【課題】ウエハからチップへの分割における工数を低減して簡易なものにするとともに、歩留りを高い状態で維持することのできる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リッジストライプ１２と略垂直な方向にウエハ２０を劈開してバーを得るために形成される一次分割溝２２と、リッジストライプ１２と略平行な方向にバーを分割してチップを得るために形成される二次分割溝２１と、をウエハ２０に形成した後に、ウエハ２０をバー、チップへと分割を行う。このように構成することで、複数のバーのそれぞれに二次分割溝２１を形成する必要が無くなるため、大幅に工数の削減をすることができる。 （もっと読む）

【課題】微細孔（貫通孔）の形成において、エッチングマスクと孔側壁の凹凸を一括で除去でき、工数及びコストを削減した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面から他方の面に至る微細孔が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一方の面側であって、前記微細孔の一端を覆うように配された電極と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記半導体基板の他方の面に形成したエッチングマスクにより、該半導体基板の他方の面から、前記電極が露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の側壁の凹凸の除去と、前記エッチングマスクの剥離とを一括に行う工程Ｂと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】長期にわたり、高い精度で均一なエッチングができるエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】エッチング液１２を保持するエッチング槽１０にディフューザ２０の本体２１を配置し、湿った気体から気泡を発生させて曝気攪拌を行う。例えば、コンプレッサ３１により圧縮され除湿された空気を、加湿槽３３内の水中を通過させて湿らせてディフューザ２０の気体供給管２２に供給する。ディフューザ２０の本体２１の小孔を通る気体は湿潤であり小孔の内壁の乾燥を防止するので、スケール付着による小孔の閉塞が防止され、ディフューザ２０から長期にわたり均一に気泡が発生される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生する薬液蒸気が処理槽を有するシンク外へ飛散するのを効果的に抑えて高品質の基板処理を可能にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方が開口した有底の容器からなる処理槽２Ａ〜２Ｄと、ウェーハＷを把持する把持機構１１と、把持機構が連結されてウェーハの処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び処理槽内からの引き上げを行う昇降装置１０と、昇降装置が連結されてウェーハを処理槽へ搬送する搬送装置７と、を備える基板処理装置１において、処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに処理槽の開口部を覆うことができる搬送装置に連結された飛散防止カバー８を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のベベル部に付着した付着物を効果的に除去することができ、製品の歩留りの低下を抑制させた半導体装置の製造方法およびこれに用いられる製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、保持チャック３１に保持された半導体基板１０のベベル部をリングヒーター３０を用いて加熱する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、吐出ノズル３２から噴出された洗浄液３３により、半導体基板１０のベベル部を洗浄する工程（ｂ）とを備えている。工程（ａ）では、リングヒーター３０をベベル部における上面と側面と下面とを覆うように設置する。 （もっと読む）

【課題】基板上の処理液の温度をより適正に保ちながら処理を進めることができ、しかも、装置構成を簡単、かつ安価とする。
【解決手段】エッチング装置１０は基板Ｓを水平姿勢で搬送しながらその上面にエッチング液を供給するものである。このエッチング装置１０は、基板Ｓのうちその幅方向両端部分であって、かつ所定のパターン形成領域よりも外側の領域をローラ２６により支持した状態で基板Ｓを搬送するローラコンベア１６と、前記ローラ２６による基板Ｓの支持位置よりも幅方向内側の位置でエッチング液と同温度の流体（エッチング液）を噴出することによりその流体圧により基板Ｓをその下側から支持する流体圧支持装置１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハから水晶振動子などの圧電振動子を製造するにあたり、ウエハの振動子形成領域の破損を抑えること。
【解決手段】圧電基板であるウエハにフォトリソグラフィーを利用して、多数の圧電振動子を形成してこれら圧電振動子を分断する圧電振動子の製造方法において、圧電基板の周縁部に圧電振動子を形成するための振動子形成領域を囲うように、クラック伝播防止用の貫通孔を形成し、前記貫通孔形成後、前記圧電振動子形成用エッチングマスクを形成し、次いで前記振動子形成領域に圧電振動子を形成する。ウエハの周端から中央に向かってクラックが発生しても、クラックの広がりを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を均一にエッチングすることができるエッチング液供給装置、エッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明によるエッチング液供給装置は、エッチング槽でガラス基板をエッチングするエッチング装置に、水、フッ酸、及び無機酸を含む複数の構成成分からなるエッチング液を供給し、エッチング槽で用いられたエッチング液のフィードバックを受けるエッチング液タンクと、エッチング液タンクのエッチング液をエッチング槽に供給するエッチング液移送部と、エッチング液タンクのエッチング液における構成成分の少なくとも一部である制御構成成分の濃度を測定する濃度測定手段と、制御構成成分を各制御構成成分別にエッチング液タンクに供給する構成成分供給部と、濃度測定手段の測定結果に基づいて制御構成成分が供給されるように構成成分供給部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程に続いて残留物を効果的に除去する化学処方物であって、ウエハ上に残ることになる脆い構造を攻撃せずかつ分解するおそれのないものを提供すること。
【解決手段】以下に示した重量パーセント範囲で、以下の成分を含有する、プラズマアッシング後の半導体製造で使用する半導体ウエハ洗浄処方物：フッ化アンモニウムおよび/またはそれらの誘導体１〜21％；有機アミンまたは２種のアミンの混合物20〜55％；水23〜50％；金属キレート化剤またはキレート化剤の混合物０〜21％。 （もっと読む）

【課題】基板から有機フィルムを容易且つ良好に除去することができるフィルム除去方法を提供する。
【解決手段】基板３０上に接着剤１５０によって接着された有機フィルム１４０を基板から除去するフィルム除去方法であって、有機フィルム及び接着材を過酸化水素水２００に所定時間浸漬した後に、有機フィルムを基板から引き剥がすことで、有機フィルムを基板から除去する。 （もっと読む）

【課題】不要なエッチングの進行が防止される表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造方法は、相互に間隔をおいて対向するように設けられた一対のガラス基板１１，１２を有する表示パネル１０の外周部の少なくとも一部分について、一対のガラス基板１１，１２の両側端面を被覆保護するように耐エッチング材２０を設ける被覆処理ステップと、両側端面を被覆するように耐エッチング材２０を設けた一対のガラス基板１１，１２のそれぞれの露出部分をエッチング処理することにより薄肉化するエッチング処理ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理の時間およびエッチング終了から洗浄開始までの時間を短縮することにより、その間においてエッチングむらが生じにくいようにし、また設置面積を小さくする。
【解決手段】 エッチング液タンク９内のエッチング液２を処理槽１内に供給し、この供給されたエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理が終了し、処理槽１内のエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収したら、直ちに、純水供給管１４から純水３を処理槽１内に供給し、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対して洗浄処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】対象物を均一な厚さにエッチングして製品の収率を向上させることができるエッチング装置及びこの装置を利用して対象物をエッチングする方法を提供すること。
【解決手段】エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。これによって、エッチング過程において、対象物の破損を防止し、対象物の厚さを均一にエッチングすることができるため、対象物の厚さを最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】前面発光型窒化物系発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 （もっと読む）

【課題】端面処理の粗さに起因して発生する不良を低減することができるウェーハの端面
処理方法を提供する。
【解決手段】複数の平板状のウェーハ１を積層し、仮接着剤２により各ウェーハ１間を接
着して積層ブロック１０を形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック化工程により積
層した積層ブロック１０の四方側面をラッピングするラッピング工程と、ラッピング工程
によりラッピングした積層ブロック１０の四方側面を所定のエッチング液３１によりエッ
チングするエッチング工程と、エッチング工程によりエッチングした積層ブロック１０か
ら仮接着剤２を除去して各ウェーハ１を剥離する剥離工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】磁性層のエッチング工程において、磁性層を正確にエッチングして所定の形状とすることができ、かつ、導電層や絶縁層がエッチングされることを防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をエッチングマスクとして、第１磁性層１６をエッチングし、磁性層を所定の形状にパターニングする。エッチングにあたっては、燐酸、または燐酸含む化合物もしくは混合物を用いてエッチングを行う。燐酸成分を含むエッチング液によってエッチングを行うことで、例えばＮｉ−Ｚｎフェライト合金など燐酸、または燐酸含む化合物もしくは混合物などで浸蝕される第１磁性層１６は、レジスト層のパターンに倣ってエッチングされ、例えば開口１６ａなどが形成された所定の形状とされる。 （もっと読む）

【課題】徒に工程数を増加させることなく、強誘電体キャパシタにダメージを与えずに強誘電体キャパシタに対する開孔を層間絶縁膜及び水素拡散防止膜に形成し、しかも不要な残存物を除去する。
【解決手段】ドライエッチングにより、層間絶縁膜３３に強誘電体キャパシタ構造３０への第１のビア孔３４ａ，３５ａを形成した後、ウェットエッチングにより、第１のビア孔３４ａ，３５ａに整合するように、水素拡散防止膜２８，２７に強誘電体キャパシタ構造３０の一部を露出させる第２のビア孔３４ｂ，３５ｂを形成し、第１のビア孔３４ａ，３５ａと第２のビア孔３４ｂ，３５ｂとがそれぞれ連通してなるビア孔３４Ａ，３５Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板などの被処理物に付着した異物（析出物など）を好適に除去することが可能な液体エッチング式表面処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液を用いて被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング室２と、エッチング処理後の被処理物に対する水洗処理を行う水洗室３と、エッチング室２から水洗室３に被処理物を搬送する複数の搬送ローラー４を備える。被処理物において搬送ローラー４に接触する面に付着した異物を水洗室３内において力学的に掻き落とす回転式ブラシ５を備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートが速く、電気機械結合係数が大きいニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物を含有しＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物の合計含有量が、０．１ｍｏｌ％以上で、３．０ｍｏｌ％以下のニオブ酸リチウム単結晶を製造し、該単結晶を温度５０℃以上のフッ酸、硝酸及びそれらの混合液と水とを混合した溶液中に浸し、溶液を攪拌させながらウェットエッチングをおこなう。 （もっと読む）