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Fターム[5F043BB10]の内容

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Fターム[5F043BB10]に分類される特許

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【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第1表面と、第1表面に接することとなる転写先基板側の第2表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、GeSi1−x(0<x≦1)からなる、複合基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】リーク特性のばらつき幅を低減可能な、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第1溶液を用いた処理を行って半導体積層53bに第1処理面65fを処理装置10dで形成する。第1溶液による処理温度は、摂氏50度以上摂氏100度以下である。第1溶液の濃度は5パーセント以上であり、50パーセント以下である。第1処理工程に引き続き第2処理工程を行う。第2処理工程では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第2溶液を用いた処理を半導体積層53bに行って半導体積層53bに第2処理面65gを処理装置10eで形成する。第2処理工程の後において、半導体積層53bの処理面65gのドナー性不純物の濃度は5×1017cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Br−アルコール液を有するエッチング液のエッチングレートを安定させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、Brをアルコールで希釈した溶液に、該アルコールよりも比重が小さく、かつ該アルコールに難溶解性の液体である封止液を加えたエッチング液に、ウエハを浸漬させて該ウエハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光デバイスからの光抽出を向上させること。
【解決手段】発光デバイスは、n型領域とp型領域の間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とn型領域及びp型領域のうちの1つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、GaN又はGaPのようなn型半導体材料である。 (もっと読む)


【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】p−型窒化物半導体層30と、該p−型窒化物半導体層30上に位置する発光層20と、該発光層20上に位置するn−型窒化物半導体層10と、該n−型窒化物半導体層10上に位置するエッチング障壁層40と、該エッチング障壁層40上に位置する光抽出構造50と、を含んで構成され、前記エッチング障壁層40は、前記n−型窒化物半導体層10よりも大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記エッチング障壁層40の少なくとも一部が前記光抽出構造50と接している。 (もっと読む)


【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、(a)窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、(b)前記不純物領域を熱処理する工程と、(c)前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面16をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、界面活性剤、糖アルコール類、フェノール類、アゾール類、および複素環化合物からなる群から選択される少なくとも一つと、酢酸と、フッ化水素酸と、硝酸とを含む。 (もっと読む)


【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第1のサイズd1を有する第1基板31に窒化物半導体層11を形成する。窒化物半導体層11上に第1のサイズd1より小さい第2のサイズd2を有する第1接着層12aを形成し、第2基板32上に第2接着層12b形成する。第1および第2接着層12a、12bを重ね合わせ、第1および第2基板31、32を張り合わせる。第2のサイズd2より大きいまたは等しい第3のサイズd3を有する凹部31aを生じるように第1基板31を除去する。凹部31aに薬液を注入し、窒化物半導体層11が露出するまで第1基板31をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層11を更にエッチングし、窒化物半導体層11の露出面を粗面化する。 (もっと読む)


【課題】実用上十分なプロセスマージンを備える状態で、リーク電流の増大およびキャリア濃度の低下を招くことなく、ゲート電極とチャネル層との距離が短縮できるようにする。
【解決手段】InPからなる基板101の上に形成された電子供給層102と、電子供給層102の上に形成されたスペーサ層103と、スペーサ層103の上に形成されたチャネル層104と、チャネル層104の上に形成された障壁層105とを備え、障壁層105は、GaおよびAlの少なくとも1つと、Inと、Pとを含んだアンドープの化合物半導体から構成し、InPよりショットキー障壁高さが高いものとされている。 (もっと読む)


【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】AlGaInP多重量子井戸からなる活性層13を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるn型AlGaInPクラッド層12の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート動作に関与する結晶表面における表面電荷蓄積を大幅に低減し、ピンチオフ特性が得られる、高性能のInN系FETを提供すること。
【解決手段】チャネル層としてInN系半導体を含む電界効果トランジスタである半導体装置であって、InN系半導体でなるチャネル層2の表面(c面)に、段差を形成して窒化物半導体の六方晶結晶のa面もしくはm面でなる側壁面2aを形成し、この側壁面2aにゲート電極6が配置され、ゲート電極6を挟むようにソース電極3とドレイン電極4がc面上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 (もっと読む)


【課題】特殊な技術を用いることなく、LEDの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化(凹凸化)することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】無機酸と、金属化合物とを含む組成とする。
さらに、有機酸、有機酸塩、無機酸塩、界面活性剤のいずれかを含む組成とする。
さらに、無機酸として、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸のいずれかを含む組成とする。
また、金属化合物として、鉄系化合物を用いる。
有機酸および有機酸塩として、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシカルボン酸、ホスホン酸、スルホン酸およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種を用いる。
本発明のエッチング液組成物を用いて、AlGaInP膜、AlGaAs膜、GaAsP膜のいずれか半導体膜をエッチングし、表面を粗面化する。 (もっと読む)


【課題】CARE法のメリットを延ばし、CARE法のデメリットを補完することで、十分な加工速度を確保しながら、被加工物の加工後における加工表面にダメージを残すことなく該加工表面の平坦度を高めた表面除去加工を行うことができるようにする。
【解決手段】緩衝剤を含む第1処理液中に被加工物を配し、ガラス系金属酸化物からなる触媒定盤を透過させて被加工物の被加工面に光を照射させながら、触媒定盤の表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる光照射触媒基準エッチングで初期表面除去工程を行い、ハロゲン化水素酸、過酸化水素水またはオゾン水からなる第2処理液中に被加工物を配し、少なくとも表面が、白金、金、セラミックス系固体触媒、遷移金属、及びガラス系金属酸化物の何れかのみからなる触媒定盤の該表面を被加工物の被加工面に接触または極接近させる触媒基準エッチングで最終表面除去工程を行う。 (もっと読む)


【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板1の上方に設けられたGaN電子走行層2と、GaN電子走行層2上に設けられた第1AlGaN電子供給層3と、第1AlGaN電子供給層3上に設けられたAlN電子供給層4と、AlN電子供給層4上に設けられた第2AlGaN電子供給層5と、第2AlGaN電子供給層5及びAlN電子供給層4に設けられたゲートリセス9と、ゲートリセス9に設けられたゲート電極12とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、c面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に1次微細パターンを形成し、上記1次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記1次微細パターンが水平方向に延びた2次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた2次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード(LED)の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶10の上に被着された金属層11を、熱処理によりパッド12を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔13を通して第1の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ15を形成する。次いで第2の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ16を形成する。つづいて、HFによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶17が得られる。 (もっと読む)


【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するAlN層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板(2)の表面(2’)に対して実質的に垂直な側面を有するAlN層を作製する方法において、基板(2)上にAlN成長層(4,4’)を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にAlN層(31)を堆積する段階と、その少なくとも1つの縁部が、前記基板(2)の表面(2’)または前記成長層(4)の表面(4’)に実質的に垂直な平面において少なくとも1つの縁部(10,12,14)または前記成長層(4,4’)の側面(10a,10b)と整列されるように、AlN層を覆ってマスク層(40,40’)を形成する段階と、を有する方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】Zn極性面(+c面)を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「ZnMg1−xO(式中、xは、0<x≦1を満たす数である。)」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Zn極性面(+c面)をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】機械的にパターン形成されたIII族窒化物の層を製造する方法を提供する。
【解決手段】本方法は結晶質基板を提供すること、および基板の平坦な表面上にIII族窒化物の第1の層を形成することを含む。第1の層は単一極性であり、また基板の一部を露出する孔または溝のパターンを有する。次いで、本方法は、第1の層と基板の露出部の上に第2のIII族窒化物の第2の層をエピタキシャル成長することを含む。第1および第2のIII族窒化物は異なる合金組成物を有する。また、本方法は第2の層を塩基の水性溶液に曝し、第2層を機械的にパターン形成することも含む。 (もっと読む)


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