【課題】チタン酸鉛系材料のエッチングにおいて、実用的なエッチング工程時間内に、微細化されたチタン酸鉛系材料配線間であっても配線上部幅を維持することができ、チタン酸鉛系材料表面に発生する黒変が無く、目的とするパターン形成を行うことができるチタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物を提供することにある。
【解決手段】本発明のチタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物は、（Ａ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物成分、（Ｂ）塩酸、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも１種類の無機酸成分及び（Ｃ）無機塩成分を含む水溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】
銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、（Ｂ）銅イオン供給源、及び（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、ｐＨが５〜８であり、（Ｃ）アンモニア及び／又はアンモニウムイオン供給源の（Ｂ）銅イオン供給源に対する配合比（モル比）が０．１〜２０である銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板処理機構部２に接続されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌを回収する貯留槽３と、貯留槽３内に配置されて基板Ｗの処理に用いた処理液Ｌから金属イオンを除去する処理液再生部５と、処理液再生部５により金属イオンを除去した処理液Ｌの濃度を補正する濃度補正貯留部５１，５２と、濃度が補正された処理液Ｌを、濃度補正貯留部５１，５２から基板処理機構部２に送る送液部７１を備える。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部１１と、制御部１００と、制御部１００の指令により基板Ｗの表面Ｓに処理用の液体を供給する液体供給部１８と、基板保持部１１と基板Ｗの裏面Ｂの間に形成される裏面空間領域３２に、制御部１００の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系１５と、制御部１００の指令により裏面空間領域３２内の空間圧力を制御するエアー吸引系１６を備える。 （もっと読む）

【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４に供給される液体が流通する液体流路５５が形成された供給部４３と、液体流路５５を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第１接続路６４が形成された第１拡散板４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部における下から上への流れを撹乱せず、貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理ユニット１０は、内槽１５の側壁５０７に形成された断面Ｖ字形の溝部１６の、下側テーパー面１６３に向けて処理液を吐出して内槽１５の内部に比較的低速の液流を形成する第三吐出ノズル２２１を備える。第三吐出ノズル２２１から吐出され内槽１５の下側テーパー面１６３に衝突した流れのうち、上方向に向かう流れを板状部材１８で阻止することにより、内槽１５内の下から上への流れを撹乱することなく、効率良く処理液を置換することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル２に保持されたウェーハ６の中心上方で供給ノズル３からエッチング液３ｂを滴下させるとともに回転テーブル２を所定の回転数で回転させエッチング液３ｂをウェーハ６の一方の面全体に広げ、厚み測定器４でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液３ｂの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ６の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームに付着したミストが、付着したまま放置されることを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８１と、ノズル８１を支持するノズル支持アーム８２とを備えている。ノズル支持アーム８２には吸引機構７１が設けられている。この吸引機構７１は、ノズル支持アーム８２の表面に形成された吸引部７８と、吸引部７８を介してノズル支持アーム８２の表面に付着した液滴を吸引する吸引管７３と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
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【課題】Ｔｉを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｔｉを含む第１層と、Ｃｕ、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含む第２層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第１層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのｐＨが７〜１４であるエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第１の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面から除去対象物を良好に除去して、除去対象物が残存することによる基板の表面の処理に与える悪影響を抑制すること。
【解決手段】本発明では、基板（５）の裏面の除去対象物を除去する基板処理方法（基板処理システム１）において、基板支持体（３４）で基板（５）の外周端を支持し、基板（５）の裏面の内周部から基板支持体（３４）の近傍までの所定の処理範囲（５０）で除去対象物を除去する裏面処理工程（裏面処理装置１０）と、基板（５）の裏面の外周端から内周側の所定の処理範囲（７１）で除去対象物を除去する裏面周縁部処理工程（裏面周縁部処理装置１１）とを有し、裏面処理工程（裏面処理装置１０）での処理範囲（５０）と裏面周縁部処理工程（裏面周縁部処理装置１１）での処理範囲（７１）とが重なる重畳処理範囲（７２）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主面に酸化膜として絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上に窒化シリコン膜を形成してから、素子分離用の溝４ａをプラズマドライエッチングにより形成し、溝４ａを埋めるように酸化シリコンからなる絶縁膜６をＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成し、ＣＭＰ処理により溝４ａの外部の絶縁膜６を除去し、溝４ａ内に絶縁膜６を残す。それから、窒化シリコン膜を除去する。その後、絶縁膜２をウェットエッチングで除去して半導体基板１を露出させるが、この際、半導体基板１の主面に１４０ルクス以上の光を当てながら絶縁膜２をウェットエッチングする。 （もっと読む）