【課題】スクラッチの発生を抑制して酸化シリコン膜を平坦化する化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、化学的平坦化方法は、飽和濃度で溶解した酸化シリコンを含む珪フッ化水素酸水溶液を含む処理液を用意する工程を含む。前記方法は、凹凸を有する酸化シリコン膜を前記処理液に接触させた状態で前記処理液の平衡状態を変化させて、前記凹凸の凸部の溶解を生じさせて、前記凹凸の高さを減少させる工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｒ−アルコール液を有するエッチング液のエッチングレートを安定させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、Ｂｒをアルコールで希釈した溶液に、該アルコールよりも比重が小さく、かつ該アルコールに難溶解性の液体である封止液を加えたエッチング液に、ウエハを浸漬させて該ウエハをエッチングするエッチング工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング水溶液を用いたエッチング速度の向上したエッチング装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示するエッチング装置１０は、放射線１１をエッチング水溶液２０に照射する放射線源１２と、放射線１１が照射されるエッチング水溶液２０を収容するエッチング槽１３と、放射線源１２から照射される放射線１１を反射して、放射線１１をエッチング水溶液２０に照射する反射部とを備える。エッチング槽１３は、放射線１１を透過する放射線窓１５を有し、放射線窓１５の内側には、被エッチング物３０の表面を水酸基によって官能化する活性種のエッチング水溶液２０からの生成を促進する触媒層１６ａが配置される。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体８１で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ８６で計測し、この混合用の液体８１を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルＮＢを含む液体Ｌに入れ、粒度分布測定器１００によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布Ｆ１とナノバブルの粒度分布Ｆ２とを求め、ナノバブルを含む液体Ｌ中の標準粒子の粒度分布Ｆ１のピーク値Ｐ１に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布Ｆ２のピーク値Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応するナノバブルの個数を求める。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法であって、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記材料とは反応しないが、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物を含む溶液（１１）を製造するステップと、エッチングすべき前記材料の表面が前記溶液内およびガス（Ｇ）の付加的バブル内に存在するような位置に前記構造体（１）を置くステップと、可溶性化合物または沈殿物を生成しながら前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応するように、前記付加的バブルの存在下で反応性キャビテーションバブルを発生できる少なくとも１つの周波数で高周波超音波を溶液内で発生させるステップとを備える、構造体をエッチングするための方法に関する。
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【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽１０と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管１２と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの周縁部上の処理位置に刷毛部材７が配置される。カーボンファイバにより形成された弾性線状体１６が、ウエハＷ上のフッ硝酸の液膜に接触する。可撓性を有する弾性線状体１６は、フッ硝酸の液膜に接触すると、その先端部がウエハＷの回転半径方向外方側に向く湾曲線状に弾性変形する。弾性変形後の弾性線状体１６が、そのフッ硝酸をウエハＷ外に向けて案内する。 （もっと読む）

第２物質（２）に対して第１物質（４）を選択的にエッチングするための方法および装置を提供する。第１物質（４）をエッチングするが、第２物質（２）をエッチングしない１以上の化学種を生成可能な溶液の浴槽（１１）と、キャビテーション気泡を生成するために、浴槽中に１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの周波数で超音波を発生するためのシステム（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の薄型化のためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】前記エッチング装置は、ガラス基板２０が付着できるジグ１０と、ガラス基板２０にエッチング液を噴射する噴射手段５４と、ジグ１０をエッチング装置の中に移送する進行ライン１２とで構成される。噴射手段５４とガラス基板２０との距離は、１００ｍｍ超過１５０ｍｍ以下の範囲にし、噴射圧力は０．５ｋｇ／ｃｍ^２未満にすることを特徴とする。本発明によれば、十分なエッチングが行われながらも、エッチングされたガラス基板２０の均一度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を容易に且つ高精度に形成できる結晶基板のエッチング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法。
【解決手段】結晶基板３０の表面にマスク１４０を形成し、且つマスク１４０に結晶基板３０と共に開始部１４２ａから終端部１４２ｂまで徐々にエッチングされて結晶基板３０を露出する開口部１４１の開口面積を広げると共に、外周の開始部１４２ａ以外の領域が結晶基板３０の結晶面方位の（１１１）面に沿った面で囲まれた補正パターン１４２を形成するマスク形成工程と、結晶基板３０の異方性エッチングを開始する第１のエッチング工程と、結晶基板３０の開口部１４１により露出された領域にレーザ光を照射して、結晶基板３０に厚さ方向に貫通する先孔１５０を形成するレーザ加工工程と、先孔１５０が形成された結晶基板３０を異方性エッチングして貫通孔３２を形成する第２のエッチング工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程において処理液を繰り返し使用した場合であっても被処理基板に対する処理が悪化することなく、しかも乾燥後の被処理基板の表面にパーティクルやウォーターマークが形成されることを防止することができる基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、チャンバー２内に第１のガスを満たした状態で処理液をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給して当該ウェハＷの表面の処理を行う。この際に、チャンバー２から排出される処理液を処理液供給部に戻すようにする。その後、チャンバー２内に第１のガスよりも湿度が低い第２のガスを満たした状態で液膜形成用流体をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給することによりウェハＷの表面に液膜を形成しこのウェハＷの表面の乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】 複合板として構成する場合のディメリットを解消して熱交換効率を高めるとともに、コストダウン及び耐久性向上を図る。
【解決手段】 外面に形成した熱交換面Ｃｕを冷却又は加熱することにより内部に流通する薬液Ｌに対して熱交換を行う薬液用熱交換器１を構成するに際して、内部に薬液Ｌを流通させる複数の薬液流通孔Ｒ…を形成し、かつ少なくとも外面となる上面及び下面を熱交換面Ｃｕ，Ｃｄとして形成するとともに、所定の焼成素材Ｍ（アモルファスカーボン素材又は炭化珪素素材等）を焼結することにより全体を一体形成した熱交換ブロック２を備える。 （もっと読む）

【課題】設置環境にかかわらずチャンバ内を効率よく所定の圧力に制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置１は、薬液処理を行うときには、スライドドア１５ｂを閉鎖して薬液処理室１２内を密閉する。そして、薬液処理室１２内の圧力を計測し、その計測結果に基づいて薬液処理室１２内の圧力を調節する。このため、基板処理装置１の設置環境にかかわらず、薬液処理室１２内を所定の圧力に制御できる。また、薬液処理室１２は、チャンバ１０内に部分的に形成された領域である。このため、最小限の領域を対象として、効率よく圧力を制御できる。 （もっと読む）

【課題】 金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。
【解決手段】 絶縁層６８，８１のエッチングは、１，２−エタンジオール，フッ化水素およびフッ化アンモニアを含むエッチング溶液を用いて行われる。このエッチング溶液は、絶縁層６８，８１の１００〜９００オングストロームの範囲でエッチングする。このエッチングは、絶縁層６８，８１内の移動イオンの少なくと７５パーセントを除去し、移動イオンの少なくとも９５パーセントを除去しなければならない。このプロセスは、酸フード，酸コンパチブル・スプレー・ツールまたはパドル処理ツールを用いて実施できる。このプロセスは、このプロセスを多くの異なる既存の処理工程に容易に統合できる多くの異なる実施例を含む。同様なプロセスは、レジスト・エッチバック処理工程でも利用できる。 （もっと読む）