【課題】所定の安定した特性を有するＮ−ＭＩＳＦＥＴとＰ−ＭＩＳＦＥＴとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１の上に高誘電体膜１２１と、第１の膜１２２と、犠牲導電膜１２３と、第２の膜１２４とを順次形成した後、第２の膜１２４におけるＮ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｎに形成された部分を第１の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第２の膜１２４に含まれる第２の金属元素を犠牲導電膜１２４におけるＰ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｐに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜１２４及び第１の膜１２２におけるＮ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｎに形成された部分を、それぞれ第２の薬液及び第３の薬液を用いて選択的に除去する。第３の膜１２５を形成した後、第３の膜１２５に含まれる第３の金属元素を高誘電体膜１２１中に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】透明導電性薄膜又は透明導電性薄膜積層体の従来のエッチング液は、導電性薄膜等のアンダーカットを生じる問題があるので、これを解決できるエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸、過酸化水素及び含窒素化合物を含有する、透明導電性薄膜及び透明導電性薄膜積層体をエッチングに用いられるｐＨ７．０未満のエッチング液。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｔｉを含む第１層と、Ｃｕ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含む第２層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第１層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのｐＨが７〜１４であるエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】導電膜の所望部分を面内均一に除去することが出来ると共に高性能な導電膜を得ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ層と、該カーボンナノチューブ層を覆うオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法であって、前記カーボンナノチューブ層が、単独では、実質上、エッチングされないものの、前記オーバーコート層のエッチングによって、前記カーボンナノチューブ層が共にエッチングされる前記オーバーコート層のエッチング剤が、前記オーバーコート層上に、所定パータンで塗布される塗布工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエットエッチング方法は、基板Ａ上に形成された少なくとも１層の膜をウエットエッチングする処理工程と、処理工程を終えた基板Ａを水洗する水洗工程と、水洗工程を終えた基板Ａを乾燥する乾燥工程とを含み、処理工程と水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液ＥＬを基板Ａに噴射する超音波液噴射工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池パネルの製造プロセスにおいて、エッチング液を循環させつつ基板に供給してエッチング処理をする場合に、エッチング液の特定成分の濃度を測定して正確な測定値に補正し、この補正測定値に基づいて適正量の特定成分の補充を行ってエッチング液の濃度管理を行うエッチング液濃度管理装置を提供する。
【解決手段】エッチング液３４の循環経路の途中でその一部をサンプリング液として取り出して導電率計５８とｐＨ計６０へ導入し、導電率計５８によってサンプリング液中の塩酸の濃度を常時測定して塩酸の濃度を求める一方、エッチング処理が所定時間経過する毎にまたは所定枚数の基板Ｗのエッチング処理が終了する毎に、ｐＨ計６０によってサンプリング液中の塩酸の正確な濃度を測定して塩酸の濃度を求め、ｐＨ計６０よる測定値によって導電率計５８による測定値を補正し、この補正値に対応した適切な補充量の塩酸をエッチング液３４に補充する。 （もっと読む）

【課題】臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）２−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、２−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で５〜２０質量％と、（Ｂ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物０．０５〜５質量％とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】蓚酸を含むエッチング液Ｌが貯留された貯留槽１１からノズル体１６，１７にエッチング液Ｌを供給して吐出させ、酸化インジウムスズ膜が形成された基板Ｋをエッチングするとともに、ノズル体１６，１７から吐出されたエッチング液Ｌを貯留槽１１内に回収するエッチング工程と、貯留槽１１内に貯留されたエッチング液Ｌをキレート剤が充填された吸着容器３２，３３内に通液させて、エッチングによりエッチング液Ｌに含まれるようになったインジウムイオン及びスズイオンを吸着，除去した後、貯留槽１１内に還流させる金属除去工程とを含むエッチング方法において、貯留槽１１内に貯留されるエッチング液Ｌのインジウムイオンの濃度を２６０ｐｐｍ以下に維持する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に残渣の発生が少なく、低発泡な透明導電膜用のエッチング液を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、硫酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウムおよびチオ硫酸アンモニウムからなる群の少なくとも１種の化合物と、水を含有するエッチング液を使用する。透明導電膜の残渣が少なく、発泡も少ないので、均一にムラ無く透明導電膜をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び／又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

Ｉｎ、Ａｌ及びＭｏを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、４５〜７０重量％のリン酸、２〜１０重量％の硝酸、５〜２５重量％の酢酸、０．０１〜３重量％の含フッ素化合物、０．１〜５重量％のリン酸塩、及び残量の水を含む。
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【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

【課題】基板上に下地膜なしに形成された透明導電膜のみならず基板上の下地膜上に形成された透明導電膜についても、エッチング残渣除去性能に優れ、発泡を抑制することができ、しかも、固形物の析出がなく従来品より液寿命が長い、エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸、ナフタレンスルホン酸縮合物又はその塩、塩酸、硫酸及び水溶性アミン並びに水溶性アミンの塩酸塩、硫酸塩及び炭酸塩のうち少なくとも１種、並びに水を含有する酸化インジウム系透明導電膜用のエッチング液組成物である。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる透明膜のエッチングに際して、ジャストエッチング、オーバーエッチング等の種々のエッチング時間においても透明膜の剥離や可視光透過率の低下を生じることのないエッチング速度で処理を施すことができ、且つサイドエッチングを抑制して数μｍ幅の微細パターン（マスクサイズ）においてもエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶が基板に対してｃ軸配向し、該ｃ軸の傾きが基板垂直方向に対して４５°未満の角度で配向してなる酸化亜鉛系透明膜のエッチング方法であって、ｐＨ５〜７に調整した有機酸又は無機酸を用いてｃ軸方向のエッチング速度に対するａ軸方向のエッチング速度の比が５以下のエッチング速度でエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛系透明膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】 端子の先端に、水平方向に突出する突起を所望の形状で形成できる電気接点の製造方法を提供すること。
【解決手段】 母材を、電気接点２０Ａの形状にパターニングされたマスク３０で覆ってエッチング液で母材の不要な部分を除去することにより、電気接点２０Ａを形成する。電気接点２０Ａの先端２４の第１の突起２４ａ及び第２の突起２４ｂは、マスクの先端３４に設けた突起形成部３１ａ，３１ｂにより形成されるが、突起形成部３１ａ，３１ｂの形状を突起の形状及び形成領域のＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）の比率に応じて調整することにより、前記第１の突起２４ａ及び第２の突起２４ｂを所望の形状で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上に金属薄膜１０２を形成する工程（ａ）と、金属薄膜１０２の上にアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を形成する工程（ｂ）と、アルカリ水溶液可溶有機膜１０３の上にフォトレジスト膜１０４を形成する工程（ｃ）と、フォトレジスト膜１０４に開口部を設けてレジストパターン１０５を形成する工程（ｄ）と、薬液を用いて、開口部に露出するアルカリ水溶液可溶有機膜１０３を除去する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、ウエットエッチングにより、開口部に露出する金属薄膜１０２を除去する工程（ｆ）とを備える。 （もっと読む）