【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト２の上に被パターニング膜３を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜３のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト２を露出させるようする。そして、レジスト２を除去することで、レジスト２の上の被パターニング膜３をリフトオフさせ、被パターニング膜３をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト２の側面において被パターニング膜３が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト２を露出させることができる。このため、レジスト２の側面での被パターニング膜３の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 （もっと読む）

【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハＷを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハＷを非接触状態で保持する保持部６０を有している。保持部６０の保持面６１には、気体を噴出する複数の噴出口６２と気体を吸引する複数の吸引口６３とが形成されている。複数の噴出口６２と複数の吸引口６３は、保持部６０に保持される被処理ウェハＷに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部６０は、被処理ウェハＷを搬送する搬送装置、被処理ウェハＷの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハＷと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハＷを検査する検査装置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターニングを可能としたエッチングマスク付基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成してなるようにした。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない半導体素子と半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、支持基板３０上に半導体層が接合された構成を具備する半導体素子の製造方法であって、成長基板１１上にリフトオフ層１２を介して、半導体層からなる素子領域１５ａを形成する素子領域形成工程と、成長基板上に、柱状物２１を形成する柱状物形成工程と、支持基板に、半導体層及び柱状物の上部を接合する接合工程と、リフトオフ層を除去することにより半導体層の下面と成長基板とを分離し、かつ柱状物と成長基板とを分離しないリフトオフ工程と、柱状物と支持基板とを分離する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板からの剥離物（例えば、レジストや金属膜）等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板１１を保持する基板保持部材１２と、これの回転駆動手段１４と、半導体基板１１に処理流体を噴射するノズル１５と、基板保持部材１２の周囲に設けられた飛散防止カバー１６とを有する半導体基板の処理装置１０において、飛散防止カバー１６の内側上部に、シャワーヘッダー１７を設け、飛散防止カバー１６の下方には、不要物３０を回収する取り外し式のメッシュ籠２９を備えている。 （もっと読む）

エピタキシャルリフトオフを用いる、フレキシブル光電（ＰＶ）デバイス等の感光性デバイスの製造方法が開示される。同様に、成長用基板を有する構造を含むフレキシブルＰＶデバイスを製造する方法が開示され、この方法では、保護層の選択的エッチングにより、再利用に好適な平滑な成長用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】高温での成膜が必要な厚い膜で、寸法精度良く微細なパターンを形成する。
【解決手段】レジスト４２の耐熱温度を超える温度に加熱された後に、除去することができるアルミ膜４１をガラス基板２６の表面に成膜し、アルミ膜４１上にレジスト４２を塗布する。その後アルミ膜４１上に一様な厚さにレジスト４２を塗布し、露光及び現像して、アルミ膜４１を部分的に露呈するレジストパターン４３を形成する。次に、レジストパターン４３をマスクとしてアルミ膜４１をエッチングし、ガラス基板２６の表面を露呈させ、アルミ膜４１上にレジストパターン４３を残したままの状態で、アルミ膜４１よりも厚く、レジスト４２の耐熱温度よりも高温で遮光膜２７を成膜する。そして、アルミ膜４１を希硝酸で溶解させることにより、焦げ付いたレジストパターン４３とレジストパターン４３上の遮光膜２７を同時に除去し、開口２８を有する遮光膜２７のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【解決手段】多孔質リフトオフ層は、半導体などの表面からの皮膜の除去を促進する。皮膜をパターン形成された多孔質層上に適用する。当該層は典型的には膜厚よりも大きい開口を含む。次いで、皮膜が求められていない領域から多孔質材料および皮膜を除去する。多孔質層は、乾燥させると孔隙が形成されるスラリーとして、または熱もしくは溶媒の適用により分離するフィールド内の不安定粒子として付与することができる。孔隙を通って進入するエッチング液によって皮膜を除去することができ、その孔隙では、皮膜が固体部分間のスペースを橋かけしていないため、エッチング液が皮膜の両表面を攻撃する。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜パターンの端部におけるバリ発生を確実に防止できる金属薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定パターンの金属薄膜パターン８を形成するための方法であって、下地の上に、前記パターンのエッジに対応する位置近傍に壁面を有する段差パターン３を形成する工程と、段差パターン３を含む下地全体にレジスト４を塗布する工程と、塗布したレジスト４に対して、前記パターンの反転パターンとなるようにパターニングを施す工程と、レジスト４および段差パターン３を含む下地全体に金属薄膜５を形成する工程と、溶剤を塗布して、レジスト４および該レジスト４上に位置する金属薄膜５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
透明導電膜の微細パターニングを可能とするリフトオフ法によるパターニング方法、及び該パターニング方法を用いて形成された透明導電パターン膜を提供する。
【解決手段】
基材上に有機溶媒可溶性でかつ水不溶性のフォトレジストパターンを形成するパターンレジスト形成工程、前記フォトレジストパターンが形成された基材上の全面に導電性酸化物微粒子と無機バインダーと溶媒とからなる透明導電膜形成用塗布液を塗布、乾燥、硬化して導電性酸化物微粒子と無機バインダーマトリックスを主成分とする透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程、前記フォトレジストパターンを有機溶媒で溶解除去による現像をすることでフォトレジストパターン上に形成された透明導電膜を除去して透明導電パターン膜を得る透明導電膜パターニング工程を具備し、前記透明導電膜形成用塗布液の溶媒は、水又は水−アルコール混合溶液を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）膜、およびそのような膜の製造方法に関する。実施形態は、数多くのエピタキシャル成長基板または面がタイル状に配列された共通の支持基板上に、複数のＥＬＯ膜またはスタックを同時かつ別個に成長させる方法を提供する。その後、ＥＬＯ膜は、ＥＬＯプロセス中にエッチングステップによってエピタキシャル成長基板から取り除かれる。支持基板上に配置されたエピタキシャル成長基板を含むタイル状成長基板は、ＥＬＯ膜をさらに成長させるために再使用することができる。一実施形態では、支持基板上に離して配置された２またはそれ以上のガリウムヒ素成長基板を含むタイル状成長基板が提供され、支持基板が、約５×１０−^６℃−^１から約９×１０−^６℃−^１までの範囲内の熱膨張係数を有する。 （もっと読む）

【課題】四角形の太陽電池セルの製造において、簡単に線幅の細い電極を厚く形成できるようにする。
【解決手段】四角形のシリコン基板１の表面に形成された反射防止膜２上に、レジストをスピンコート法により塗布して、プリベークする。この上に再びレジストをスピンコート法により塗布して、ベークし、２層のレジスト膜３を形成する。電極パターンにしたがってレジスト膜３を露光、現像する。レジスト膜３に覆われていない反射防止膜２をエッチングする。シリコン基板１に金属層４を蒸着した後、レジストを除去するリフトオフを行い、電極１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜に対するダメージを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１の製造工程において、シリコン基板２を、ＮＭＯＳ形成領域８とＰＭＯＳ形成領域９とに分離し、そのシリコン基板２の表面に高誘電率絶縁膜３１を形成する。ＮＭＯＳ形成領域８には、ＮＭＯＳ用電極材料３４からなるＮＭＯＳ用ゲート電極１２を形成する。その後、シリコン基板２上に、開口３６を有するレジストマスク３５を形成する。次いで、レジストマスク３５上および開口３６から露出するＰＭＯＳ形成領域９上に、ＰＭＯＳ用電極材料３７を堆積させる。そして、レジストマスク３５上のＰＭＯＳ用電極材料３７をレジストマスク３５とともにリフトオフすることにより、ＰＭＯＳ用ゲート電極２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層と基板をエッチングで分離する効率を高め、かつプロセスにかかる費用を抑えることができる、基板構造体を除去する方法の提供。
【解決手段】 本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、概して、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）薄膜及びデバイス及びこのような薄膜及びデバイスを形成するために使用される方法に関する。ＥＬＯ薄膜は、概して、ウェハといった基板に又はその上方に配置される犠牲層に形成される層に対してエピタキシャルに成長する。エピタキシャル材料の基板とは反対側に支持ハンドルを配置し得る。支持ハンドルを使用して、エピタキシャル材料を圧縮状態にすることによって、エピタキシャル材料を安定化し得る。さらに、支持ハンドルを使用して、ＥＬＯプロセスのエッチング及び除去ステップの際にエピタキシャル材料を把持且つ保持し得る。様々な実施例では、支持ハンドルが、予湾曲したハンドル、複数層のハンドル、不均一ワックスハンドル、及びユニバーサルに又は一方向に収縮してエピタキシャルを圧縮状態にする２つの収縮誘起ハンドルを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の基板上に回路等のパターンを生成する場合において、構成の簡略化及び処理コストの低減化を実現し、シリコン基板から剥離したフォトレジスト及び金属膜などの汚れがシリコン基板上に再付着するのを防止し得るウエット処理方法及びウエット処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｓからフォトレジスト及び金属膜を除去する不燃性液体Ｌを収容可能なスピンステージ２にシリコン基板Ｓをセットすると共に、スピンステージ２に不燃性液体Ｌを入れてシリコン基板Ｓを不燃性液体Ｌ中に没入させた後、ホーン型超音波発生器３の超音波ホーン３Ｃを不燃性液体Ｌ中においてシリコン基板Ｓの表面に適宜間隔をもって対峙させて、シリコン基板Ｓの表面に向けて超音波を照射するのに続いて、スピンステージ２をその中心回りに回転させて、シリコン基板Ｓから除去されたフォトレジスト及び金属膜を不燃性液体Ｌとともにスピンステージ２の外側に排出させる。 （もっと読む）