【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、（１００）単結晶シリコン基板１ａを挟んだ両面の上に不純物拡散層２を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜３を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口４を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン（１１１）面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状のＡｌ配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Ａｌ配線膜１０１は、ＡｌもしくはＡｌ合金から成る第１のＡｌ合金層１０１ａと、その上に配設され、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔのいずれか１以上の元素を含み第１のＡｌ合金層１０１ａとは異なる組成のＡｌ合金から成る第２のＡｌ合金層１０１ｂとから成る二層構造を有する。フォトレジスト１０２の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第２のＡｌ合金層１０１ｂはエッチングされ、その端部はフォトレジスト１０２の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト１０２をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ配線膜１０１の断面はテーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上に配置された第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に配置された第２の絶縁膜４２と、窒化物半導体層３０上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極５１，５２と、第１及び第２の主電極５１，５２間で第２の絶縁膜４２上に配置され、第１及び第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート６０とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層３０の表面と第１の絶縁膜４１の側面とのなす第１の傾斜角が、窒化物半導体層３０の表面と第２の絶縁膜４２の側面を延長した線とのなす第２の傾斜角よりも小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、単結晶シリコンからなり、上面が（１００）面であり、前記上面にトレンチが形成された基板と、少なくとも前記トレンチの内部に設けられたゲート電極と、前記基板における前記トレンチを挟む領域に形成されたソース・ドレイン領域と、前記基板と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を備える。前記トレンチは、シリコンの（１００）面からなる底面、前記底面に接し、シリコンの（１１１）面からなる一対の斜面、及び前記斜面に接し、シリコンの（１１０）面からなる一対の側面により構成されており、前記ソース・ドレイン領域は、前記側面及び前記斜面に接し、前記底面の中央部には接していない。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】積層基板６に存在する転位には、表面から中間深さまで伸びている転位ａ、表面から基板との界面８まで伸びている転位ｂ、表面から界面を越えて基板４にまで伸びている転位ｃが存在するところ、その出現深さを特定する方法が存在しない。転位の出現深さを特定できる技術を提供する。
【解決手段】 半導体層の表面からエッチングする。そのときに、エッチピットの内部に平坦底面ｆａ，ｆｂが出現するまでエッチングするか、あるいは、半導体層２を貫通する転位に沿って形成されるエッチピットが半導体層２を貫通する時間以上に亘ってエッチングする。その後にエッチピットの内部の出現した平坦底面ｆａ，ｆｂの深さを特定する。その深さが転位の出現深さに等しいことから、転位の出現深さが特定できる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の結晶異方性エッチング時間の短縮出来るエチング組成物、及びエチング方法を提供する。
【解決手段】シリコンの酸化膜４をエッチングマスクとして、シリコン基板１を結晶異方性エッチングするにあたり，アルカリ性有機化合物と、水酸化セシウムと、水と、を含有するエッチング液体組成物を用いる。このとき、アルカリ性有機化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムであり、水酸化テトラメチルアンモニウムを５重量％以上２５重量％以下、水酸化セシウムを１重量％以上４０重量％以下、の割合で含有するエッチング液体組成物を用いる。 （もっと読む）

本明細書において、固体照明デバイスおよび関連する製造方法を開示する。一実施形態において、固体照明デバイスは、Ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）材料、Ｎ型ＧａＮ材料から離間したＰ型ＧａＮ材料、ならびに直接Ｎ型ＧａＮ材料およびＰ型ＧａＮ材料の直接間にある窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）材料を備える発光ダイオードを含む。Ｎ型ＧａＮ材料、ＩｎＧａＮ材料、およびＰ型ＧａＮ材料のうちの少なくとも１つは、非平面を有する。 （もっと読む）

基板上に設けられるシリコン層をエッチングする方法は、シリコン層に第１のトレンチを異方性エッチングすること；第１のトレンチ内のシリコン表面を選択的に異方性ウェットエッチングすることであって、該ウェットエッチングが、シリコン表面を、芳香族トリ（低級）アルキル第四級オニウム水酸化物と、非対称テトラアルキル第四級ホスホニウム塩とを含む水性組成物に曝すことを含み、該ウェットエッチングが、シリコン層の（１１０）面及び（１００）面をおよそ等しい速度で（１１１）面よりも優先的にエッチングして、（１１１）面に側壁を有する拡大されたトレンチを形成する、選択的に異方性ウェットエッチングすることを含む。応力をシリコン層の少なくとも一部分に導入するプロセスの一環として、このようにして作製したトレンチ内にシリコン合金をエピタキシャル堆積させてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスの光線を非共用表面に屈折させ、且つ光線が所定の方向へ調整させ、所定の位置へ集光させるものを同時に実現することができるパッケージベース及びその成形方法を提供する。
【解決手段】パッケージベースの成形方法であって、１つの表面を含む半導体基板を提供するステップと、前記半導体基板の表面にエッチング窓口が形成される第一マスク層を形成し、前記エッチング窓口の１つの側壁の方向と半導体基板の結晶格子の方向との間の傾斜角度が０〜４５度或いは４５〜９０度になるようにするステップと、前記第一マスク層と前記エッチング窓口を通して前記半導体基板に対して異方性エッチング（selected anisotropic etching）を実施して前記半導体基板の上に前記エッチング窓口の１つの側壁の方向に沿う傾斜面を形成するステップと、前記傾斜面にマイクロ屈折構造を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】作業効率がよく、エッチングされる基板の材料の選択範囲も大きい、ウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたクロム層２及びレジスト層３を表面に有するガラス基板１をエッチング液４に浸しウェットエッチングする。その際、アルミニウム又は鉄からなる金属棒６がタンク５内のエッチング液４に浸され、所望のタイミングで、クロム層２の露出面２ａと金属棒６の端部とが接触される。金属棒６と接触されたクロム層２は電気化学反応等により徐々にエッチングされ小さくなり、ガラス基板１のエッチング液４にさらされる部分が徐々に増え、その部分がウェットエッチングされる。これによりガラス基板１のアンダーカット形状が調節され、ガラス基板１にテーパ面７が形成される。ガラス基板１としては、例えば、石英、白板ガラス、青板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、又は鉛ガラス等が適用可能である。 （もっと読む）

【課題】ノズル列全体が位置合わせされたノズルデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直壁を有する穴に接続されたテーパー部を有する流体吐出ノズルについて記載する。ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜のエッチングに際して、サイドエッチングを抑制し、良好な断面形状を得ることができる、エッチング液組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、フッ素化合物と鉄イオンを含むエッチング液組成物であって、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜を一括エッチングするのに用いられる、前記エッチング液組成物、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

ファセットが、ファセットによって囲まれているキャビティ内の光学モードを支持するために十分に平滑であるように、光電気化学（ＰＥＣ）エッチを使用してファセットをエッチングすることによって半導体レーザ素子を加工する方法。ＰＥＣエッチングは、平滑な側壁を伴い、いかなるイオン損傷ももたらすことなく、ＧａＮ内に深い異方性トレンチをエッチングするために使用することが可能な方法であって、エッチングされたファセットの角度は、エッチングに作用するために使用される光の方向によって制御することが可能である。
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【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの寸法精度を高めることが可能なトランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサを提供する。
【解決手段】半導体基板１０の一表面側に形成するダイヤフラム１２ａ（図１（ｊ））の形成予定領域を取り囲む枠体層１１ａを半導体基板１０の一表面側に形成し（図１（ｂ））、半導体基板１０の一表面側にダイヤフラム１２ａの基礎となる薄膜１２を形成し（図１（ｃ））、半導体基板１０の他表面側にダイヤフラム１２ａの平面形状に応じてパターン設計した開孔部を有するマスク層１５を形成し、マスク層１５をエッチングマスクとするとともに薄膜１２のうち枠体層１１ａの内側に形成された部位および枠体層１１ａをエッチングストッパ層として半導体基板１０を他表面側から薄膜１２に達する深さまでエッチングすることで薄膜１２の一部からなるダイヤフラム１２ａを形成する（図１（ｈ））。 （もっと読む）