【課題】 ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェーハの表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシ１６を当接し、これらの部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングする。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェーハＷの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくなる。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取りエッチングすることができる。 （もっと読む）