【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。導電層３の上にレジストパターン４を形成する。レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。レジストパターン４の表層部を一部削る。レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第１の層と第２の層とを有した多層構造のうちの前記第１の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも２つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第１の層にエンボス処理を施す工程（ａ）と、前記深い部分の底部で、前記第２の層の下地表面が露出するように、前記第１の層を介して前記第２の層をエッチングする工程（ｂ）と、前記浅い部分の底部で前記第２の層の表面が露出するように、前記第１の層をエッチングする工程（ｃ）と、を包含している。 （もっと読む）

【課題】残渣の発生を防止することが出来る導電膜パターニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜Ｌを形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜Ｌ上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜Ｒを積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜Ｒに対して露光マスクＭを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜Ｒの現像を行うとともに導電膜Ｌのエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入領域をパターン形成した感光性樹脂を除去する時に、シリコン基板を酸化させないことで、酸化による基板の削れを抑制する。
【解決手段】 半導体基板１０３にトランジスタのゲート電極１０１を形成し、半導体基板の上に絶縁膜１０４を堆積する工程と、絶縁膜１０４の上に感光性樹脂１０５を用いてイオン注入領域をパターン形成する工程と、感光性樹脂のパターンに従って絶縁膜を薬液を用いて除去することで絶縁膜のパターンを形成する工程と、絶縁膜のパターン上の感光性樹脂を薬液を用いて除去する工程と、感光性樹脂を除去した半導体基板にイオン注入を実施する工程とを含む。これにより、酸素プラズマを用いずに感光性樹脂を除去することができるため、酸素プラズマによる基板酸化、それに伴う基板の削れ量を抑制することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。
【解決手段】 第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層Ａ３の側面をレジスト層１によって被覆することができる。これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）