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Fターム[5F043DD13]の内容

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Fターム[5F043DD13]に分類される特許

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【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置1は、ワークセット2を保持して回転可能な保持テーブル3と、ワークセット2の上方に配設されエッチング液40を滴下するエッチングノズル4と、保持テーブル3に保持したワークセット2の周囲に配設されワークセット2の側面に向けて水を供給する水供給手段5とを備え、水供給手段5は、水供給源51と、水供給バルブ52と、水供給ノズル50とを少なくとも備え、水供給ノズル50は、リング形状に形成されワークセット2の周囲からワークセット2の側面に向かう方向に複数の水供給口50aを備えている。そして、水供給ノズル50から供給される水がエッチング液40を薄めて洗い流すことにより、樹脂21及びワークWの下面Waのエッチングを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板のエッチング特性の劣化の抑制およびサポート基板からの汚染リスクの低減を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面とサポート基板20の表面とを接着剤15を介して貼り合わせる。前記サポート基板の周辺部の一部に撥水処理を行い、前記一部に前記接着剤の端面に接するように撥水領域22を形成する。ウェットエッチングにより、前記半導体基板を裏面側から加工する。 (もっと読む)


【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第1ノズル31Aを用い第1処理液をウエハWに供給するとともに、第1処理液を第1排出路46aから排出して第1気液分離器48aへ導く第1処理工程と、第2ノズル31Bを用い第2処理液をウエハWに供給するとともに、第2処理液を第2排出路46bから排出して第2気液分離器48bへ導く第2処理工程とを備えている。第2処理工程が開始される前に、第1ノズル31Aから第2ノズル31Bへのノズル切換作業と、案内カップ44を上下させて第1排出路46bから第2排出路46bへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第1処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置10は、基板Wを水平に保持する基板保持部21と、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆い、基板保持部21に保持された基板を覆う処理空間30を形成する天板32と、を備えている。処理空間30においては、薬液ノズル82aにより、基板保持部21に保持された基板Wに対して薬液が供給され、置換ノズル82cにより、処理空間30の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間30に供給されるようになっている。また、置換ノズル82cは、処理空間30内に進出した進出位置と処理空間30から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム82rによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54に供給される液体が流通する液体流路55が形成された供給部43と、液体流路55を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第1接続路64が形成された第1拡散板47とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Wを回転可能に保持する基板保持部11と、制御部100と、制御部100の指令により基板Wの表面Sに処理用の液体を供給する液体供給部18と、基板保持部11と基板Wの裏面Bの間に形成される裏面空間領域32に、制御部100の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系15と、制御部100の指令により裏面空間領域32内の空間圧力を制御するエアー吸引系16を備える。 (もっと読む)


【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板処理機構部2に接続されて基板Wの処理に用いた処理液Lを回収する貯留槽3と、貯留槽3内に配置されて基板Wの処理に用いた処理液Lから金属イオンを除去する処理液再生部5と、処理液再生部5により金属イオンを除去した処理液Lの濃度を補正する濃度補正貯留部51,52と、濃度が補正された処理液Lを、濃度補正貯留部51,52から基板処理機構部2に送る送液部71を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Wを水平に支持するセンターチャック13と、上向きの環状面57をそれぞれ有する複数のリング5とを含む。複数のリング5は、環状面57の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック13に支持されている基板Wの周縁部に近接した状態で、環状面57が基板Wを水平に取り囲むように、複数のリング5のいずれか一つが、センターチャック13に支持されている基板Wの周囲に配置される。 (もっと読む)


【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル2に保持されたウェーハ6の中心上方で供給ノズル3からエッチング液3bを滴下させるとともに回転テーブル2を所定の回転数で回転させエッチング液3bをウェーハ6の一方の面全体に広げ、厚み測定器4でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液3bの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ6の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第1のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第1の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第1の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第1のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第1のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】(1a)金属、及び少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
(1b−1)少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
(1b−2)金属を含む層を、前記少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理において、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成される酸化膜を抑制する。
【解決手段】重合ウェハを加熱しながら当該重合ウェハを被処理ウェハと支持ウェハに剥離する(工程A1)。その後、被処理ウェハの接合面に有機溶剤を供給し、被処理ウェハの接合面上の接着剤を除去する(工程A2)。その後、被処理ウェハの接合面に酢酸を供給し、被処理ウェハの接合面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する(工程A3)。その後、被処理ウェハの接合面を検査する(工程A4)。その後、検査結果に基づき、被処理ウェハの接合面上の接着剤を除去し(工程A5)、被処理ウェハの接合面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する(工程A6)。 (もっと読む)


【課題】金属膜の防食性が良好であり、エッチングレートおよび選択比が高く、効率的にエッチングを行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】被処理基板上に形成されたシリコンを含む膜のエッチングを行う際に用いられるエッチング液組成物であって、エッチング液組成物は、含ヒドロキシ基有機化合物、含カルボニル基有機化合物、無機酸、および無機酸塩からなる群から選択される少なくとも一つと、フッ化水素酸と、フッ化アンモニウムと、有機酸とを含む。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して処理液を供給するためのノズル81と、ノズル81を支持するノズル支持アーム82とを備えている。ノズル支持アーム82には吸引機構71が設けられている。この吸引機構71は、ノズル支持アーム82の表面に形成された吸引部78と、吸引部78を介してノズル支持アーム82の表面に付着した液滴を吸引する吸引管73と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第1の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面から除去対象物を良好に除去して、除去対象物が残存することによる基板の表面の処理に与える悪影響を抑制すること。
【解決手段】本発明では、基板(5)の裏面の除去対象物を除去する基板処理方法(基板処理システム1)において、基板支持体(34)で基板(5)の外周端を支持し、基板(5)の裏面の内周部から基板支持体(34)の近傍までの所定の処理範囲(50)で除去対象物を除去する裏面処理工程(裏面処理装置10)と、基板(5)の裏面の外周端から内周側の所定の処理範囲(71)で除去対象物を除去する裏面周縁部処理工程(裏面周縁部処理装置11)とを有し、裏面処理工程(裏面処理装置10)での処理範囲(50)と裏面周縁部処理工程(裏面周縁部処理装置11)での処理範囲(71)とが重なる重畳処理範囲(72)を設けることにした。 (もっと読む)


【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台32と、載置台32を基板とともに回転させる回転部35と、基板の表面に光を照射する光源88と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部89と、回転部35及び検出部89の動作を制御する制御部100とを有し、制御部100は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部35により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 (もっと読む)


【課題】基板の膜種、表面状態等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台32と、載置台32に載置されている基板の周縁部を保持する保持部44と、保持部44に光を照射する光源98と、保持部44からの光の光量を検出することによって、保持部に保持されている基板の保持状態を検出する検出部99とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に凹凸形状をなすよう、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンを的確かつ効率よく除去することができ、しかもそのエッチングが行われる条件下において長時間活性が維持されるシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アンモニアと、ヒドロキシルアミン化合物、塩基性有機化合物、及び金属含有塩基性化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの特定塩基性化合物とを組み合わせて含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜6に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造10の形成方法。 (もっと読む)


【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、20℃におけるpHが6.0〜8.0の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のpHを6.0未満、または8.0より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 (もっと読む)


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