【課題】半導体装置の素子形成領域へのクラックなどの伝播を確実に防止する。
【解決手段】ウェハ１上の素子形成領域を覆うガード領域４の外側に、ｎ型拡散層１５を形成する。ｎ型拡散層１５の上には、導電性リング３３，４８，５８を形成する。最上層の導電性リング４８の上に、導電層６５を形成する。導電層６５の端面６５Ｓは、導電性リング５８の端面５８Ｓから距離Ｌ１だけ内側に形成し、導電性リング５８の上面の一部を露出させる。この後、半導体基板をアミン系薬液に浸すと、ｎ型拡散層１５と導電層６５の間の導電性プラグ３３，４８，４８の導電性材料を溶出し、スリットが形成される。 （もっと読む）

【課題】物品に付着しているよごれなどの有機物を大気中に飛散させることなく分解または除去でき、かつ物品の損傷が抑えられる表面処理方法、物品の損傷を抑えながら、物品表面をエッチングする表面処理方法、および表面を高度に洗浄し、損傷がほとんどない物品や表面をエッチングしながら、損傷のない物品を提供する。
【解決手段】水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、該液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に付着している有機物に接触させて、該有機物を材料から除去する表面処理方法；水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、前記液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に接触させて、該材料を破壊せずに、該材料の表面をエッチングするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造する。
【解決手段】半導体層２０等がチップ間で分離された状態で金属板７０のウェットエッチングを行う（金属板切断工程）。このエッチングに際しては、放熱板３０の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層５０が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート１００上で放熱板３０も発光ダイオードチップ毎に分離され、図４（ｊ）の形態が得られる。分離後にフォトレジスト層５０を剥離液で除去することにより、最終的に図４（ｋ）のように、分離された個々の発光ダイオード１０が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図４（ｊ）に示されるウェットエッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１上、又は基板１上の導電膜５０上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、基板１に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板１上又は導電膜５０上に貴金属を含む金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、金属膜のうち未反応の金属を第１の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂの上面上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第１の薬液と異なる第２の薬液を用いて基板１上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第２の酸化膜１４を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後、第１及び第２の薬液と異なる第３の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 （もっと読む）

トランジスタを製造する方法は、導電材料層と電気絶縁材料層とを順に含んだ基板を準備する工程と、前記電気絶縁材料層上にレジスト材料層を堆積する工程と、前記レジスト材料層をパターニングして、前記電気絶縁材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記電気絶縁材料層を除去して、前記導電材料層の一部を露出させる工程と、露出された前記導電材料層を除去し、前記導電材料層及び前記電気絶縁材料層内に凹部形状を作り出す工程と、前記基板と露出された前記電気絶縁材料層及び前記導電材料層とを第２の電気絶縁材料層で共形に被覆する工程と、前記第２の電気絶縁材料層を半導体材料層で共形に被覆する工程と、前記半導体材料層上に導電材料層を指向性堆積する工程とを含む。

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【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板からの被覆物の除去処理を短時間化できる上、バリ発生のない高品質なパターン生成を行うことができるようにする。
【解決手段】フォトレジストに対して溶解性がない純水２００中にシリコン基板１００を浸漬させた状態で、ホーン型超音波発生器２０から純水２００を介してシリコン基板１００に対して強力な超音波を照射することにより、金属膜の殆ど全てとフォトレジストの一部とを金属疲労の原理により、バリの発生もなく短時間で除去することができようにするとともに、金属膜を除去した後、フォトレジストに対して溶解性のあるＩＰＡを用いることによって、残ったフォトレジストを完全に除去する。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

Ｉｎ、Ａｌ及びＭｏを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、４５〜７０重量％のリン酸、２〜１０重量％の硝酸、５〜２５重量％の酢酸、０．０１〜３重量％の含フッ素化合物、０．１〜５重量％のリン酸塩、及び残量の水を含む。
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【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）