【課題】 電極を形成する工程が増えることを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、受光面を有し、該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、該基板の前記受光面の上にアルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、該被覆層の一部の上に、アルミニウムと異なる材料を主成分とするマスクを形成する工程と、前記被覆層および前記マスクを酸性溶液に浸すとともに、該酸性溶液内に配置した陰極と前記基板との間に電界を印加して前記マスクから露出している前記被覆層を陽極酸化して、前記基板の前記受光面に到る多数の貫通孔を有する、陽極酸化された該被覆層を形成する工程と、前記被覆層の前記貫通孔を通して前記基板の前記受光面のうち対応する部分をエッチングする工程と、前記マスクを除去して、前記被覆層の前記一部を電極とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を低下することなく、高集積化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、薄膜抵抗体と配線層とが、接続層とビアホールに埋設されたタングステンプラグとを介して電気的に接続されてなる半導体装置の製造方法である。従来、接続層は、バリアメタル層を介して薄膜抵抗体と接続された構成である。この接続層としてアルミニウムを用いたものでは、接続層とタングステンプラグとの線膨張係数の差異に起因してストレスマイグレーションにより、接続層にボイドが発生する懸念があった。本発明では、接続層を除去する工程を実施し、タングステンプラグをバリアメタル層と直接接続する。これにより、タングステンプラグは、アルミニウムよりなる接続層を介することなく、薄膜抵抗体と電気的に接続される。したがって、接続層におけるボイドの発生を抑制し、半導体装置の接続信頼性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い導電膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電膜パターンの製造方法は、基板１０上に導電膜２１を成膜し、導電膜２１の表面に対して他の層を積層する前に、酸素をプラズマ化したプラズマアッシング処理を施し、表面処理した導電膜２１上に、当該導電膜２１をパターン形成するためのマスクパターン３０を形成する。次いで、マスクパターン３０を用いて導電膜２１をウェットエッチングによりパターン形成する。基板１０は、半導体基板であることが好ましい。導電膜パターンは、例えば、配線、電極パッド等である。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】第１基板上の複数の半導体層から選択した半導体層を第２基板に高精度かつ少ない不良率で移設する方法を提供する。
【解決手段】第１基板１の上に犠牲層２を介して形成された半導体層３を複数の領域に分割する工程と、複数の領域のうち、第１領域において、半導体層の上面の一部にフォトレジスト５が残存し、第２領域において、犠牲層の側面をすべて覆うようにフォトレジストが残存し、かつ、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さは、第２領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さよりも大きくなるようにフォトレジストを露光し、パターニングする工程と、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストに移設用基板を接合させた状態で第１領域の犠牲層をエッチングすることで第１領域の半導体層を第１基板から分離し、当該分離された第１領域の半導体層を第２基板に移設する工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さＲａが０．０５１μｍより大きくなり、かつ該金属の表面に１〜１０μｍ径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を１．０μｍ／ｍｉｎ未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短時間に大量の基板を同時に処理することが可能であり、安価に配線基板を製造することが可能になる湿式エッチング方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム上のエッチングを行いたい部分に、ニッケル、パラジウム、白金などの触媒作用を示す機能金属を付与し、エッチング液に浸漬することで機能金属とアルミニウムの間で局部電池作用が発生し機能金属が接触している近傍において優先的にエッチングが進行する。さらに、エッチング液にアルミニウムよりもイオン化傾向が低く、機能金属よりもイオン化傾向が高い金属イオンをエッチング液に組み合わせることで、機能金属上には水素ガスが発生せず、溶液中に含まれる金属が析出してくる。これにより、水素ガスが発生しなくなることでレジストの剥離や気泡たまりを抑制し、所望のパターンを容易に形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、１断目エッチング処理槽６１において、温度ｔ１を有するエッチング液を用いて、金属膜の表層を除去する工程と、金属膜の表層を除去する工程の後に、２〜４段目エッチング処理槽６２〜６４において、温度ｔ１よりも高い温度ｔ２を有するエッチング液を用いて、金属膜をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】マスク枚数を増加させることなく、積層構造の導電層の下層が露出した構造を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜を２層の積層構造で形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて該導電膜をエッチングし、該エッチングマスクを残した状態で該導電膜の上層をサイドエッチングして該導電膜の下層の一部を露出させてソース電極及びドレイン電極層とする。このように形成したソース電極及びドレイン電極層と画素電極層は、露出された下層の部分において接続される。ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＡｌ層とすればよい。エッチングマスクに開口部が複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、を備える薄膜トランジスタの製造方法であって、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、オーミックコンタクト層と、ソース・ドレイン電極と、がこの順に積層される積層ステップと、積層ステップによって積層されたソース・ドレイン電極とオーミックコンタクト層とがエッチングガスでエッチングされるエッチングステップと、オーミックコンタクト層がエッチングされてゲート絶縁膜が露出し始める点をエッチング終了ポイントとして検知するエッチング終了検知ステップと、を備える薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理膜（特に、被処理膜における除去すべき部分）を、残存させることなく除去する。
【解決手段】ウェットエッチングにより、基板の上に形成された被処理膜における第１の部分を除去し、被処理膜における第２の部分を除去せずに残存させる。次に、ウェットエッチングにより、被処理膜における第２の部分を除去する。被処理膜における第２の部分の面積は、６０ｍｍ²以上である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを搬送する搬送装置２と、基板Ｋ上にエッチング液を供給して金属膜をエッチングする第１エッチング部１０と、金属膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第１洗浄部１５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第１乾燥部２０と、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含む処理ガスを用い、略大気圧下で、基板Ｋ上のシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング部３０と、シリコン含有膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第２洗浄部３５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第２乾燥部４０とを順次搬送方向に配設する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液を貯留する薬液貯留手段と、前記薬液貯留手段に貯留された前記エッチング液をエッチング処理されるワークに供給する薬液供給手段と、前記ワークに供給された前記エッチング液の残渣を前記薬液貯留手段に回収する薬液回収手段と、前記薬液貯留手段に前記一の成分薬液を補給する成分薬液補給手段とを備え、前記成分薬液補給手段は前記薬液貯留手段に補給される前記一の成分薬液の水分濃度を低減する水分濃度低減手段を含む。 （もっと読む）

【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】高温での成膜が必要な厚い膜で、寸法精度良く微細なパターンを形成する。
【解決手段】レジスト４２の耐熱温度を超える温度に加熱された後に、除去することができるアルミ膜４１をガラス基板２６の表面に成膜し、アルミ膜４１上にレジスト４２を塗布する。その後アルミ膜４１上に一様な厚さにレジスト４２を塗布し、露光及び現像して、アルミ膜４１を部分的に露呈するレジストパターン４３を形成する。次に、レジストパターン４３をマスクとしてアルミ膜４１をエッチングし、ガラス基板２６の表面を露呈させ、アルミ膜４１上にレジストパターン４３を残したままの状態で、アルミ膜４１よりも厚く、レジスト４２の耐熱温度よりも高温で遮光膜２７を成膜する。そして、アルミ膜４１を希硝酸で溶解させることにより、焦げ付いたレジストパターン４３とレジストパターン４３上の遮光膜２７を同時に除去し、開口２８を有する遮光膜２７のパターンを形成する。 （もっと読む）