１Ｂに比べて、研磨量が大きくなる傾向にある。このため、半導体ウエハ１の主面において、ＣＭＰ処理時の研磨量が少ない領域よりも、研磨量が多い領域で、絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように、ウェットエッチングにより絶縁膜１２の膜厚分布を補正してから、絶縁膜１２をＣＭＰ処理して平坦化する。ＣＭＰ処理後の絶縁膜１２の膜厚は周辺部１Ａと中央部１Ｂでほぼ同じになる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ１の周囲に複数のエッチングユニット６を配置する。このエッチングユニット６内に設けられたエッチングローラー１０には、各エッチングユニット６ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー２０，２１が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸８部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を洗浄するに際して、加工時間を短くすることができるとともに、工程欠陥が少なく、有効に基板洗浄を行うことが可能な枚葉式洗浄装置を提供すること。
【解決手段】それぞれに注入口１１Ａ及び放出口１１Ｂを備えた複数の搬送通路１１が内部に形成された注入軸１０を固定台１７上に立設し、該注入軸１０の上部に前記放出口１１Ｂのそれぞれに連通する配置で下部ノズル１４を装備し、前記注入軸１０の外周側に、前記注入軸１０に対して回動自在にして、モーター２を有する中空軸３を配置し、少なくとも前記中空軸３の回転数を制御可能な制御手段７を前記中空軸３に連結し、前記中空軸３の上方に、基板を装着可能な基板チャック４を連結し、前記基板チャック４の上方に上部ノズル８を配置した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少量の処理液で効率的に基板を処理する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｓを水平姿勢で搬送する搬送ローラ１４と、基板Ｓの上面に対向する対向面１６ａを有し、この対向面１６ａと基板上面との間に微小隙間を形成するプレート部材１６と、基板搬送方向における上流側から前記隙間内にエッチング液を供給するノズル２０と、同下流側から前記隙間内にエッチング液を供給するノズル２１と、を備えている。 （もっと読む）