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【課題】ガラスや他の酸化シリコンをベースとする又は窒化シリコンをベースとする系、及びそれらの厚さが変化する層に対して高い潜在処理量を有する技術的に簡単で、液体又はガス相での慣用の湿式又は乾式エッチング方法よりも著しく低コストである、エッチング方法に使用できるエッチング媒体を提供する。
【解決手段】上記課題は、無機のガラス状又は結晶性の表面をエッチングするための、非ニュートン流動性を有する、均質な、粒子を含まない、プリント可能なエッチング媒体により達成できる。 (もっと読む)


【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層30と、窒化物半導体層30上に配置された第1の絶縁膜41と、第1の絶縁膜41上に配置された第2の絶縁膜42と、窒化物半導体層30上に互いに離間して配置された第1及び第2の主電極51,52と、第1及び第2の主電極51,52間で第2の絶縁膜42上に配置され、第1及び第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート60とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層30の表面と第1の絶縁膜41の側面とのなす第1の傾斜角が、窒化物半導体層30の表面と第2の絶縁膜42の側面を延長した線とのなす第2の傾斜角よりも小さく形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温(約60℃)のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハWの回転速度が所定の低回転速度(たとえば10rpm)まで減速される。また、DIWノズル6からDIW、回転中のウエハWの表面の中央部に供給される。ウエハW表面に供給されたDIWにウエハWの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハW表面の中央部に供給されたDIWは当該中央部に留まり、ウエハW表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハW表面の周縁部がエッチング処理される。 (もっと読む)


【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置3は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器8を備える。処理液容器8の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口12となっている。処理液容器8の上部には、配管13が接続されており、配管13を介して負圧源としての真空装置(図示せず)が接続され、配管13には処理液容器8内に気体(たとえば大気)を導入するための気体導入配管14が分岐接続されている。処理液容器8に貯留された処理液は、処理液容器8に気体を導入することによって重力落下により基板Wに吐出され、処理液容器8への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板1を準備する。前記基板1上に先ずシード層11を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層11上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および/または水などの、流体と混合される1つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 (もっと読む)


【課題】透明であっても従来のSi基板と同様の手法により存在を検出することが可能な基板、および当該基板の製造方法を提供する。
【解決手段】透明な基板1の端部(図1における基板1の左右側)に入射する光線10は、基板1の中央部分に入射する光線10のように基板1を透過せず、基板1の端部の少なくとも一部に存在する検出領域の全反射面2によって全反射される。基板1の端部において光線10の透過する割合が小さくなったことを光電センサ30が認識することにより、基板1の存在を検出することができる。 (もっと読む)


本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】アルミニウム表面の自然酸化物を過不足なくエッチングするためのエッチング終点検出装置を提供する。
【解決手段】酸を含むエッチング液4によりアルミニウム電極パッド1の自然酸化膜をエッチングする際のエッチング終点検出装置10は、エッチング液4中に光を照射する発光素子6と、上記光の透過光を受光する受光素子11と、アンプ12と、コンパレータ13とを備えている。アルミニウム電極パッド1とエッチング液4との反応により水素ガス5が発生すると、上記透過光は低下し、振動する。受光素子11の出力はアンプ12によって増幅され、コンパレータ13によって透過光量低下後の電圧を弁別される。あるいは、コンパレータ13に代えてスペクトルアナライザによって透過光量振動時の電圧を弁別される。よって、エッチング終点検出装置10は、自然酸化膜のエッチングの終点を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウエハの枚葉処理における湿式エッチング装置のクリーンルーム占有床面積の拡大を防止し、生産性の向上を図ること、並びにそれに伴う歩留改善、間接材料の使用量低減可能な作業方法の確立を図る。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ1のエッチング方法は、半導体ウエハ1を床面に対して垂直に保持した状態でエッチングするもので、吸着チャック10に垂直に保持された半導体ウエハ1と垂直状態で相対するエッチング機構13の正面部17並びに凸部18の間に、上から下に流れる落ちるエッチング液による薬液層19を形成しつつ、半導体ウエハ1を低速回転させながらエッチングする。 (もっと読む)


エッチング液を複数のウェーハに塗布するための方法及びシステムが開示されている。システムは、エッチング液を保持するように構成された液溜めと、前記液溜めに連通した液体中に外面を有するローラーであって、前記外面上に前記エッチング液を有するように構成されたローラーと、その内部に置かれたウェーハを、前記ウェーハのエッジが前記ローラーと接触するように保持するために構成されたウェーハカセットとを含んでいる。前記ウェーハカセットによって前記ウェーハは軸周りで軸回転できる。ウェーハのエッジにエッチング液を塗布する方法は、ウェーハのエッジを、ローラーに接触させて位置付ける工程と、前記ローラーの長手軸の周りに前記ローラーを回転させる工程と、を含んでいる。前記ローラーの少なくとも一部分は、前記エッチング液を前記ウェーハのエッジに塗布するように、回転中に液溜め内に含まれるエッチング液と接触する。
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【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも1種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも1つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び/又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される(1種又は複数の)材料の実質的な除去を実現する。 (もっと読む)


【課題】 基板表面に形成される被膜のうち、基板の端縁部表面の端縁部被膜に処理液を吐出して、端縁部被膜を除去するときに、ピンホール発生頻度を低減することができるとともに、被膜除去性が充分に発揮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 端縁部被膜16に向けて処理液の吐出を開始する処理液吐出初期工程および処理液の吐出を停止する処理液吐出終期工程において、処理液供給管6内を流れる処理液をバイパス配管10に分岐して流して、処理液吐出ノズル5から吐出する処理液吐出流量が小さくなるように設定し、ピンホール発生頻度を低減する。また処理液吐出中期工程において、処理液吐出流量が大きくなるように設定し、端縁部被膜16を完全に除去する。 (もっと読む)


本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜(14)を堆積する方法であって、a)少なくとも2層のマスク層(4,6)を形成し、これらの層において少なくとも1つの空洞(10,10’,12,12’)をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも1つの断絶部を有するような断面を有する段階と、b)前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第1材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも1つの断絶部を有する段階と、c)前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】超臨界流体を媒体として被処理基体を処理する処理方法において、薬液を混合した超臨界流体を処理槽に導入したときの、処理槽の圧力変動を防止する。
【解決手段】本発明の基体処理方法は、超臨界流体を処理槽22に直接供給して処理槽22を所定の処理圧力とした後、混合部25から薬液を混合した超臨界流体を処理槽22に導入するようになす。 (もっと読む)


【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Wの表面周縁領域(=NTR2+TR)のうち非処理領域NTR2にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域TRに薬液が供給されて当該処理領域TRの不要物(薄膜TF)がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域TRと非処理領域NTR2の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域NTR2側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とTR非処理領域NTR2の界面を良好に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工する微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、0.05〜10重量%のフッ化水素、10〜39重量%のフッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン又は脂肪族アミノハイドロフロライドの少なくとも何れかの界面活性剤を0.001〜0.1重量%添加したものであり、フッ化水素の含有量をX重量%、フッ化アンモニウムの含有量をY重量%とした場合に、X及びYは下記数式を満たし、シリコン化合物含有膜とポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比(シリコン化合物含有膜/(ポリシリコン膜、又はアモルファスシリコン膜))が1000以上である。
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【課題】等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板に被エッチング層を形成し、この被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする段階と、該フォトレジスト層のコーティングされた被エッチング層にリソグラフィを行い、リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む被エッチング層に第1等方性エッチングを行なう段階と、このフォトレジストパターンを含む被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する段階と、溶着されたパシベーション層のうち、第1等方性エッチングされた所定の部分のパシベーション層を除去する段階と、パシベーション層の除去された所定の部分に第2等方性エッチングを行なう段階と、を含む。ここで、パシベーション層の所定の部分を除去する段階を省略し、直接第2等方性エッチングを行なう段階に移行しても良い。 (もっと読む)


半導体素子を形成する方法が提供される。本方法によれば、基板(203)を、第1ゲート構造(205)及び第2ゲート構造(207)が基板の上に配設されるように設ける。第1ストレッサ層(215)を基板の上に形成し、そして犠牲層(216)を第1ストレッサ層の上に形成する。第2ストレッサ層(219)を犠牲層の上に形成する。
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