【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
白金等の触媒金属を含まない，溶液を作用させて、シリコン基板（Ｓｉウェハ）表面にナノ構造の多孔質層を形成する。
【解決手段】
Ｓｉウェハ表面に対して、アンモニア含む、および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの水溶液を作用させる工程によりＳｉウェハの表面処理を行って、Ｓｉウェハ表面にナノ構造の微細な多孔質層を形成することができた。これによって、Ｓｉウェハ表面での可視光域での反射率を５−８％まで低減することができた。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の任意の領域に液体が回り込む量を調整することで、基板の表面に液体を供給して処理するだけでなく基板の裏面の任意の領域にも液体を供給して処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部１１と、制御部１００と、制御部１００の指令により基板Ｗの表面Ｓに処理用の液体を供給する液体供給部１８と、基板保持部１１と基板Ｗの裏面Ｂの間に形成される裏面空間領域３２に、制御部１００の指令により不活性ガスを吐き出す吐出ガス供給系１５と、制御部１００の指令により裏面空間領域３２内の空間圧力を制御するエアー吸引系１６を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】物品に付着しているよごれなどの有機物を大気中に飛散させることなく分解または除去でき、かつ物品の損傷が抑えられる表面処理方法、物品の損傷を抑えながら、物品表面をエッチングする表面処理方法、および表面を高度に洗浄し、損傷がほとんどない物品や表面をエッチングしながら、損傷のない物品を提供する。
【解決手段】水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、該液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に付着している有機物に接触させて、該有機物を材料から除去する表面処理方法；水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、前記液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に接触させて、該材料を破壊せずに、該材料の表面をエッチングするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングを考慮してエッチングパターンを作成することのできるエッチングパターン作成方法、エッチングパターン作成装置、プログラムおよびコンピューター読み取り可能な記録媒体を提供しようとするものである。
【解決手段】 導体パターンを含む設計データから上記導体パターンの外形形状であるアウトライン形状を作成するアウトライン形状作成手段と、上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状に対する補正値を設定する設定手段と、上記設定手段により設定された補正値分だけ上記アウトライン形状作成手段により作成されたアウトライン形状を補正してエッチングパターンを作成するエッチングパターン作成手段とを有するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１上、又は基板１上の導電膜５０上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、基板１に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板１上又は導電膜５０上に貴金属を含む金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、金属膜のうち未反応の金属を第１の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂの上面上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第１の薬液と異なる第２の薬液を用いて基板１上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第２の酸化膜１４を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後、第１及び第２の薬液と異なる第３の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス等の基材となる基板を研削し、形成されるデバイスに適した所望の厚さに基材を研削する工程において、研削によって薄板化された基材の処理面に生じる研削キズの平滑化と、研削クズの溶解および除去とをエッチングする際に、処理面以外の基材がエッチングによって溶解されない基材表面処理方法を提供する。
【解決手段】第１基材面と当該第１基材面に基材表面処理を行う処理面を有する基材を備え、第１基材面の少なくとも外縁に沿って保護膜を形成する保護膜形成工程と、第１基材面に形成した保護膜の内縁となる処理面を研削することで基材を薄板化する薄板化工程と、薄板化工程によって研削された処理面を、エッチングによって平滑化するエッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、被処理体を第１開口から収容し、側面に第２開口を有する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に延び、複数の第１の孔を有する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置し、第２の孔を有し、中央部分となる第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と処理槽の底面との間の処理槽の側面を覆い、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記底面に向かうように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の部分よりも高い第２の圧力がかかる。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】カップに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４２が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８２ａと、カップ４２の上部に洗浄液を供給することにより当該カップ４２の洗浄を行うカップ洗浄部４９、４９ａと、を備えている。カップ４２の上部には凹部４２ａが形成されており、カップ洗浄部４９、４９ａは、カップ４２の上部の凹部４２ａに洗浄液を供給するようになっている。 （もっと読む）

【課題】薬液用噴射部材からウエハの下面に噴射された薬液がリンス処理用噴射部材に付着することを防止低減する液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２２と、基板保持部を回転させる回転駆動部と、基板保持部に保持された基板の下面に薬液を吐出する複数の第１の吐出口６１が設けられた第１の部分６０Ａと、基板保持部により保持された基板の下面にリンス処理用流体を吐出する複数の第２の吐出口６２が設けられた第２の部分６０Ｂとを有するノズル備え、ノズルの第１の部分６０Ａは、基板保持部により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、ノズルの第２の部分６０Ｂは、基板保持部２２により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、第１の部分と前記２の部分とはＶ字を成すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）の周縁を保持する保持プレート（３０）と、基板を下方から支持するリフトピン（２２）を有するリフトピンプレート（２０）と、保持プレートを回転させる回転駆動部（３９）と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管（４０）と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル（６０）と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構（４４，４６，５０，５２）を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口（６１）を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板２を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置１において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽４と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽５と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるＱＤＲ（クイックダンプリンス）槽６と、を備えたウェットエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の（９）式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の（１０）式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Ｘｔ＝（Ｘ−Ｘｍ）／σｍ ・・・（９）
Ｄ^２＝Ｘｔ^２ ・・・（１０）
ここで、Ｘｍは前記単位空間における平均値、σｍは前記単位空間における標準偏差、Ｘは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Ｘｔは基準化された検出情報、Ｄ^２は距離である。 （もっと読む）