【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル３０と、ノズル３０から吐出された現像液が流下する基板処理槽１０と、基板処理槽１０の内部に廃液口４３１が設けられた配管４３と、配管４３と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽１０の内部において回収口４２１が設けられた配管４２と、基板処理槽１０の所定部位に設けられ、揺動軸４４２を中心に揺動することによって、基板処理槽１０内に流下した現像液の流出先を配管４２と配管４３との間で選択的に切り替える揺動部材４４５を有する現像液流路切替部４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理に必要な最小限の量の処理液を循環させる構成を採ることにより、処理液の使用量を低減することができる。
【解決手段】内槽３と、外槽５と、循環配管１５とには、処理状態では内槽３から外槽５に処理液が溢れ、非処理状態では内槽３から外槽５への処理液の溢れがない処理液の量が貯留されている。一方、非処理循環状態では、開閉弁３５を開放して内槽３から外槽５へ処理液を流通させて、循環配管１５を介して処理液の循環を行わせる。したがって、リフタ２７が基板Ｗとともに処理位置にない状態であっても、処理液を循環させることができ、処理に使用する処理液の量を低減することができる。その結果、温調や薬液濃度の調整を行う際には、その処理を短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
（もっと読む）

【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハＷを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハＷを非接触状態で保持する保持部６０を有している。保持部６０の保持面６１には、気体を噴出する複数の噴出口６２と気体を吸引する複数の吸引口６３とが形成されている。複数の噴出口６２と複数の吸引口６３は、保持部６０に保持される被処理ウェハＷに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部６０は、被処理ウェハＷを搬送する搬送装置、被処理ウェハＷの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハＷと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハＷを検査する検査装置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを液処理する液処理装置１において、ウエハＷを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０の上方を覆いウエハ支持部材１０と共にウエハＷを液処理するための処理室Ｓを形成するカバー２０と、カバー２０の外周部２３とウエハ支持部材１０の外周部１３との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー２０を昇降させる昇降機構１３２と、処理室Ｓ内に配置され、回転するウエハＷに処理液を供給する液供給部材３０（４０）と、ウエハ支持部材１０によりウエハＷを支持していない状態で、カバー２０の位置を閉位置に設定し、液供給部材３０（４０）により処理室Ｓ内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー２０の位置を開位置に変更する制御装置７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１上、又は基板１上の導電膜５０上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、基板１に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板１上又は導電膜５０上に貴金属を含む金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、金属膜のうち未反応の金属を第１の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂの上面上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第１の薬液と異なる第２の薬液を用いて基板１上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第２の酸化膜１４を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後、第１及び第２の薬液と異なる第３の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを収納した容器を洗浄槽との間で円滑かつ確実に搬送することができ、作業効率を向上させて安定した品質を維持できる多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンＳを容器３に収納した状態で洗浄槽２１〜２７に浸漬して洗浄する多結晶シリコンの洗浄装置１であって、洗浄槽２１〜２７の内底部に容器３を載置状態に保持するガイド枠５を有しており、ガイド枠５には上方から容器３の導入を案内する複数のガイド板５２が上方に向かうにしたがってガイド枠５の保持中心から離間する方向に傾斜して設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊を発生させることなく、短時間で乾燥処理を行う。
【解決手段】ウエハＷを乾燥させる際に、まず、Ｎ2供給ノズル２８からＮ2を供給させた状態で表面にパターンが形成された複数枚のウエハＷを垂直姿勢で保持したリフタ８の表面に対して垂直方向にウエハＷを傾けるように、第１の傾斜手段３３は、リフタ８を制御する。次に、ウエハＷの表面に対して水平方向にリフタ８を傾けるように、第２傾斜手段４０によりリフタ８を制御する。これにより、パターン溝７２に残存した液溜り８０が溝底面７３を流れパターン側面７１から排出されるため、残存した液を効率よく排出できる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数形成されており、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄの形状は、固定具３８のボルト３８ａの外径よりも大きい孔で、楕円形であるので、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。このため、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因の基板Ｗ表面における乾燥ムラの発生を防止できる。また、第１のワッシャー３７ａの下部に直線の切欠部３７ｃが形成され、第２のワッシャー３７ｂの下部に直線の切欠部３７ｄが形成されているので、貫通孔３６ｃ及び貫通孔３６ｄから切欠部３７ｃ及び切欠部３７ｄを通って、スムーズに処理液の液滴を排出することができる。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シリル化剤が基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗがシリル化される。その後、エッチング剤が基板Ｗに供給されることにより、シリル化された基板Ｗがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が１００Å／分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が７５以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間１４０℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】処理時間の短縮が可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水平面に対して傾斜した方向を第１方向とし、水平面と略平行であって且つ第１方向に対して略直交する方向を第２方向としたとき、処理基板を第１方向に傾斜させた状態で第２方向に沿って搬送する送りローラと、第１方向に沿って配置され、第２方向に沿った前方及び後方に向かって揺動しながら、前記送りローラによって搬送されている処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する揺動ノズルと、前記送りローラによって傾斜した状態で搬送されている処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向するとともに第２方向に沿って配置され、前記揺動ノズルが前方端または後方端に到達したタイミングで処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する間欠ノズルと、を備えたことを特徴とするエッチング装置。 （もっと読む）