【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルのテクスチャ形成工程では、微細なテクスチャを均一に形成することが困難であり、テクスチャの出来は太陽電池特性に影響を与える。
【解決手段】本発明は、太陽電池のテクスチャ形成工程において、アルカリ水溶液にケイ素化合物を添加することで、微細なテクスチャを均一に形成することが可能となり、基板の反射率が低減する。これにより、高効率の太陽電池を製造することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に対して安価に且つ安定して高密度のテクスチャを形成可能なエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含むアルカリ性のエッチング液をシリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するエッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施するシリコン基板のエッチング方法であって、１バッチ目の前記エッチング処理の終了後において、前回のバッチのエッチング処理における前記エッチング液中のシリコン濃度の増加量と、前回のバッチのエッチング処理終了後における前記エッチング液中へのアルカリ濃度の追加量と、の比が一定となるように、バッチ毎に前記エッチング液にアルカリを追加して前記エッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、基板の主表面を被覆する被覆層にエッチング液を供給して被覆層を加工する装置である。エッチング装置は、被覆層に相対的に少量のエッチング液を供給する第一給液部２１１と、第一給液部２１１よりも後段側に配置され、被覆層に相対的に多量のエッチング液を供給する第二給液部２２１とを備える。第一給液部２１１は、被覆層の表層部分を除去可能な量のエッチング液を被覆層に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（太陽電池セル）から離脱した気泡が再度付着して不均一なエッチングや形状欠陥が生じないようにするエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池セル２を浸漬させるエッチング液４を貯留するエッチング槽５と、このエッチング槽５内の上層のエッチング液４を回収するとともに、この回収したエッチング液４をエッチング槽５の底部から噴出させて、エッチング液４をエッチング槽５内で循環させる循環水路系２０Ａと、エッチング槽５内の太陽電池セル２とエッチング液４の液面との間に沈められ、太陽電池セル２から発生してエッチング槽５内を浮上する気泡７を捕獲して収集する気泡捕獲収集器１Ａとを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、
下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）又はそのアルカリ塩より選択される１種以上と、濃度が０．１重量％以上３０重量％以下である水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。
【化１】


(式中、Ｒは、炭素数４以上１５以下のアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかを表し、Ｘは、スルホン酸基を表す。)
該エッチング液を使用することにより、シリコン基板表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

発光素子と該発光素子を作製する方法とを開示する。発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間に挟装された活性層を含む。活性層は、内部で、ｐ型半導体層からの正孔がｎ型半導体層からの電子と結合するときに光を放出する。活性層は、複数の副層を含み、かつ複数の副層の側面がｐ型半導体材料と接触する複数のピットを有し、それにより、ｐ型半導体材料からの正孔が、露出した側面を通ってそれらの副層内に、別の副層を通過することなく注入される。ｎ型半導体層における転位を利用することと、部分的に製作された素子を取り除くことなく、半導体層を堆積させるために用いたものと同じチャンバー内で、エッチング雰囲気を用いて活性層をエッチングすることとにより、ピットを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液成分の濃度制御方法の新たな技術の提供
【解決手段】ウェットエッチング装置のエッチング液タンクからエッチング液サンプルを採取すること、前記エッチング液サンプルのエッチング液成分の濃度をイオン交換クロマトグラフィーにより測定すること、及び、前記測定の情報に基づき、前記エッチング液タンク内のエッチング液成分濃度が設定範囲内となるように、前記エッチング液タンクにエッチング液成分を添加することを含み、前記エッチング液は、エッチング液成分としてリン酸を含む、エッチング液成分の濃度制御方法であって、
前記エッチング液成分の濃度測定において、前記イオン交換カラムを複数回使用した後、検出されるリン酸のピーク波形と他のエッチング液成分のピーク波形とが重なる場合に、溶離液のｐＨを変化させてリン酸のピークの保持時間を移動させることを含むエッチング液成分の濃度制御方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線を形成する際に、銅配線層と、Ｍｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる密着層やキャップメタルとを一括エッチングし、サイドエッチおよびアンダーカットの発生なく良好なテーパー形状にエッチングすることのできるエッチング用組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）アンモニア、アミノ基をもつ化合物および窒素原子を含む環状構造をもつ化合物からなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）過酸化水素を、（Ｃ）水性媒体中に含有し、ｐＨが８.５を超える、銅または銅合金からなる配線層とＭｏ、Ｍｏ合金、酸化銅または酸化銅合金からなる金属層との一括エッチング用組成物。 （もっと読む）

【課題】金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ＭＩＰＳゲートの作製工程は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜、メタル層、および多結晶シリコン層を順次堆積する工程と、多結晶シリコン層の上に形成したエッチングマスクを用いて、多結晶シリコン層をエッチングする工程と、メタル層を選択的にエッチングして、下方に向かって側壁がテーパ状に張り出したメタル層を残す工程と、多結晶シリコン層の側壁を含む平面から外方に突出したメッキ層のテーパ部を酸化して、酸化テーパ部とする酸化工程と、酸化テーパ部をエッチングで除去する除去工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置などの平板ディスプレイ表示装置の薄膜トランジスタ製造工程において、微細パターンに形成された透明伝導膜のエッチング溶液組成物に関する。
本発明は、含ハロゲン化合物０．０５〜１５重量％、補助酸化剤０．１〜２０重量％、エッチング調節剤０．０５〜１５重量％、残渣抑制剤０．１〜１５重量％、腐食抑制剤０．３〜１０重量％及び全体組成物の総重量が１００重量％になるようにする水で構成され、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象が発生しないようにする透明伝導膜エッチング組成物に関する。
本発明の透明伝導膜エッチング組成物は腐食抑制剤と経時変化抑制剤を含む水溶液であり、従来の透明伝導膜エッチング組成物で発生する側面エッチング現象、経時変化現象、エッチング時の残渣発生現象、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象などの欠点を完全に解消することができる。特に本発明は、従来の透明伝導膜エッチング組成物の主要問題点であるエッチング時の残渣発生現象と銅膜、銅膜銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象を解消するため、透明伝導膜の選択的パターンエッチングが可能である。
また、本発明による透明伝導膜エッチング組成物は適切なエッチング速度及び適切な傾斜角を提供することができ、蒸発量を顕著に減少させてエッチング組成物の成分量の変動を減少させ、それによるヒューム（ｆｕｍｅ）発生量を減らすことにより、大気環境汚染を防止することができる長所を有している。 （もっと読む）

【課題】成長基板としてＧａＮ基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、再現性よくＧａＮ基板をメンブレン状に加工すること
【解決手段】ＧａＮ基板１０表面上に、Ａｌ組成比２０％のＡｌＧａＮからなるストッパー層１１を形成し、ストッパー層１１上にｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４、ｐ電極１５を形成し、支持基板１６と接合する。次に、中央部が開口した形状にマスク２０を形成し、ＧａＮ基板１０裏面をＰＥＣエッチングする。照射する光は、ＧａＮのバンドギャップよりも大きく、Ａｌ組成比２０％のＡｌＧａＮのバンドギャップよりも小さいエネルギーの波長とする。エッチングはストッパー層１１に達する深さまで進行すると止まるため、再現性よくメンブレン構造を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】各導波路を経由して出射するレーザ光の波長を自在に設定できる複数本の導波路を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。複数本の導波路が、段差からの距離が互いに異なるようにステップ状構造の高領域に設けられている。ステップ状構造の高領域における活性層中のＩｎ濃度は、段差に近い程高く、段差から離隔する程低くなる。活性層中のＩｎ濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。
【解決手段】リブウェハ１００を、おもて面を下にしてウェハ保持機構２０に保持させ、リブウェハ１００の中央部３の中心付近を回転の中心Ｏとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ１００の裏面側のリブ部４の表面の内周端部にエッチング液５０を滴下する位置に設置されたノズル１０から、エッチング液５０を滴下する。このようにして、リブウェハ１００におけるリブ部４の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部４の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ１００に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ１００を回転させて、乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。
【解決手段】エッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）