【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】ガラスや他の酸化シリコンをベースとする又は窒化シリコンをベースとする系、及びそれらの厚さが変化する層に対して高い潜在処理量を有する技術的に簡単で、液体又はガス相での慣用の湿式又は乾式エッチング方法よりも著しく低コストである、エッチング方法に使用できるエッチング媒体を提供する。
【解決手段】上記課題は、無機のガラス状又は結晶性の表面をエッチングするための、非ニュートン流動性を有する、均質な、粒子を含まない、プリント可能なエッチング媒体により達成できる。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、熱燐酸溶液を用いた窒化シリコン膜のエッチング選択性を高めたエッチング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、エッチング方法は、シリコン窒化膜の表面と、前記シリコン窒化膜と異なる材料の非エッチング膜の表面とを含む処理面に熱燐酸耐性材料を供給し、前記シリコン窒化膜の表面よりも相対的に密に前記熱燐酸耐性材料が前記非エッチング膜の表面に形成された状態で、熱燐酸溶液を用いて前記シリコン窒化膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 処理液の濃度を直接検出できるため、独立した濃度制御が行え、しかも、レンズの温度変化による測定誤差が生じにくいため、基板の薬液処理を精度良く行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 燐酸と希釈液を混合してなる処理液中に基板を浸漬して処理を行う基板処理装置において、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段７を備え、濃度検出手段７は、処理液を内部に導入して流通させる光透過部１５１と、それに所定の波長の光を照射する発光部１５２と、そこからの光を光透過部１５１を介して受光する受光部１５３と、発光部１５２から発光された光を光透過部１５１に集光させる第１のレンズ１５４と、光透過部１５１を通過した光を受光部１５３に集光する第２のレンズ１５５と、これらの少なくともいずれかを冷却する冷却機構１６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はエッチング処理装置で循環使用、あるいは、エッチング処理後、珪素除去装置で珪素成分を除去した燐酸溶液中の珪素濃度を弗化水素酸で分解し、発生した四弗化珪素（ＳｉＦ₄）を赤外吸収測定器で簡易に迅速かつ精度よく測定し、安定した珪素濃度管理が可能とする測定装置及び測定方法を提供すること。
【解決手段】稼働中の半導体基板処理装置においてエッチング液として循環使用されている燐酸溶液中の珪素濃度の測定方法であって、前記半導体基板処理装置から１００〜１８０℃に加熱された一定量の燐酸溶液を抜き出し、これを急速に５〜５０℃に冷却し、しかる後、急速に５〜５０℃に冷却された該一定量の燐酸溶液に弗化水素酸を添加して両者間の反応により四弗化珪素を生じさせ、更に、生成した四弗化珪素をキャリアガスにより気化させ、気化した四弗化珪素ガスの濃度を赤外吸収測定器により測定することを特徴とする燐酸溶液中の珪素濃度の測定装置及び測定方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置構成にて確実にリン酸水溶液を再生することができるリン酸再生方法、リン酸再生装置、および、そのリン酸再生装置を用いた基板処理システムを提供する。
【解決手段】浸漬処理装置２の浸漬処理槽２０に加熱したリン酸水溶液を貯留し、そこにシリコン窒化膜が形成された基板Ｗを浸漬してエッチング処理を行う。繰り返しエッチング処理に使用されてシリコン濃度が上昇したリン酸水溶液は、浸漬処理装置２からリン酸再生装置５の貯留タンク５０に移送されて貯留される。貯留タンク５０内にて使用後のリン酸水溶液の徐冷を行うことによって、ケイ素酸化物を含む不純物が析出し、その不純物は比較的サイズの大きな粒子に成長する。不純物が析出したリン酸水溶液がフィルター５１を通過することによって、不純物がフィルター５１に付着して除去され、リン酸水溶液の再生処理がなされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比を達成する技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、シリル化剤を供給してシリコン酸化膜表面にシリル化膜からなる保護膜を形成する工程を有している。その後、前記基板に、エッチング液を供給する。このことによりシリコン窒化膜のみを選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４を供給して基板を加熱するプリヒート工程と、その後、前記基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４と、ＨＦ、ＮＨ_４ＦおよびＮＨ_４ＨＦ_２のうちの少なくともいずれか一つと、Ｈ_２Ｏとの混合液体を供給するエッチング工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。
【解決手段】蓋１のエッチング液３と対向する内側には、その周縁部に少なくとも２列の突起構造物８、９が複数配列されている（例えば、２列）。この複数配列構造は全体的に見ると千鳥状配列になっている。この複数配列構造において、蓋１の外側の配列を第１の配列とし、内側の配列を第２の配列とする。第１の配列の互いに隣接する突起構造物８間の間隔（Ａ）は、この間隔（Ａ）に対向する第２の配列の突起構造物９の長さ（Ｂ）と等しいかそれより短くなっている（Ａ≦Ｂ）。槽内の圧力が必要以上に上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜された透明導電膜等の被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、レーザー照射によって発生する被加工膜のバリや溶融物等の不要物の付着が無くかつ所定のパターンを有する被加工膜を形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に成膜された透明導電膜２にレーザー照射を行うことにより透明導電膜２に所定のパターン５を形成するパターン形成方法において、透明導電膜２上にその上面を被覆する薄膜状の犠牲層４を成膜し、犠牲層４を介して透明導電膜２にレーザー照射を行い、その後、エッチング液として熱燐酸を用いて、レーザー照射により発生し犠牲層４の上面に付着した透明導電膜２及び犠牲層４のバリ、溶融物等の不要物３を犠牲層４と共に除去するウェットエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シリル化剤が基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗがシリル化される。その後、エッチング剤が基板Ｗに供給されることにより、シリル化された基板Ｗがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が１００Å／分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が７５以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間１４０℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜が表面に形成された被処理体について、窒化シリコン膜を選択的にエッチングすると共に速やかに窒化シリコン膜をエッチングすることができる技術を提供する。
【解決手段】フッ化アンモニウム水溶液と酸性薬液とを含みｐＨが制御された処理液を処理容器に供給する工程と、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜がその表面に形成された被処理体を前記処理容器内の前記処理液に浸漬する工程と、前記処理容器内の前記処理液を１００℃よりも高い温度に加熱すると共に該処理容器内を加圧し、前記窒化シリコン膜を選択的にエッチングする工程と、からなるエッチング処理とする。 （もっと読む）

【課題】 二酸化ケイ素と窒化ケイ素を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルコキシシラン、フッ化水素酸、ヘキサフルオロリン酸およびテトラフルオロホウ酸からなる群より選ばれる１種以上のフッ素原子を含む酸、および水を必須成分とする窒化ケイ素用エッチング液を用いる。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）