【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、（Ｂ）銅イオン供給源、及び（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、ｐＨが５〜８であり、（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源の（Ｂ）銅イオン供給源に対する配合比（モル比）が０．１〜２０である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の表示装置、太陽電池やタッチパネルの電極などに使用される透明導電膜のエッチング液組成物に関するものであって、銅および／または銅合金膜と酸化インジウム錫膜等の透明導電膜とを一括エッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、銅および／または銅合金膜と透明導電膜とを一括でエッチング処理するのに用いられるエッチング液組成物であって、塩酸と、塩化第二鉄または塩化第二銅と、水とを含み、塩酸の濃度が、１５．０〜３６．０重量％であり、塩化第二鉄または塩化第二銅の濃度が、０．０５〜２．００重量％である、前記エッチング液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性薄膜又は透明導電性薄膜積層体の従来のエッチング液は、導電性薄膜等のアンダーカットを生じる問題があるので、これを解決できるエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸、過酸化水素及び含窒素化合物を含有する、透明導電性薄膜及び透明導電性薄膜積層体をエッチングに用いられるｐＨ７．０未満のエッチング液。 （もっと読む）

【課題】所定の安定した特性を有するＮ−ＭＩＳＦＥＴとＰ−ＭＩＳＦＥＴとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１の上に高誘電体膜１２１と、第１の膜１２２と、犠牲導電膜１２３と、第２の膜１２４とを順次形成した後、第２の膜１２４におけるＮ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｎに形成された部分を第１の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第２の膜１２４に含まれる第２の金属元素を犠牲導電膜１２４におけるＰ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｐに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜１２４及び第１の膜１２２におけるＮ−ＭＩＳＦＥＴ形成領域１０１Ｎに形成された部分を、それぞれ第２の薬液及び第３の薬液を用いて選択的に除去する。第３の膜１２５を形成した後、第３の膜１２５に含まれる第３の金属元素を高誘電体膜１２１中に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、使用時の泡立ちが少なく、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、鎖状アルカノールアミン（Ａ）、酸基を分子内に有するキレート剤（Ｂ）、および過酸化水素（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液を使用する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物の前記銅層を選択的にエッチングするエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａから選ばれる１種以上の金属の酸化物を含む金属酸化物層と銅層とが共存する被処理物をエッチング剤により処理することで、前記銅層を選択的にエッチングするエッチング方法において、
前記エッチング剤は、第二銅イオン源を銅イオンとして０．１〜３．０重量％、炭素数が６以下の有機酸を０．１〜３０．０重量％、並びに、環内に窒素原子を２つ以上有する複素環式化合物、及び炭素数が８以下のアミノ基含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の窒素含有化合物を０．１〜３０．０重量％含有する水溶液からなり、ｐＨが５．０〜１０．５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを含む金属積層膜パターンを精度良くエッチング加工し、優れた断面形状を形成し、かつ実用性に優れた安定で液寿命の長いエッチング液組成物、およびかかるエッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は銅層と銅酸化物層および／または銅合金層とを有する金属積層膜を、過硫酸塩および／または過硫酸溶液０．１〜８０重量％と、りん酸０．１〜８０重量％と、硝酸および／または硫酸０．１〜５０重量％とを含有するエッチング液組成物であり、さらに塩化物イオンやアンモニウムイオンを加えることで、エッチングレートや断面形状を容易に制御することが可能となるエッチング液組成物またはエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】欠陥修復後に新たな短絡が発生するのを防止し得る半導体素子の修復方法を提供する。
【解決手段】欠陥を検出する欠陥検出工程と、欠陥の上面に位置する透明導電膜８、ｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５、活性化層４及びびｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層３を上側から除去加工する除去加工工程とを含む。除去加工工程においては、透明導電膜８の残渣Ｒの垂下長さＬがｐ型窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層５と活性化層４との合計膜厚Ｈよりも短くなるように透明導電膜８が除去加工される。 （もっと読む）

【課題】白金（Ｐｔ）化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化・腐食することなしに除去する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液を提供する。
【解決手段】白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が８〜３０質量％、塩基性化合物の添加量が１〜１５質量％、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない２５℃でのｐＨが８以上の水溶液であることを特徴とする。過酸化水素をさらに添加することによりタングステン系金属とチタン系金属の積層膜あるいは合金膜の除去に適用することができる。他方、過酸化水素を無添加とすることにより、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いた半導体装置を作製する際の加工技術を確立する。
【解決手段】Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層上に接して形成する導電層を選択的に除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、塩素を含むガスに加えて酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用い、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層がほとんど除去されないように導電層を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｖ、Ａｌ、及びＧｅの少なくとも１種を含む金属材料層と、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が８以上の疎水性基と１つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、ｐＨを３〜７に調整したものを使用するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】 電極材料などに用いられている銅および／または銅合金に対してダメージがなく、結晶質ＩＴＯ膜をエッチングすることが可能な透明導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 １〜１０重量％のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さＲａが０．０５１μｍより大きくなり、かつ該金属の表面に１〜１０μｍ径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を１．０μｍ／ｍｉｎ未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）