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Fターム[5F043BB06]の内容

ウェットエッチング (11,167) | エッチング液、洗浄液、表面処理液 (2,072) | III−V族化合物半導体用 (228)

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【課題】バルクAlN上にエピタキシャル成長させた1層以上の層からバルク窒化アルミニウム(AlN)を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクAlNはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクAlNの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 (もっと読む)


【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板1上に半導体積層9とマスク層11を形成する工程と、マスク層11を用いて半導体構造物10をエッチングすることにより、第1方向に沿って延びる半導体メサ15であって、第1方向と直交する第2方向において被エッチング領域17と隣接する半導体メサ15を形成する工程と、マスク層11を半導体メサ15上に残した状態で、被エッチング領域17の第1領域17A1のみに埋め込み層19Aを形成する工程と、上部電極25を形成する工程と、を備える。上部電極25は、半導体メサ15の上面15Tから被エッチング領域17の第2領域17A2に亘って形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層13及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層10を半導体基板11の主面11aにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層10の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層10に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】チャネル領域の低抵抗化を図りながら、ノーマリオフを実現する。
【解決手段】半導体装置を、キャリア走行層3及びキャリア供給層5を含む窒化物半導体積層構造と、窒化物半導体積層構造の上方に設けられ、活性化領域10と不活性領域10Aとを有するp型窒化物半導体層6と、p型窒化物半導体層の不活性領域上に設けられたn型窒化物半導体層7と、p型窒化物半導体層の活性化領域の上方に設けられたゲート電極13とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】AlGaInP多重量子井戸からなる活性層13を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるn型AlGaInPクラッド層12の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長前の表面処理(エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理)において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 (もっと読む)


【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板10上に非接触にレーザ集光手段16を配置する工程と、レーザ集光手段16により、基板10表面にレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光26を集光する工程と、レーザ集光手段16と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層12を形成する工程と、基板10側壁に改質層12を露出させる工程と、改質層12をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 (もっと読む)


【課題】ウェットエッチングの際に所定の位置で確実にエッチストップすることができる構造を提供する。
【解決手段】電流狭窄層(窒化物半導体層3)と接しており、かつ電流狭窄層(窒化物半導体層3)よりも基板1側に位置する窒化物半導体層2に遷移金属を導入する。窒化物半導体層2がn型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属(Ti)、またp型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属(Cu)を導入する。この構成に対して、PECエッチングを行うと、電流狭窄層(窒化物半導体層3)と窒化物半導体層2の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 (もっと読む)


本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】 半導体下層と半導体上層が積層された半導体積層体において、半導体下層の表面に損傷を与えることなく、半導体下層の一部を露出させる技術を提供する
【解決手段】 半導体下層18の表面の一部に、半導体上層15とは格子定数の異なる格子不整合層30を形成する工程と、格子不整合層30の表面と格子不整合層30で被覆されていない半導体下層18の表面に、半導体上層15を結晶成長させる工程と、格子不整合層30上の半導体上層15に形成された転位40を介してウェットエッチング液を導入し、格子不整合層30とその格子不整合層30上の半導体上層15を除去して半導体下層18の一部を露出させる工程を備える。ドライエッチングにより半導体下層18に損傷を与えることなく、半導体下層18の一部を露出させることができる。 (もっと読む)


【課題】発光光の取り出し効率を高めることが可能な発光デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一導電型半導体層と逆導電型半導体層とが積層されてなる、前記一導電型半導体層と前記逆導電型半導体層との境界を含む発光部分を有する発光構造体と、前記発光構造体の上面と接合した電流拡散層と、前記電流拡散層の上側面に被着された電極層とを有し、前記電極層は、前記境界の周縁線よりも外側領域に配置されていることを特徴とする発光デバイスを提供する。 (もっと読む)


【課題】 超格子/量子井戸構造体を含むセグメント化された半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セグメント化された半導体ナノワイヤは、テンプレートなしに、2つ又はそれ以上の半導体材料の層状構造体から材料を除去することによって製造する。除去は、層状構造体の表面上のいくつかの場所で起こり、優先的に結晶軸の方向に沿って進行するので、除去が殆どまたは全く生じなかった場所に、セグメント化された構造体を有するナノワイヤが残る。異なるセグメント間の界面は、ナノワイヤの長手方向に対して垂直であるか又はある角度をなしている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばIII−V族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体(1,2)の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層3等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。
【解決手段】半導体薄膜(20)が基板(11)上にあるときに、複数の半導体薄膜(20)を互いに連結して支持するための連結支持体(90)を設ける。連結支持体(90)は、シート状部分(91)と、シート状部分(91)と半導体薄膜(20)との間に空隙を設けるためのスペーサ部(92)とを備えており、この隙間(20)が、基板(11)の面に平行な方向にエッチング液を通過させる。 (もっと読む)


【課題】均質で意図しない不純物の混入のないIII−V族化合物結晶の製造装置および製造方法に適用され得る種結晶表面のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶2を反応室11内に格納した後、触媒剤6および76を結晶成長容器12に導入する工程、反応室11内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体層の表面に形成される粗面の凹凸の形状及び分布を改善して、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】AlXInYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表される半導体層を備えた発光素子を製造するにあたり、半導体層の表面を、少なくとも半導体層のバンドギャップエネルギよりも高いエネルギに相当する波長領域の光を照射しない状態で薬液によりウエットエッチングして粗面化するようにした。 (もっと読む)


【課題】除去可能な突起物を把握でき、半導体層の表面から突出する突起物を適切に除去することができる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層5の表面から除去される突起物は、キャップ層5の表面に形成されたレジスト層22の厚さよりも高い突起物A1,C2に限定される。したがって、形成するレジスト層22の厚さに基づいて、除去可能な突起物の高さを予め把握できるので、過不足のないエッチングによって、キャップ層5の表面から突出する突起物を適切に除去できる。レジスト層22の厚さを変えながらステップS11〜S17を繰り返すことにより、ウエハの不必要なエッチングを防止しつつ、突起物をより完全に除去できる。 (もっと読む)


【課題】III−V族半導体基板からバルク金属汚染を除去するための単一工程の方法を提供する。
【解決手段】該方法は、金属汚染したIII−V族半導体基板を、体積比x:y HSO:H(xは3〜9、yは1)を有する硫酸および過酸化物の混合物の中に浸漬することを含む。本発明の実施形態に係る方法を用いてIII−V族半導体基板を処理した後、バルク金属汚染は、基板からほぼ完全に除去できるとともに、処理後の基板の表面粗さは、2μm×2μmの表面グリッドに関して0.5nmRMS未満とすることができる。本発明は、半導体デバイスを製造する更なる処理ステップを実施する前に、本発明の実施形態に係るバルク金属汚染を除去する方法を用いて、半導体デバイスを製造するための方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ウエハからチップへの分割における工数を低減して簡易なものにするとともに、歩留りを高い状態で維持することのできる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リッジストライプ12と略垂直な方向にウエハ20を劈開してバーを得るために形成される一次分割溝22と、リッジストライプ12と略平行な方向にバーを分割してチップを得るために形成される二次分割溝21と、をウエハ20に形成した後に、ウエハ20をバー、チップへと分割を行う。このように構成することで、複数のバーのそれぞれに二次分割溝21を形成する必要が無くなるため、大幅に工数の削減をすることができる。 (もっと読む)


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