【課題】 半導体チップ上の電極と接続するアルミワイヤを、十分な接続強度で直接ボンディング接続できる厚膜電極配線を備えた厚膜回路部品を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１１と、該基板上に配置された厚膜電極配線１２とを備えた厚膜回路部品であって、前記厚膜電極配線１２は、下層に配置されたＡｇ−Ｐｔ系厚膜１２ａと上層に配置されたＡｇ−Ｐｄ系厚膜１２ｂとを重ねた、アルミワイヤのボンディング接続部を含むものである。ここで、前記ボンディング接続部は、Ａｇ−Ｐｔ系厚膜１２ａとＡｇ−Ｐｄ系厚膜１２ｂとが融合して一体化したものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 複数の増幅手段が形成された半導体チップ５を配線基板１の一主面側に搭載し、半導体チップの電極と配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続する半導体装置であって、基準電位に電位固定されるワイヤ７Ｃが接続された基板側ボンディング用電極２Ｃは、出力用ワイヤ７Ｂが接続された基板側出力用電極２Ｂよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。入力用ワイヤ７Ａが接続された基板側入力用電極２Ａは、前記半導体チップ５の一辺５Ｘからの距離が前記基板側出力用電極２Ｂとほぼ同一となる位置、又は前記基板側ボンディング用電極２Ｃよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】 複数の増幅手段が形成された半導体チップ５を配線基板１の一主面側に搭載し、半導体チップの電極と配線基板の電極とをワイヤで電気的に接続する半導体装置であって、基準電位に電位固定されるワイヤ７Ｃが接続された基板側ボンディング用電極２Ｃは、出力用ワイヤ７Ｂが接続された基板側出力用電極２Ｂよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。入力用ワイヤ７Ａが接続された基板側入力用電極２Ａは、前記半導体チップ５の一辺５Ｘからの距離が前記基板側出力用電極２Ｂとほぼ同一となる位置、又は前記基板側ボンディング用電極２Ｃよりも前記半導体チップ５の一辺５Ｘから遠く離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 周波数が１ＧＨｚ以上の高速差動伝送に使用されるワイヤーのワイヤー長を等しくするという手段を採ることにより、ＩＣ設計の際に、問題となる個々のワイヤーのインダクタを考慮して設計する必要のない、設計容易な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 周波数１ＧＨｚ以上の高速差動伝送を行う半導体装置において、基板７の配線に垂直な方向から見て、同一機能内の送信、受信、送受信に使用する差動信号ペアに使用されるボンディングワイヤー３、４、５、６のワイヤー長を全て等しくする。 （もっと読む）

【課題】エッジショートの発生を防止し、小型化と信頼性の向上を共に実現し得る半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置１においては、配線基板２上に半導体チップ３が実装され、これらが封止樹脂４で封止されている。配線基板２のボンディングパッド５と、半導体チップ３の電極６とは、ボンディングパッド５に形成されたスタッドバンプ９を介してＡｕ線等のワイヤ７で結線されている。配線基板２裏面（マザーボード実装面側）には、配線基板２の所定位置を貫通して導体が設けられたスルーホールを介して、外部接続端子８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 搭載チップのコーナ部におけるワイヤリングによる不良を防止し信頼性の向上を図る。
【解決手段】 四辺の外周部に複数の電極１０２が並んで配置された半導体チップ１０１と、一方の面に半導体チップ１０１を搭載し半導体チップ１０１の電極１０２に対応する複数の電極１０４が並んで配置された配線基板１０５と、半導体チップ１０１の電極１０２と配線基板１０５の電極１０４とを電気的に接続するワイヤ１０３とを備えた半導体装置であって、半導体チップ１０１の各辺のコーナ部の電極配列をコーナ部以外の電極配列に対して半導体チップ中心側に折曲した角度に配列した。これにより、半導体チップのコーナ部における隣接ワイヤリング間のクリアランスを確保することができる。 （もっと読む）

【課題】表面処理とボンディング処理とを効率的に行うボンディング装置を提供する。
【解決手段】ボンディング装置は、高周波コイル５０が先端部に巻回されボンディングワイヤ２が挿通されるキャピラリ４０と、ボンディングワイヤ２の先端位置を変更する位置変更部と、キャピラリ４０にガスを供給するガス供給部と、高周波コイル５０に高周波電力を供給する高周波電力供給部とを含む。ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の外にあるときは、プラズマ領域５２で生成されるマイクロプラズマが開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面を除去する。ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の中に挿入されると、ボンディングワイヤ２の材料が微粒子化し、そのスパッタされた金の微粒子を含むマイクロプラズマ３０３が開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面にボンディングワイヤ２と同じ材料が堆積する。 （もっと読む）

集積回路パッケージ内で集積回路ダイを積層化するための改良された技術が開示される。これらの改良された技術によれば、集積回路パッケージ内の集積回路ダイの積層化密度をより大きくすることができる。更に改良した積層化技術によれば、従来の接合技術を用いて種々の集積回路ダイを互いに、又は基板に電気的に接続することができる。これら改良された方法は、同じサイズ（多くの場合同じ機能）の集積回路ダイを集積回路パッケージ内に積層化するのに特に有用である。そのような集積回路パッケージの一例として、積層体内に配置される複数の類似したサイズのメモリ保存集積回路ダイを備えた不揮発性メモリ集積回路パッケージが挙げられる。
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【課題】ワイヤ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】下段面電極７を有する基板６と、基板６に固定され上段面電極８を有する上段半導体チップ４と、下段面電極７の上方に設けられた下段くさび電極３４と、上段面電極８の上に設けられた上段バンプ２ａと、上段バンプ２ａの上に設けられた上段くさび電極３５と、下段くさび電極３４と上段くさび電極３５を接続するワイヤ１ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】集積回路パッケージ構造とそのパッケージ方法の提供。
【解決手段】集積回路パッケージ構造は基板２１８、チップ２０２、複数の連接導線及び導電充填材料２２２を具え、基板は少なくとも一つの導電構造２０８を具え、連接導線の表面に絶縁物質があり、チップは基板上に固定され、連接導線が電気的にチップと導電構造に接続され、導電充填材料は複数の連接導線の間に固定される。集積回路パッケージ方法はチップを基板上に固定し、連接導線を介してチップと導電構造を連接し、連接導線の間に導電充填材料を形成する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミド膜直上に形成されたボンディングパッドに導体ワイヤが良好に接続された電子回路基板を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した第１層金属パタン３と、第１層金属パタン３の上に形成したポリイミド膜２と、ポリイミド膜２の表面に形成した第２層金属パタンとを有し、第１層金属パタンにダイボンディングした半導体チップ７と電気的接続を取るために、第２層金属パタン３１の表面にボールボンディングにより形成された導体バンプ４を形成する。この導体バンプ４と半導体チップ７の電極７２をワイヤボンディングにより電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 双方向伝送において伝送電圧の変動の小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】 配線領域１０ｂとチップ搭載領域１０ａを有する配線基板１０と、チップ搭載領域１０ａに搭載され、表面に高速伝送回路に電気的接続された対をなす高速伝送用電極パッド３１を有する半導体チップ１と、配線領域１０ｂに設けられ、高速伝送回路に対して信号を伝送する対をなす高速伝送用配線パターン１１と、高速伝送用電極パッド３１と高速伝送用配線パターン１１を電気的接続する高速伝送用ボンディングワイヤ２０と、配線基板１０に設けられ、高速伝送用配線パターン１１と電気的接続された外部接続端子２３とを備え、高速伝送用ボンディングワイヤ２０に高速伝送用電極パッド３１の寄生容量Ｃｐを補償する補償インダクタンスＬｗを付加し、このＬｗを付加した箇所より外部接続端子２３側の高速伝送用配線パターン１１に寄生容量Ｃｐを補償する補償容量Ｃｃを付加した。 （もっと読む）

【解決手段】 第１のボンディング点と第２のボンディング点との間にワイヤをボンディングする方法が提供されている。この方法は、ワイヤボンディングツールを使用して、ワイヤの第１の端部を前記第１のボンディング点にボンディングし、第１のワイヤボンドを形成する工程を含む。この方法は更に、前記第１のワイヤボンドの近傍で前記ワイヤにループ部を形成する工程を含む。この方法は更に、前記形成する工程の後、前記第１のワイヤボンドに向かって前記ワイヤボンディングツールを下降させる工程を含む。この降下させる工程は、前記ワイヤボンディングツールが前記第１のワイヤボンドに接触する前に中断される。この方法は更に、前記ワイヤの第２の端部を前記第２のボンディング点にボンディングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】 本発明のフィルタパッケージは、入力信号に基づいた第１の信号を伝達する第１の接続点と、前記第１の接続点と接続されると共に前記第１の信号を受けて第２の信号を出力する第１の直列腕共振器と、前記第２の信号に基づいた信号を伝達する第２の接続点と、前記第１の接続点と第３の接続点とに接続された第１の並列腕共振器と、前記第２の接続点と第４の接続点とに接続された第２の並列腕共振器と、前記第３の接続点と前記第４の接続点とに接続された第１のワイヤと、接地電極と前記第３の接続点とに接続された第２のワイヤとを有する。 （もっと読む）

【課題】 一列に並んだ単位半導体チップ搭載フレームを複数列有して、搬送されてくる半導体チップを搭載したリードフレーム又は配線基板について半導体チップと信頼性よくワイヤーボンディングし、生産性が優れるワイヤーボンディング方法を提供する。
【解決手段】 それぞれ半導体チップ１２を搭載した単位半導体チップ搭載フレームを複数列有する半導体チップ搭載フレーム１３を搬送し、ボンディング装置１１で半導体チップ１２の電極と半導体チップ搭載フレーム１３のリードとをワイヤーボンディングする方法において、ボンディング装置１１をボンディングラインの片側の定位置に設け、ボンディングヘッド１５を単位半導体チップ搭載フレームのボンディング領域内だけ動かしてワイヤーボンディングし、終了すると、列方向あるいは幅方向における隣りの単位半導体チップ搭載フレームをボンディングヘッド１５下に搬送しワイヤーボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造歩留まり向上を図る。
【解決手段】 半導体装置の製造において、
ワイヤボンディング工程において、予め半導体チップ２の電極パッド３側の基準高さ位置（第１の基準高さ位置）は、高さ検出治具２２の第１の面２３ａにキャピラリ２０の先端を接触させて電極パッド３の高さ位置を検出することによって求め、半導体チップ２の周囲に配置されたリード４側の基準高さ位置（第２の基準高さ位置）は、高さ検出治具２３の第２の面２３ｂにキャピラリ２０の先端を接触させてリード４のボンディング面の高さ位置を検出することによって求める。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体チップが積層して配置された半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、下段側の半導体チップに接続されたワイヤが変形しにくく、且つ薄型に構成することのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置は、基板１２に搭載された第１の半導体チップ１４と、第１の半導体チップ１４に積層して配置された第２の半導体チップ１６と、第１及び第２の半導体チップを基板１２に電気的に接続するワイヤ２６，２８とからなり、第２の半導体チップ１６は、第１の接着層３８と第２の接着層４０とを含み、その界面に微細な凹凸構造４２が一様に形成された絶縁性接着層３６により第１の半導体チップ１４に固定され、第１のワイヤ２６の少なくとも一部が絶縁性接着層３６の第１の接着層３８に入り込んでいる構成とする。 （もっと読む）

集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
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【課題】 特殊なキャピラリを用いたり実装工程を複雑にすることなく、従って製造コストの上昇を招くことなくワイヤの突出高さを低減することができる電子部品アセンブリ及び電子部品アセンブリの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の部品電極を１つの面上に有する少なくとも１つの電子部品と、少なくとも１つの電子部品を上述の１つの面が基板表面と同方向に向くように搭載した基板とを備えており、少なくとも１つの電子部品の前記複数の部品電極と基板側に設けられた複数の配線電極とが複数のワイヤによってそれぞれボンディングされており、各ワイヤが、各部品電極及び各配線電極に対して共にボール部無しでボンディングされている。 （もっと読む）

【課題】 特殊なキャピラリを用いたり実装工程を複雑にすることなく、従って製造コストの上昇を招くことなくワイヤの突出高さを低減することができる電子部品アセンブリ及び電子部品アセンブリの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の部品電極を１つの面上に有する少なくとも１つの電子部品と、少なくとも１つの電子部品を上述の１つの面が基板表面と同方向に向くように搭載した基板とを備えており、少なくとも１つの電子部品の前記複数の部品電極と基板側に設けられた複数の配線電極とが複数のワイヤによってそれぞれボンディングされており、各ワイヤが、各配線電極にはボール部を設けてボンディングされており、各部品電極にはボール部無しでボンディングされている。 （もっと読む）