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Fターム[5F043AA38]の内容

ウェットエッチング (11,167) | 被エッチング体 (2,299) | 絶縁層 (600) | 多層構造 (18)

Fターム[5F043AA38]に分類される特許

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【課題】所定の安定した特性を有するN−MISFETとP−MISFETとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101の上に高誘電体膜121と、第1の膜122と、犠牲導電膜123と、第2の膜124とを順次形成した後、第2の膜124におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を第1の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第2の膜124に含まれる第2の金属元素を犠牲導電膜124におけるP−MISFET形成領域101Pに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜124及び第1の膜122におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を、それぞれ第2の薬液及び第3の薬液を用いて選択的に除去する。第3の膜125を形成した後、第3の膜125に含まれる第3の金属元素を高誘電体膜121中に拡散させる。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層30と、窒化物半導体層30上に配置された第1の絶縁膜41と、第1の絶縁膜41上に配置された第2の絶縁膜42と、窒化物半導体層30上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極51,52と、第1及び第2の主電極51,52間で第2の絶縁膜42上に配置され、第1及び第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート60とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層30の表面と第1の絶縁膜41の側面とのなす第1の傾斜角が、窒化物半導体層30の表面と第2の絶縁膜42の側面を延長した線とのなす第2の傾斜角よりも小さく形成されている。 (もっと読む)


【課題】 窒化ケイ素のエッチングにおいて、酸化ケイ素をエッチングすることなく、選択的に窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングする方法を提供する。
【解決手段】 エッチング槽及びエッチング再生槽を有するエッチング装置を用い、リン酸、フッ化ケイ素化合物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素をエッチングする方法であって、
(a)エッチング槽に、リン酸、フッ化ケイ素化合物及び水を連続的、又は断続的に供給して、エッチング槽内で窒化ケイ素をエッチングする工程、
(b)エッチング槽中のエッチング液を、エッチング槽から連続的又は断続的に抜き出し、エッチング液再生槽に移す工程、
(c)エッチング液再生槽に移されたエッチング液にフッ酸及び/又はフッ酸塩を供給し、ケイ素、水、フッ素の一部乃至全部を除去する工程、並びに
(d)エッチング液再生槽内の、ケイ素、水、フッ素の一部乃至全部を除去した液をリン酸として(a)の工程に戻す工程、
を含むエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】 使用時に発塵が抑制された積層体、電子回路部品用積層体、特に、ハードディスクドライブ用ワイヤレスサスペンション用の積層体の製造方法、及び該積層体の製造に用いる絶縁体の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1無機物層−絶縁層−第2無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体をウエットエッチングすることによりパターニングし、該パターニングされることにより該第1無機物層、第2無機物層及び無機物層の少なくとも一部が除去されて露出した絶縁層に対して100℃以上で熱処理する積層体の製造方法である。該絶縁層は、単層構造又は2層以上の積層構造の、絶縁ユニット層からなる絶縁体であり、該絶縁ユニット層の材料は、ポリイミドである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、微細半導体素子の加工方法にかかわり、特に、通常high-k/メタルゲートと呼ばれる構造の素子の微細化に適した加工方法に関する。
【解決手段】Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 (もっと読む)


【課題】 シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が形成された被処理物の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、下記(A)成分又は(B)成分の少なくとも何れか一方と、下記(C)成分と、下記(D)成分とを含み、下記(A)成分又は(B)成分の少なくとも何れか一方と、(C)成分との含有量の合計が、微細加工処理剤の全体量に対し90重量%以下である。
(A)成分:0.01重量%〜20重量%のフッ化水素
(B)成分:0.1重量%〜20重量%のフッ化アンモニウム、又は第四級アンモニウムフロライドの少なくとも何れか一方
(C)1重量%〜80重量%の塩酸、硝酸、硫酸及びリン酸からなる群より選択される少なくとも何れか1種の酸
(D)水 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって:ハフニウムおよび/またはジルコニウムを含む第1の酸化物材料を含む高誘電体層と;前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および/または、アルミニウムを含む第2の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と;酸化剤を含む水溶液である液体Aを前記半導体ウエハの表面に供給する工程SAと;工程SAの後に、6未満のpH値の液体である液体Bを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程SBと;工程SBの後に、少なくとも10ppmのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Cを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程SCとを備える方法が開示されている。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって:酸化ランタンまたは酸化ランタニド(例えば、Dy23、Pr23、Ce23)を含む層を準備する工程と;炭酸水である水溶液を供給することにより、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層を特定の領域で除去して、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層が上に蒸着された表面を露出させる工程とを備える方法が開示されている。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長されたPZT膜を適度なエッチングレートで加工可能な圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第1電極膜11上に、PZT膜15をエピタキシャル成長させる成長工程と、成長工程の後に、エッチング液を用いてPZT膜15を所望の形状に加工する加工工程と、を備え、エッチング液は、塩酸及び硝酸のうち少なくとも一方の酸を、エッチング液の重量に対する塩酸及び硝酸のそれぞれの重量濃度をCHCl及びCHNO3とした場合にCHCl+3.3CHNO3が1wt%以上10wt%以下となるように含有すると共に、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を、エッチング液の重量に対する、フッ化アンモニウム及びフッ化水素に由来するフッ素の重量濃度が0.1wt%以上1wt%以下となるように含有する。 (もっと読む)


【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも1種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも1つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び/又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される(1種又は複数の)材料の実質的な除去を実現する。 (もっと読む)


【課題】高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸、クエン酸、マロン酸およびコハク酸から選ばれる1種以上の有機酸または硫酸および/または塩酸である無機酸とフッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選択される1種以上であるフッ素化合物からなる水溶液であるHfOおよび/またはHfSiONである高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 (もっと読む)


【課題】化学エッチング液の膜を通じた拡散による犠牲膜材料の分解により、微細構造のエアギャップを形成する。
【解決手段】微細構造に少なくとも一つのエアギャップ35を製造する方法として、(a)犠牲材料で充填された少なくとも一つのギャップ35を備えた微細構造を提供し、前記ギャップ35は非透過性膜であるが犠牲材料を分解する性質を有する化学エッチング液の作用により透過性膜へと転換し得る膜33によりその表面の少なくとも一部分を覆われ画定される工程と、(b)膜33を透過性へと転換させ犠牲材料を分解するために前記化学エッチング液と微細構造とを接触させる工程と、(c)微細構造から化学エッチング液を除去し、前記化学エッチング液はフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウムを含む流体である工程を含む。 (もっと読む)


【課題】金属層の損傷を抑制した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Cu配線2上に酸化膜3を堆積する工程と、前記酸化膜3をドライエッチングして、前記Cu配線2に通達するビアホールHを形成する工程と、前記ビアホールH内にDIWを供給する工程と、前記DIWを供給した後に、前記ビアホールH内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールH内に導電材料5を埋め込む工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、2つの仕事関数の半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板の第1領域及び第2領域上にデバイスを設けることを備える。これは、基板の第1領域及び第2領域上に誘電性層を設けること、及び第1及び第2領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。第1領域上のゲート電極及び第2領域上のゲート電極の両方は仕事関数を有する。上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第1領域上にキャッピング層を設けることで第1領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第2領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第2領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 (もっと読む)


【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び/又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 (もっと読む)


【課題】微細なパターンを有する膜の形成を実現するパターニング方法と、このパターニング方法を用いて製造した積層体、アレイ基板ならびに微細化された電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターニング方法は、金属含有層からなり、所望のパターンの開口17が設けられたマスクM1を基板10の上に形成する工程と、前記基板10上の前記開口17が設けられた領域および前記マスクM1の上に被パターニング膜20を形成する工程と、前記マスクM1を前記基板10から剥離する工程と、を含み、前記基板側10の開口17の面積は、他方の開口17の面積と同一であるか、または他方の開口17の面積より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に積層した上部構造層に光入射用の開口部を設けた光検出器の製造において、上部構造層の上面のシリコン窒化膜を保護するために塗布されるポリイミド膜が開口部に厚く溜まり除去しにくい。
【解決手段】上部構造層86の表面に平滑化膜140を塗布し、開口部116の開口端の角部142を滑らかに覆う。平滑化膜140をエッチングし、平滑化膜140の膜厚が薄い開口端にて露出する角部142を当該エッチング処理で削る。これにより開口部116の開口端を拡大する。平滑化膜140を剥離後、ポリイミド膜を塗布する。開口端の拡大により、ポリイミド膜が開口部116内に厚く溜まることが防止され、開口部116からの除去が容易となる。 (もっと読む)


【課題】 改善されたしきい電圧およびフラットバンド電圧の安定性を有するCMOS構造を形成する方法およびそれにより生産されたデバイスを提供することにある。
【解決手段】 発明の方法は、nFET領域とpFET領域とを有する半導体基板を設けるステップと、高k誘電体の上に絶縁中間層を含む誘電体スタックを半導体基板の上に形成するステップと、pFET領域から絶縁中間層を除去せずに、nFET領域から絶縁中間層を除去するステップと、pFET領域内に少なくとも1つのゲート・スタックを設け、nFET領域内に少なくとも1つのゲート・スタックを設けるステップとを含む。絶縁中間層はAlNまたはAlOxNyにすることができる。高k誘電体は、HfO2、ハフニウム・シリケート、またはハフニウム酸窒化シリコンにすることができる。絶縁中間層は、HCl/H2O2過酸化水素溶液を含むウェット・エッチングによりnFET領域から除去することができる。 (もっと読む)


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