【課題】異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化銅用エッチング液は、キレート剤と酸化剤と界面活性剤とを少なくとも含み、該キレート剤が、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化および複雑化せず、処理液から発生する気泡を効果的に消泡することのできるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理装置１Ａは、ガラス基板２００が搬送される搬送路を内部に含む処理槽１０と、搬送路の上方に位置し、搬送路上を搬送されるガラス基板２００に対してエッチング液１００を供給する吐出管２１と、搬送路よりも下方に位置する処理槽１０の底部および側部にて構成され、エッチング液１００を一時的に貯留するとともに、貯留されたエッチング液１００を処理槽１０の外部に排出する排出部１３と、搬送路よりも下方でかつ排出部１３の上方に位置し、排出部１３に一時的に貯留されたエッチング液１００の液面に生じた気泡１０２を加熱することで当該気泡１０２を破泡するヒータ３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化銅用エッチング液は、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種以上のキレート剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面をより少ない回数の走査で所望のプロファイルに効率良く加工するエッチングノズル及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチングノズル４１は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管４２の内側開口４４から被加工物表面に供給し、かつ外側管４３の外側開口４５から吸引回収することによりエッチング加工を行う。外側開口４５の外周縁形状は、エッチングノズルの移動方向に沿った第１方向の寸法と該移動方向に直交する第２方向の寸法とを有し、第１方向の寸法を第２方向に沿って、被加工物の加工前における断面プロファイルと目的の断面プロファイルとの差である加工プロファイルに対応するように変化させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する半導体層と、前記半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記半導体層に一部が接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタにおいて、前記基板全面に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記ソース／ドレインと電気的に接続される第１電極、有機膜層及び第２電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄板化された基板を局所的に平坦化することができ、かつ装置の小型簡略化が可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング用の処理液を噴出させる噴出口３３ａと、噴出口３３ａから噴出した処理液を吸引する吸入口３４ａと、を備えたノズル３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつエッチング液の使用量を削減することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Ｑを被処理体（基板Ｓ）上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Ｑとの界面Ｆの照射領域Ｒに光Ｌを照射する光照射工程と、を含み、液配置工程では、被処理体上のエッチング箇所にエッチング液Ｑを選択的に配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しながらも、特性のばらつきがなく、信頼性に優れたノーマリオフ特性を有する窒化物半導体からなる半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、窒化物半導体からなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成され、該チャネル層１０３よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に選択的に形成されたｐ型半導体層１０５と、ｐ型半導体層１０５の上に形成されたゲート電極１０６と、ゲート電極１０６の両側方の領域に、それぞれ少なくとも電子供給層１０４と接するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑えることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液を被処理体上に配置する液配置工程と、前記被処理体と前記エッチング液との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。エッチング液に光を照射し当該エッチング液を化学的に活性化させることで被処理体がエッチングされる。化学反応のみによって被処理体をエッチングすることができるので、プラズマを照射する場合に比べて被処理体に及ぼす熱の影響を抑えることができる。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置などの平板ディスプレイ表示装置の薄膜トランジスタ製造工程において、微細パターンに形成された透明伝導膜のエッチング溶液組成物に関する。
本発明は、含ハロゲン化合物０．０５〜１５重量％、補助酸化剤０．１〜２０重量％、エッチング調節剤０．０５〜１５重量％、残渣抑制剤０．１〜１５重量％、腐食抑制剤０．３〜１０重量％及び全体組成物の総重量が１００重量％になるようにする水で構成され、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象が発生しないようにする透明伝導膜エッチング組成物に関する。
本発明の透明伝導膜エッチング組成物は腐食抑制剤と経時変化抑制剤を含む水溶液であり、従来の透明伝導膜エッチング組成物で発生する側面エッチング現象、経時変化現象、エッチング時の残渣発生現象、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象などの欠点を完全に解消することができる。特に本発明は、従来の透明伝導膜エッチング組成物の主要問題点であるエッチング時の残渣発生現象と銅膜、銅膜銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象を解消するため、透明伝導膜の選択的パターンエッチングが可能である。
また、本発明による透明伝導膜エッチング組成物は適切なエッチング速度及び適切な傾斜角を提供することができ、蒸発量を顕著に減少させてエッチング組成物の成分量の変動を減少させ、それによるヒューム（ｆｕｍｅ）発生量を減らすことにより、大気環境汚染を防止することができる長所を有している。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】処理液の使用量を低減しながらも、基板表面を均一に処理する。
【解決手段】基板１０を所定の搬送方向Ａへ搬送可能に支持する支持機構と、支持機構に対向して配置され、該支持機構に支持されている基板１０の表面に処理液を供給するための供給口と、処理液を基板１０の表面から吸引するための吸引口とを有する複数の処理ヘッド２０とを備え、各処理ヘッド２０は、互いに異なる処理を基板１０に行うと共に、搬送方向Ａに並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】 グラフェンナノデバイスの製造を提供する。
【解決手段】 ナノスケールのグラフェン構造製造技術が提供される。マスクとして有用な酸化物ナノワイヤが、グラフェン層上に形成され、次にイオンビームエッチングが実施される。ナノスケールグラフェン構造は、イオンビームエッチング後、残った酸化物ナノワイヤを除去することにより製造される。 （もっと読む）