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Fターム[5F043EE27]の内容

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【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 (もっと読む)


【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第1ノズル31Aを用い第1処理液をウエハWに供給するとともに、第1処理液を第1排出路46aから排出して第1気液分離器48aへ導く第1処理工程と、第2ノズル31Bを用い第2処理液をウエハWに供給するとともに、第2処理液を第2排出路46bから排出して第2気液分離器48bへ導く第2処理工程とを備えている。第2処理工程が開始される前に、第1ノズル31Aから第2ノズル31Bへのノズル切換作業と、案内カップ44を上下させて第1排出路46bから第2排出路46bへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第1処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 (もっと読む)


【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル2に保持されたウェーハ6の中心上方で供給ノズル3からエッチング液3bを滴下させるとともに回転テーブル2を所定の回転数で回転させエッチング液3bをウェーハ6の一方の面全体に広げ、厚み測定器4でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液3bの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ6の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】処理槽の内部における下から上への流れを撹乱せず、貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理ユニット10は、内槽15の側壁507に形成された断面V字形の溝部16の、下側テーパー面163に向けて処理液を吐出して内槽15の内部に比較的低速の液流を形成する第三吐出ノズル221を備える。第三吐出ノズル221から吐出され内槽15の下側テーパー面163に衝突した流れのうち、上方向に向かう流れを板状部材18で阻止することにより、内槽15内の下から上への流れを撹乱することなく、効率良く処理液を置換することができる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハ21に対してSPM液を吐出する吐出機構50と、吐出機構50に硫酸を供給する第1液供給機構12と、吐出機構50に過酸化水素水を供給する第2液供給機構14と、を備えている。第1液供給機構12は、第1温度に加熱された第1の液を保持する一次温調機構30と、一次温調機構30に接続された二次温調機構40と、二次温調機構40と吐出機構50を接続する吐出ライン51と、を有している。二次温調機構40は、一次温調機構30の第1循環ライン33から分岐し、一次温調機構30に戻る第2循環ライン41と、第2循環ライン41に設けられ、第1の液を第1温度よりも高い供給温度に加熱する第2加熱器42と、を有している。吐出ライン51は、第2加熱器42よりも下流側で第2循環ライン41から切替弁44を介して分岐している。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部33が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽1に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプAPで外槽5、循環配管7、内槽3に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管11を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管11に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管11に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】DHF処理後に実施されるHPM処理またはAPM処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Hの導入時点と同時かHの導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Hと、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽11にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送してエッチング液が貯留された処理槽11内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板100の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板100を搬送ローラ21より上方で、かつ、処理槽11に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板100を搬送ローラ21と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽21に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板100を搬送ローラ21により搬送して処理槽11より退出させる基板搬出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板1上、又は基板1上の導電膜50上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程(a)と、基板1に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板1上又は導電膜50上に貴金属を含む金属シリサイド膜11a、11bを形成する工程(b)と、工程(b)の後、金属膜のうち未反応の金属を第1の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜11a、11bの上面上に酸化膜12を形成する工程(c)と、工程(c)の後、第1の薬液と異なる第2の薬液を用いて基板1上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第2の酸化膜14を除去する工程(d)と、工程(d)の後、第1及び第2の薬液と異なる第3の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程(e)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第1開口と、前記側面に位置する第2開口と、を有する処理槽と、前記第2開口に設けられた導入部と、前記導入部から前記処理槽内に延び、末端部を有する配管と、前記配管に設けられた複数の吐出孔と、を含み、前記複数の吐出孔は、第1吐出孔と、第2吐出孔と、を含み、前記第2吐出孔は、前記第1吐出孔よりも前記末端部側に配置され、前記第1吐出孔の開口面積は前記第2吐出孔の開口面積より大きい。 (もっと読む)


【課題】処理室内に溜まった処理液の泡を、簡単な設備を用いて効果的に除去する。
【解決手段】吸引口30f及び排出口30gと、圧縮空気導入口30hとを有し、圧縮空気を圧縮空気導入口30hから排出口30gへ流し、吸引口30fと排出口30gとの間に生じた圧力差により吸引口30fから吸引した物を、圧縮空気と共に排出口30gから排出するエジェクタ30を用い、処理室20内に溜まった処理液の泡を、第1の配管31を介して吸引口30fから吸引し、吸引した処理液の泡を圧縮空気の圧力でつぶして液化し、液化した処理液を圧縮空気と共に排出口30gから第2の配管32を介して処理室20内へ吐出する。 (もっと読む)


【課題】水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。
【解決手段】蓋1のエッチング液3と対向する内側には、その周縁部に少なくとも2列の突起構造物8、9が複数配列されている(例えば、2列)。この複数配列構造は全体的に見ると千鳥状配列になっている。この複数配列構造において、蓋1の外側の配列を第1の配列とし、内側の配列を第2の配列とする。第1の配列の互いに隣接する突起構造物8間の間隔(A)は、この間隔(A)に対向する第2の配列の突起構造物9の長さ(B)と等しいかそれより短くなっている(A≦B)。槽内の圧力が必要以上に上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。 (もっと読む)


【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第1の点から第2の点まで第1の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第1の方向に交差する第2の方向に開口し、前記第1の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第1の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第2の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が100Å/分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が75以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間140℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82と、処理室20に隣接して設けられ、当該処理室20から退避したノズル支持アーム82が待機するためのアーム待機部80と、を備えている。液処理装置10において、ノズル支持アーム82p〜82uは複数設けられており、ノズル支持アーム82p、82r、82tはノズル支持アーム82q、82s、82uと高さレベルが異なるようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 (もっと読む)


【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第1面および第2面を有する基板の前記第1面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第2面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第1面の中央部分に供給する第1供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第1面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第2供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板(ウエハ3)の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(ウエハ3)の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板(ウエハ3)を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板(ウエハ3)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板(ウエハ3)の周縁部に対して内側に隣設し、基板(ウエハ3)に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板(ウエハ3)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板(ウエハ3)を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 (もっと読む)


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