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Fターム[5F043GG03]の内容

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Fターム[5F043GG03]に分類される特許

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【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さRaが0.051μmより大きくなり、かつ該金属の表面に1〜10μm径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を1.0μm/min未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電極材料などに用いられている銅および/または銅合金に対してダメージがなく、結晶質ITO膜をエッチングすることが可能な透明導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 1〜10重量%のふっ素化合物を含有する水溶液からなる結晶質透明導電膜用のエッチング液組成物。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(a)リン酸30〜80重量%と、(b)硝酸0.1〜20重量%と、(c)有機酸塩0.1〜20重量%と、(d)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる2層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第1のモリブデン系導電性薄膜および第2のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる3層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】異方性エッチングを利用して、1つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜100上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、第1のマスク材を形成する工程と、第1のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第1のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、第2のマスク材を形成する工程と、第2のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第2のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜101周囲に、層間絶縁膜106を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Kを搬送する搬送装置2と、基板K上にエッチング液を供給して金属膜をエッチングする第1エッチング部10と、金属膜エッチング後の基板Kを洗浄する第1洗浄部15と、洗浄後の基板Kを乾燥させる第1乾燥部20と、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含む処理ガスを用い、略大気圧下で、基板K上のシリコン含有膜をエッチングする第2エッチング部30と、シリコン含有膜エッチング後の基板Kを洗浄する第2洗浄部35と、洗浄後の基板Kを乾燥させる第2乾燥部40とを順次搬送方向に配設する。 (もっと読む)


【課題】調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。
【解決手段】銅をエッチングする調合物は、水溶液を含み、水溶液は、(a)ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選択される二座配位子、三座配位子、四座配位子の錯化剤、および、(b)酸化剤を含む。水溶液のpHは、5から12である。一実施形態では、エッチ液は、pH約6から10のエチレンジアミン(EDA)および過酸化水素を含む。銅層の実質的な表面を粗くせずに高速で銅をエッチングすることができる(例えば少なくとも約1,000Å/分)溶液が提供される。調合物は、半製品の半導体デバイスから銅を除去する(例えば銅積載部分をエッチングする)のに特に有益に用いられる。 (もっと読む)


【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の膜の上層に第2の膜が形成された基板から、第1の膜及び第2の膜を除去する液処理装置3において、第1の薬液供給部51は基板Wに第1の膜を溶解させるための前記第1の薬液を供給し、第2の薬液供給部51は前記第2の膜の強度を低下させるための第2の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部52は第2の膜に物理的衝撃を与えて当該第2の膜を破壊すると共に破壊された第2の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部7は第2の薬液を供給し、次いで前記流体供給部52から流体を供給した後、第1の薬液を供給するように各部を制御する。 (もっと読む)


【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SiN層にPおよびOを注入する工程と、前記SiN層に注入されたPおよびOをH2Oと反応させ、前記SiN層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにSiN層をエッチングすることができる。 (もっと読む)


【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Low−k膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを1サイクルとして、これを少なくとも1回、必要に応じて2回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。 (もっと読む)


(A)それぞれの試験液(AB)の全質量に対する百分率で表して、0.06〜4質量%の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(B)の存在下に、遠UV吸収発色団を含む、厚さが30nmのポリマー性バリア反射防止層について、50℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも1種の極性有機溶媒、
(B)少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウム、及び
(C)少なくとも1個の第1級アミノ基を含む、少なくとも1種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び/又はメッキ及びバンピングすることによって3D Stacked Integrated Circuits及び3D Wafer Level Packingsを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 (もっと読む)


【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、かつエッチング液の使用量を削減することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Qを被処理体(基板S)上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Qとの界面Fの照射領域Rに光Lを照射する光照射工程と、を含み、液配置工程では、被処理体上のエッチング箇所にエッチング液Qを選択的に配置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも1種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 (もっと読む)


【課題】コンタクトプラグ、及び金属配線のような金属構造物に欠陥が発生して再形成工程を処理する場合、コンタクトホールが過度に露出されてホールが大きくなる現象を防止できる金属構造物の再形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に従う金属構造物の再形成方法は、コンタクトプラグを含む絶縁層の上に形成された第1金属層、第1金属層の上に形成された金属配線層、金属配線層上に形成された第2金属層を含む金属構造物の再形成方法に関するものであって、第1ウェットエッチング工程を処理して金属配線層の下を除外した第1金属層及び第2金属層を除去するステップと、第2ウェットエッチング工程を処理して金属配線層を除去するステップと、第1平坦化工程を処理して残存した第1金属層及び絶縁層の表面を平坦化するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】薬液を用いてハードマスクを除去する際に、薬液を回収して再利用することができる液処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハに形成された被エッチング膜を、所定パターンに形成されたハードマスク層をエッチングマスクとして用いてエッチングした後、ハードマスク層およびエッチングの際に付着したポリマーを薬液で除去する液処理方法は、ウエハを回転させながらウエハに薬液を供給してハードマスク層を除去し、処理後の薬液を廃棄する第1工程と、第1工程によりハードマスク層の残存量が、処理後の薬液を回収して再利用することが可能となる量となった際に、廃棄していた処理後の薬液を回収して当該液処理に供するように切り替える第2工程と、第2工程の後、ウエハを回転させながら、薬液を回収して再利用しつつ、薬液によりハードマスク層の残部およびポリマー、またはポリマーを除去する第3工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハの主面上に形成した絶縁膜の膜厚分布を均一にする。
【解決手段】半導体ウエハ1の主面上にゲート絶縁膜4を介してゲート電極6を形成し、このゲート電極6を覆うように層間絶縁膜としての絶縁膜12を形成する。絶縁膜12には、ゲート電極6に起因して凹凸形状が形成されているため、CMP処理で平坦化する。このCMP処理は、半導体ウエハ1の主面の周辺部1Aは、主面の中央部1Bに比べて、研磨量が大きくなる傾向にある。このため、半導体ウエハ1の主面において、CMP処理時の研磨量が少ない領域よりも、研磨量が多い領域で、絶縁膜12の膜厚が厚くなるように、ウェットエッチングにより絶縁膜12の膜厚分布を補正してから、絶縁膜12をCMP処理して平坦化する。CMP処理後の絶縁膜12の膜厚は周辺部1Aと中央部1Bでほぼ同じになる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の異なる回路領域にそれぞれの要求特性を満足する配線を形成する。
【解決手段】所定基板上に配線の主要部を構成する第1の金属膜を形成し(ステップS1)、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するTi,Zr等の不純物元素を含む第2の金属膜を形成する(ステップS2)。次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第2の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第2の金属膜を部分的に除去する(ステップS3)。その後、熱処理により、残る第2の金属膜の不純物元素を下の第1の金属膜に拡散させる(ステップS4)。これにより、不純物元素濃度の異なる第1の金属膜を基板上に形成できる。これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層105にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン109を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア111を形成する。フォトレジスト112を生成し、そのホール113からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙114を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨(CMP)に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ使用環境下において1価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が0.5g/L以上の銅錯化剤、若しくは、1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ2価の銅イオンとの錯化定数が1×1020以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを1wt%以上と、水を1wt%以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはCMP加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。
【手段】 化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜。 (もっと読む)


【課題】ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ1の周囲に複数のエッチングユニット6を配置する。このエッチングユニット6内に設けられたエッチングローラー10には、各エッチングユニット6ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。ウエーハの上下にはリングブロー20,21が設けられ、ホットエアーをウエーハの半径方向の環状に噴き出し、エッチング液のガスをエッチングユニット内に吹き戻すと共にウエーハを加温している。エッチングユニットの中心軸8部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 (もっと読む)


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