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Fターム[5F044AA01]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤによるペレット電極との接続構造 (951) | リードフレームとの接続 (201)

Fターム[5F044AA01]に分類される特許

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【課題】ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くできるようにした半導体装置及びワイヤーボンディング方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ1と、リードと、半導体チップ1が有するパッド電極2に一端11aが接合され、リードに他端11bが接合されたワイヤー11と、を備える。ワイヤー11の一端11aと他端11bとの間の最も高い位置であるワイヤートップ11cは、ワイヤー11の一端11aの直上の位置となっている。 (もっと読む)


【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたCSP構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起3が形成された部分であるアウターリードとしての2つの厚肉部2A、及び2つの厚肉部2Aの間のインナーリードとしての薄肉部2Bを有するリードフレーム5Aと、ボンディングワイヤ12を介して薄肉部2Bに電気的に接続される半導体チップ11と、リードフレーム5A及び半導体チップ11を封止する樹脂パッケージ14と、を含み、リードフレーム5Aの上面及び下面の樹脂パッケージ14に接触する部分に、突起3に平行な線状の微小溝4A、4Bが形成され、微小溝4A、4Bの深さは前記突起の高さよりも小さく、2つの厚肉部2Aの一部が樹脂パッケージ14の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】電流抑制部を有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】ノーマリーオン型の第1トランジスタと、ドレインが、第1トランジスタのソースと接続され、第1トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第2トランジスタと、第2トランジスタのソースと第1トランジスタのゲートとの間に設けられた、第2トランジスタのソースから第1トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する電流抑制部と、第1トランジスタ、第2トランジスタ及び電流抑制部を封止する封止部と、第1トランジスタのドレインに接続され、封止部の外に延伸したドレイン端子と、第2トランジスタのゲートに接続され、封止部の外に延伸したゲート端子と、第2トランジスタのソースに接続され、封止部の外に延伸したソース端子と、を備える半導体デバイスパッケージを提供する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤとリードの接続性を向上する。
【解決手段】先端に向けて突出自在にスライド可能な押さえ部材6dが外周部に設けられたキャピラリ6aを用いてワイヤボンディングを行うことで、キャピラリ6aのワイヤボンディングの動作中にキャピラリ先端による押圧面積を増やすことができるため、インナリード2aに対してワイヤボンディングする際に、キャピラリ6aの先端部6cに近接して押さえ部材6dのワイヤ押圧部6fを配置してキャピラリ6aの先端部6cと押さえ部材6dのワイヤ押圧部6fとで銅ワイヤ5を押圧することで、銅ワイヤ5の接続面積を増やすことができ、その結果、ワイヤボンディング工程のスループットを低下させることなく、銅ワイヤ5とインナリード2aの接続性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】認識マーク及び当該認識マークを用いた半導体装置において、半導体チップの表面がリードフレームの表面に対して傾斜することがあっても、認識マークを認識する。
【解決手段】認識マークMaは、基板11の上に形成され、その表面に凹部13が形成された絶縁膜14Xと、凹部13に形成された金属膜15aとを備えている。凹部13の底面は、開口部周縁から中央部に向かって深さが深くなる凹曲面である。金属膜15aは、少なくとも凹部13の底面に沿って形成されている。 (もっと読む)


【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード7aを有するリードフレーム4と、リードフレーム4に搭載された、電極パッド3aを有する半導体素子2と、電極パッド3aとインナーリード7aとを接続する導電性の接続体8とを有し、インナーリード7aにおける、接続体8が接合される接合領域11の近傍に、凹部12を配置された半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面6dとワイヤ5を接続するワイヤ接続面6eとが形成され、さらにプローブ接触面6dは主面6aに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面6eはプローブ接触面6dと異なった角度の面である電極パッド6cを備えたメモリチップ6と、メモリチップ6が搭載されたタブ2cと、複数のインナリード2a及びアウタリード2bと、メモリチップ6の電極パッド6cのワイヤ接続面6eとインナリード2aとを接続する複数のワイヤ5とを有している。 (もっと読む)


【課題】酸化されやすい導電性ワイヤを使用して初期ボールを形成し、この初期ボールをパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する技術において、初期ボールの形状不良を抑制することによりパッドへのダメージを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】ボール形成ユニットBFUに酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設け、このガス排出部GOPによる排出経路を、酸化防止ガスがボール形成部BFPに導入される方向とは異なる方向に設ける。これにより、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】パッドに加わるダメージを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】インナチャンファ部ICUの広がり角度θICAが90度よりも小さい場合、パッドPDの表面に垂直な方向の超音波変換荷重F1UYの大きさは、極めて小さくなる。つまり、パッドPDの表面に垂直な方向の超音波変換荷重F1UYの大きさは、パッドPDの表面に平行な方向の超音波変換荷重F1UXの大きさよりも充分に小さくなる。この結果、インナチャンファ部ICUの広がり角度θICAが90度よりも小さい場合においては、パッドPDの表面に垂直な方向の超音波変換荷重F1UYの大きさを充分小さくすることができ、パッド剥がれを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】ボンディング位置におけるデフォームドボールの直径を増大させずにボンディングツールを洗浄可能なボンディング技術を提供する。
【解決手段】ワイヤの先端にフリーエアーボールを形成する放電装置、ワイヤの先端に形成されたフリーエアーボールを第1ボンディング位置にボンディングするボンディングツール、プラズマを照射してボンディングツールを洗浄するプラズマ照射装置、放電装置、ボンディングツール、およびプラズマ照射装置を制御する制御装置を備える。 (もっと読む)


【課題】既存の半導体に合わせてプリント配線板を設計しなくても対応可能としたプリント配線板に付いた半導体を提供する。
【解決手段】ワイヤボンディングは絶縁して交差も可能なように組み合わせるとともに、ボンディングパットに関してもチップ上に組み替え可能とする。また、積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差可能とする。これにより、ピン間スペースを広くもつことができ設計の自由度が増す。また、交流信号のあるピン同士の場合電極を広くとれ高品質な配線板になる。積層基板のボンディングも上下層に絶縁交差するものになる。また、大きなリードフレームにチップを複数搭載した場合は、金銀ワイヤ毎まとめて回収することができる。これにより複数のチップ間も設計が楽になり設計の選択肢が増える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第1辺3aa,3ab及び一対の第2辺3ac,3adを有する四角形からなるダイパッド3aにMCUチップ1とAFEチップ2を搭載し、MCUチップ1及びAFEチップ2にワイヤボンディングを行った後、2つの第2辺3ac,3adのうちの一方の第2辺3ac側から他方の第2辺3ad側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をMCUチップ1上の第1パッド群1ccと第2パッド群1cdとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを搭載する半導体装置の大きさを拡大することなく、隣り合う電極パッド間やボンディングワイヤー間で電流が流れるのを防止又は可及的に抑制することのできるワイヤーボンディング方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】第1電極パッド3に対するボンディングワイヤーW1と、第1電極パッド3に隣り合う第2電極パッド4に対するボンディングワイヤーW2とを、互いに隣り合わないボンディングポイントでボンディングするようにした。 (もっと読む)


【課題】実施形態によれば、オーバーハング部に対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもってボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、接地基準位置を予め取得する。実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する前記接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、ボンディングヘッドの先端でワイヤをボンディングパッドに押し付けて接合する。 (もっと読む)


【課題】隣接する2つのトランジスタ同士が接続された構成を有し、省スペースと電流集中による信頼性の低下の抑制とを両立させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第1のトランジスタ101と接続された第1のバス111、第2のトランジスタ102と接続された第2のバス112と、第1のバス111と第2のバス112との間に形成され、第1のバス111と第2のバス112とを接続するバス間配線121とを備えている。バス間配線121は、第1のバス111における第2のバス112と対向する辺の一部及び第2のバス112における第1のバス111と対向する辺の一部と接続されている。第1のコンタクトパッド131は、第1のバス111の一部と接続され、第2のコンタクトパッド132は、第2のバス112の一部と接続されている。 (もっと読む)


【課題】モールド樹脂注入時にワイヤが倒れることを防止し、チップエッジからワイヤまでの距離を大きくして絶縁距離を確保する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ワイヤで接続された制御チップとパワーチップがモールド樹脂10により封止された電力用半導体装置100であって、パワーチップは、ワイヤがウエッジボンディングされた接合部と、接合部の近傍に設けられたバンプとをその表面上に有し、ワイヤは、バンプの上を通って延びる。 (もっと読む)


【課題】半導体部品の樹脂封止成形品において、プリント基板とリードフレームを繋ぐボンディングワイヤの封止樹脂流動による変形を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板2に搭載された半導体チップ3と、インナー側にチャンネル部を有するリードフレーム5と、チャンネル部の内側を経由してリードフレーム5と半導体チップ3を接続するボンディングワイヤ4と、半導体チップ3とボンディングワイヤ4とリードフレーム5を被覆する樹脂硬化物から半導体装置を構成する。リードフレーム5のチャンネル部の長さをL1、高さをH1とし、ボンディングワイヤ4の水平方向長さをL2、最大高さをH2とすると、1/3<L1/L2<1および1/2<H1/H2を満たす。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の電極パッド間での電気的ショートの危険を低減して半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】ワイヤボンディングのボールボンディングにおいて、超音波の印加方向(超音波振動方向)12に沿って配列された半導体チップ4の電極パッド4cに対して、超音波の印加方向12と交差する方向13に銅ワイヤ5の先端のボール5aと電極パッド4cとを擦り合わせながら接続することで、電極パッド4c上でのAL排斥4dの形成量を抑制してAL排斥4dを小さくすることができ、その結果、前記ボールボンディングによって組み立てられた半導体装置の品質の向上を図れる。 (もっと読む)


【課題】ボンディングの不良品を確実かつ簡便に選別する。
【解決手段】ボンディングパッド101を備えた半導体素子102が搭載され、入出力用端子103及び電源用端子104が形成された半導体基板105と、半導体基板105、入出力用端子103及び電源用端子104を覆う封止樹脂111と、半導体基板105のうち、平面視で半導体素子102と重ならない領域に形成され、封止樹脂111で覆われていない第一、第二のテスト用電極とを有し、ボンディングパッド101と入出力用端子103とがボンディングワイヤー106aを介して接続されており、ボンディングパッド101と電源用端子104とがボンディングワイヤー106bを介して接続されており、半導体素子102、入出力用端子103及び電源用端子104から独立して、第一のテスト用電極と第二のテスト用電極とが電気的に接続されている、半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ5の延在方向と、樹脂の流れ方向を0度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード4は、中央領域4eの隣に配置される張出領域4fにワイヤ5を接合する。中央領域4eは、延在部4aと先端部4bの境界線の中心と先端部4bの先端面4c側の端辺の中心を結ぶ中心線(仮想線)CLを中心軸として、延在部4aと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域4fは、中央領域4eと隣接して配置され、中央領域4eから第1方向Yに沿って張り出した領域である。 (もっと読む)


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